本發明專利技術涉及電路金屬板材料技術領域，尤其涉及一種電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板及其制備方法。所述電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板由鋁基板、絕緣層、金屬箔層組成，所述金屬箔層由鋁箔層與銅箔層組成，所述銅箔層通過電鍍的方法結合在鋁箔層上并且厚度小于或等于鋁箔層，所述絕緣層一面與鋁基板連接，一面與鋁箔層連接；所述電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板通過以下方法制備：將鋁箔拉毛處理，加熱樹脂膠成半固化狀涂抹至鋁箔表面，熱壓到鋁基板上壓合成型，冷卻后在鋁箔表面電鍍一層銅箔，烘干，即得。本發明專利技術通過限定金屬箔中銅箔與鋁箔厚度的比例，從而使銅箔與鋁箔雙層金屬箔制備的電路板的性能要求滿足普通電路板的使用要求。板的性能要求滿足普通電路板的使用要求。
【技術實現步驟摘要】
一種電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板及其制備方法
[0001]本專利技術涉及電路金屬板材料
，尤其涉及一種電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板及其制備方法。
技術介紹
[0002]目前用于LED線路板的材料均為鋁基覆銅板，其中銅箔的成本高。因此，采用其他金屬材料替代銅箔，成為降低生產成本的手段之一。目前國內市場上的鋁箔的價格遠遠低于銅箔，若采用鋁箔替代部分的銅箔，則能有效降低經濟成本。但是鋁箔的導熱系數比銅箔低，導熱性能較銅箔差，同時介電常數比銅箔高，介電損失較大。若直接采用鋁箔替代銅箔，則制備的電路板將不符合使用要求。
[0003]基于上述情況，本專利技術提出了一種電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板及其制備方法。
技術實現思路
[0004]本專利技術的目的在于提供一種電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板及其制備方法。
[0005]為實現上述目的，本專利技術提供了一種電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板，所述電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板由鋁基板、絕緣層、金屬箔層組成，所述金屬箔層由鋁箔層與銅箔層組成，所述銅箔層通過電鍍的方法結合在鋁箔層上并且銅箔厚度3
?
5um，所述絕緣層一面與鋁基板連接，一面與鋁箔層連接；所述電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板通過以下方法制備：將鋁箔拉毛處理，配制樹脂膠成半固化狀涂抹至鋁箔表面，熱壓到鋁基板上壓合成型，冷卻后在鋁箔表面電鍍一層銅箔，烘干，即得。
[0006]優選地，所述樹脂膠由以下重量份的原料組成：1～2wt％硅烷偶聯劑、28～32wt％雙組份環氧樹脂、1～2wt％助劑、1～2wt％固化劑、剩余為納米硅粉。
[0007]優選地，所述納米硅粉的粒徑為30
±
10nm。
[0008]優選地，所述硅烷偶聯劑為含有乙烯基的硅烷偶聯劑。
[0009]優選地，所述含有乙烯基的硅烷偶聯劑為含有乙烯基且同時含有三個硅氧基的硅烷偶聯劑。
[0010]所述含有乙烯基且同時含有三個硅氧基的硅烷偶聯劑包括乙烯基三乙酰氧硅烷、乙烯基三異丙烯氧基硅烷、乙烯基三異丙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷的其中一種。
[0011]優選地，所述硅烷偶聯劑為乙烯基三乙酰氧硅烷，CAS號為4130
?
08
?
9。
[0012]優選地，所述助劑包括二月桂酸二丁基錫、聚丙二醇、醋酸乙烯酯的組合。
[0013]優選地，所述固化劑為三甲基已二胺、二乙胺、二已基三胺的其中一種。
[0014]優選地，所述絕緣層厚度為100～150μm，所述金屬箔層的厚度為10～35μm。
[0015]本專利技術還提供了一種電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板的制備方法，所述方法包括如下步驟：
[0016](1)將雙組份環氧樹脂與硅烷偶聯劑在50～55℃以100～150rpm攪拌混合20～
30min，隨后加入納米硅粉，以200～250rpm攪拌混合50～60min，最后加入其它助劑、固化劑，繼續攪拌10～15min，即得樹脂膠；
[0017](2)將鋁箔拉毛處理，加熱樹脂膠成半固化狀涂抹至鋁箔表面，熱壓到鋁基板上壓合成型，以1.0MPa的壓力，以5℃/min的升溫速率升溫至210～220℃，固化時間為50～60min；
[0018](3)固化冷卻至30～35℃時在鋁箔表面電鍍一層銅箔，烘干，即得。
[0019]與現有技術相比，本專利技術具有如下有益效果：
[0020]1.本專利技術通過限定金屬箔中銅箔與鋁箔厚度的比例，從而使銅箔與鋁箔雙層金屬箔制備的電路板的性能要求滿足普通電路板的使用要求。
[0021]2.本專利技術原材料在國內充足，價格適宜，使其規模化生產沒有太高的成本限制；同時，制備方法簡單，總體生產成本不高，有利于工業的大規模生產。
具體實施方式
[0022]實施例1
[0023]按表1稱量具體原料，步驟制備步驟如下：
[0024](1)將雙組份環氧樹脂與硅烷偶聯劑在50℃以100rpm攪拌混合30min，隨后加入納米硅粉，以200rpm攪拌混合60min，最后加入其它助劑、固化劑，繼續攪拌15min，即得樹脂膠；
[0025](2)將鋁箔拉毛處理，加熱樹脂膠成半固化狀涂抹至鋁箔表面，熱壓到鋁基板上壓合成型，以1.0MPa的壓力，以2.5℃/min的升溫速率升溫至210℃，固化時間為50min；
[0026](3)固化冷卻至30℃時在鋁箔表面電鍍一層銅箔，烘干，即得。
[0027]實施例2
[0028]按表1稱量具體原料，步驟制備步驟如下：
[0029](1)將雙組份環氧樹脂與硅烷偶聯劑在55℃以100rpm攪拌混合20min，隨后加入納米硅粉，以250rpm攪拌混合50min，最后加入其它助劑、固化劑，繼續攪拌15min，即得樹脂膠；
[0030](2)將鋁箔拉毛處理，加熱樹脂膠成半固化狀涂抹至鋁箔表面，熱壓到鋁基板上壓合成型，以1.0MPa的壓力，以2.5℃/min的升溫速率升溫至220℃，固化時間為50min；
[0031](3)固化冷卻至35℃時在鋁箔表面電鍍一層銅箔，烘干，即得。
[0032]實施例3
[0033]按表1稱量具體原料，步驟制備步驟如下：
[0034](1)將雙組份環氧樹脂與硅烷偶聯劑在55℃以150rpm攪拌混合30min，隨后加入納米硅粉，以250rpm攪拌混合60min，最后加入其它助劑、固化劑，繼續攪拌15min，即得樹脂膠；
[0035](2)將鋁箔拉毛處理，加熱樹脂膠成半固化狀涂抹至鋁箔表面，熱壓到鋁基板上壓合成型，以1.0MPa的壓力，以2.5℃/min的升溫速率升溫至220℃，固化時間為50min；
[0036](3)固化冷卻至35℃時在鋁箔表面電鍍一層銅箔，烘干，即得。
[0037]對比例1
[0038]按表1稱量具體原料，與實施例3不同的是，未使用納米硅粉以及硅烷偶聯劑，金屬
箔層全部為銅層，其余步驟制備步驟如下：
[0039](1)將雙組份環氧樹脂與硅烷偶聯劑在55℃以150rpm攪拌混合30min，隨后加入納米硅粉，以250rpm攪拌混合60min，最后加入其它助劑、固化劑，繼續攪拌15min，即得樹脂膠；
[0040](2)將銅箔拉毛處理，加熱樹脂膠成半固化狀涂抹至銅箔表面，熱壓到鋁基板上壓合成型，以1.0MPa的壓力，以2.5℃/min的升溫速率升溫至220℃，固化時間為50min，烘干，即得。
[0041]對比例2
[0042]按表1稱量具體原料，與實施例3不同的是，未使用納米硅粉以及硅烷偶聯劑，其余步驟制備同實施例3。
[0043]對比例3
[0044]按表1稱量具體原料，與實施例3不同的是，未使用硅烷偶聯劑，其余步驟制備同實施例3。
[0045]對比例4
[0046]按表1稱量具體原料，與實施例3不同的是，硅烷偶聯劑為乙烯基甲基二乙氧基硅烷(C本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板，其特征在于，所述電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板由鋁基板、絕緣層、金屬箔層組成，所述金屬箔層由鋁箔層與銅箔層組成，所述銅箔層通過電鍍的方法結合在鋁箔層上并且厚度大于或等于鋁箔層，所述絕緣層一面與鋁基板連接，一面與鋁箔層連接；所述電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板通過以下方法制備：將鋁箔拉毛處理，加熱樹脂膠成半固化狀涂抹至鋁箔表面，熱壓到鋁基板上壓合成型，冷卻后在鋁箔表面電鍍一層銅箔，烘干，即得。2.根據權利要求1所述的電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板，其特征在于，所述樹脂膠由以下重量份的原料組成：1～2wt％硅烷偶聯劑、28～32wt％雙組份環氧樹脂、1～2wt％助劑、1～2wt％固化劑、剩余為納米硅粉。3.根據權利要求2所述的電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板，其特征在于，所述納米硅粉的粒徑為30
±
10nm。4.根據權利要求2所述的電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板，其特征在于，所述硅烷偶聯劑為含有乙烯基的硅烷偶聯劑。5.根據權利要求4所述的電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板，其特征在于，所述含有乙烯基的硅烷偶聯劑為含有乙烯基且同時含有三個硅氧基的硅烷偶聯劑。6.根據權利要求5所述的電子電路用鋁基覆鋁鍍金屬板，其特征在于，所述含有乙烯基且同時含有三...
【專利技術屬性】
技術研發人員：俞金法，
申請(專利權)人：天長市京發鋁業有限公司，
類型：發明
國別省市：
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