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    導電粒子、導電材料以及連接結構體制造技術

    技術編號:35811571 閱讀:53 留言:0更新日期:2022-12-03 13:33
    本發明專利技術的特征在于:作為包括核以及配備于所述核表面上且配備有凸起的導電層的導電粒子,包括分布在形成于所述導電層與所述核的邊界面上的第一鈀區域以及形成于所述凸起內部區域的第三鈀區域中的鈀。區域的第三鈀區域中的鈀。區域的第三鈀區域中的鈀。

    【技術實現步驟摘要】
    【國外來華專利技術】導電粒子、導電材料以及連接結構體


    [0001]本專利技術涉及一種在核表面部具有導電層的導電粒子,尤其涉及一種作為對微細間距電路進行連接的各向異性導電粘合材料的核導電材料使用的導電顆粒。此外,涉及一種利用所述導電粒子的導電材料以及連接結構體。

    技術介紹

    [0002]導電材料在通過與固化劑、粘合劑以及樹脂黏合劑混合而以分散的形態使用的如各向異性導電膜(Anisotropic Conductive Film)、各向異性導電粘合劑(Anisotropic Conductive Adhesive)、各向異性導電漿料(Anisotropic Conductive Paste)、各向異性導電油墨(Anisotropic Conductive Ink)以及各向異性導電片(Anisotropic Conductive Sheet)等各向異性導電材料中使用。
    [0003]所述各向異性導電材料在如FOG(Film on Glass;柔性基板
    ?
    玻璃基板)、COF(Chip on Film;半導體芯片
    ?
    柔性基板)、COG(Chip on Glass;半導體芯片玻璃基板)以及FOB(Film on Board;柔性基板
    ?
    玻璃環氧樹脂基板)等中使用。
    [0004]所述各向異性導電材料在假定對半導體芯片以及柔性基板進行接合的情況下,可以通過在柔性基板上方配置各向異性導電材料并層疊半導體芯片之后在加壓/加熱狀態下對各向異性導電材料進行固化而形成導電粒子對基板的電極以及半導體芯片的電極進行電性連接的連接結構體。
    [0005]當在所述各向異性導電材料中使用導電粒子時,將與固化劑、粘合劑以及樹脂黏合劑等混合使用,而在加壓/加熱之后形成連接結構體時,可以通過各向異性導電材料的固化/粘合維持上/下電極之間的電性連接。

    技術實現思路

    [0006]本專利技術旨在解決如上所述的現有問題,本專利技術擬達成的技術課題在于提供一種可以以穩定且均勻的厚度形成導電層,而且可以對在導電層上形成的凸起的大小進行調節的導電粒子。
    [0007]適用本專利技術之一方面的導電粒子,其特征在于:
    [0008]作為包括核以及配備于所述核表面上且配備有凸起的導電層的導電粒子,
    [0009]包括分布在形成于所述導電層與所述核的邊界面上的第一鈀區域以及形成于所述凸起內部區域的第三鈀區域中的鈀。
    [0010]此時,包括在所述導電層的中間內部形成的第二鈀區域為宜。
    [0011]此外,在所述第三鈀區域中包含平均粒徑為30nm~130nm的鈀納米簇為宜。
    [0012]此外,所述第一鈀區域中的鈀納米粒子與周邊相比分布更多且所述鈀納米粒子附著到核表面積的95%以上為宜。
    [0013]此外,所述第二鈀區域是鈀納米粒子與周邊相比分布更多的區域。
    [0014]此外,所述第三鈀區域中的鈀濃度大于所述第一鈀區域或所述第二鈀區域的鈀濃
    度為宜。
    [0015]此外,所述導電層利于從由Ni、Sn、Ag、Cu、Pd、Zn、W、P、B以及Au構成的組中選擇的一種或兩種以上的合金構成為宜。
    [0016]此外,在所述導電層的表面還包括絕緣層或絕緣粒子為宜。
    [0017]此外,在所述導電層的最外廓利用疏水性防銹劑進行防銹處理為宜。
    [0018]本專利技術的另一方面涉及一種包含如上所述的導電粒子的各向異性導電材料。
    [0019]本專利技術的又一方面涉及一種包含如上所述的導電粒子的連接結構體。
    [0020]本專利技術的有一方面提供一種導電粒子的制造方法,包括:
    [0021]A)制造核的步驟;
    [0022]B)通過向所述核的表面附著鈀粒子而形成第一鈀區域的步驟;
    [0023]C)通過將所述步驟B)之后的核分散到鎳鍍金液中而形成第一鎳區域得我步驟;
    [0024]D)通過在向所述步驟C)之后的核投入還原劑之后注入鈀前驅體溶液而形成第二鈀區域的步驟;
    [0025]E)通過在所述步驟D)之后在所述第二鈀區域上注入鎳前驅體而形成第二鎳區域的步驟;
    [0026]F)通過向所述核投入鈀前驅體溶液以及穩定劑而在第二鎳區域的表面的一部分區域形成包含鈀納米簇的第三鈀區域的步驟;以及,
    [0027]G)在所述第二鎳區域以及所述第三鈀區域上形成第三鎳區域的步驟。
    [0028]適用本專利技術的導電粒子在核與導電層的邊界面上配備有鈀,從而可以使得構成導電層的元素生長。
    [0029]此外,通過在導電層內部包含鈀,可以使得導電層以穩定且均勻的厚度形成。
    [0030]此外,通過在從導電層凸出的凸起內部包含納米簇形態的鈀,可以起到凸起形成功能,而且可以根據鈀納米簇的大小對凸起的大小以及高度進行控制。
    [0031]總而言之,可以在和欣賞以一定的厚度均勻地形成導電層,而且還可以根據所使用的條件對凸起的大小以及高度進行調節,從而可以輕易地傳到電極的氧化膜并制造出高穩定性的導電粒子、各向異性導電材料以及連接結構體。
    附圖說明
    [0032]圖1是適用本專利技術之一實施例的導電粒子的透射電子顯微鏡(TEM)照片。
    [0033]圖2是適用本專利技術之一實施例的導電粒子的無凸起導電層區域的透射電子顯微鏡(TEM)照片。
    [0034]圖3是導電層的無凸起中間區域的X射線能譜分析(EDAX)結果圖表。
    [0035]圖4是適用本專利技術之一實施例的導電粒子的導電層的凸起區域的透射電子顯微鏡(TEM)照片。
    [0036]圖5是凸起的中間區域的X射線能譜分析(EDAX)結果圖表。
    [0037]【符號說明】
    [0038]10:第一鈀區域
    [0039]20:第二鈀區域
    [0040]30:第三鈀區域
    具體實施方式
    [0041]接下來在對本專利技術進行詳細的說明之前需要理解的是,在本說明書中所使用的術語只是用于對特定的實施例進行記述,并不是為了對只應該通過所附的權利要求書的范圍進行限定的本專利技術的范圍做出限定。除非另有提及,否則在本說明書中所使用的所有技術術語以及科學術語的含義與掌握一般技術知識的人員所通常理解的含義相同。
    [0042]在整個本說明書以及權利要求書中,除非另有提及,否則術語包含以及包括(comprise,comprises,comprising)適用于表明包含或包括所提及的物件、步驟或一系列的物件以及步驟,并不排除任意其他物件、步驟或一系列物件或一系列步驟。
    [0043]此外,除非另有明確的相反記載,否則本專利技術的多個實施例可以與其他任何實施例結合。尤其是指定為較佳或優選的任何特征也可以與指定為較佳或優選的其他任何特征以及多個特征結合。接下來,將參閱附圖對本專利技術的實施例及其效果進行詳細的說明。
    [0044]&lt;導電粒子&gt;
    [0045]適用本專利技術之實施例的導電粒子是通過包含在電極之間而對所述電極進行電性連接的導電性粒子,所述本文檔來自技高網
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    【技術保護點】

    【技術特征摘要】
    【國外來華專利技術】1.一種導電粒子,作為包括核以及配備于所述核表面上且配備有凸起的導電層的導電粒子,包括分布在形成于所述導電層與所述核的邊界面上的第一鈀區域以及形成于所述凸起內部區域的第三鈀區域中的鈀。2.根據權利要求1所述的導電粒子,包括在所述導電層的中間內部形成的第二鈀區域。3.根據權利要求1所述的導電粒子,在所述第三鈀區域中包含平均粒徑為30nm~130nm的鈀納米簇。4.根據權利要求1所述的導電粒子,所述第一鈀區域中的鈀納米粒子與周邊相比分布更多且所述鈀納米粒子附著到核表面積的95%以上。5.根據權利要求1所述的導電粒子,所述第二鈀區域是鈀納米粒子與周邊相比分布更多的區域。6.根據權利要求1所述的導電粒子,所述第三鈀區域中的鈀濃度大于所述第一鈀區域或所述第二鈀區域的鈀濃度。7.根據權利要求6所述的導電粒子,所述導電層利于從由Ni、Sn、Ag、Cu、Pd、Zn、W、P、B以及Au構成的組中選擇的一種或兩種以上的合金構成。8.根據權利要求7所...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:裵倉完金泰根金敬欽
    申請(專利權)人:德山金屬株式會社
    類型:發明
    國別省市:

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