一種半導體清洗劑及其制備方法技術

本申請涉及半導體清洗技術領域，具體公開了一種半導體清洗劑及其制備方法，所述半導體清洗劑，包括A組分和B組分；所述A組分包括以下重量份原料：20

【技術實現步驟摘要】
一種半導體清洗劑及其制備方法


[0001]本申請涉及半導體清洗
，更具體地說，它涉及一種半導體清洗劑及其制備方法。

技術介紹

[0002]隨著電子信息產業的高速發展，在集成電路生產中，半導體變得尤其重要，半導體的好壞直接影響著集成電路的質量。
[0003]在半導體的加工各個環節，清洗工藝必不可少，它主要用于去除半導體材料的上一道工序遺留的超微細顆粒污染物、金屬、有機物，以及光阻掩膜，也需要進行硅氧化膜、氮化硅或金屬等薄膜材料的濕法腐蝕，為下一步工序準備好半導體的表面條件，使半導體的表面達到無腐蝕氧化、無殘留等技術指標。
[0004]在現有的半導體清洗劑常常會選擇鹽酸、強堿液、或含有磷酸鹽類的表面活性劑作為清洗劑，但是鹽酸具有腐蝕性，不能去除顆粒物和有機成分，強堿液清洗劑的整體去除效果不理想，含有磷酸鹽類表面活性劑的清洗劑雖然清洗效果較好，但對環境不友好，易造成水資源富營養化、水體污染等問題。因此，亟需提出一種半導體清洗劑及其制備方法，以解決現有的半導體清洗劑的腐蝕性強，清洗效果不佳，且對環境造成污染等問題，使半導體清洗劑能夠高效清除半導體表面的殘留物質，具有綠色環保、可持續發展的積極意義。

技術實現思路

[0005]為了解決現有的半導體清洗劑的腐蝕性強，清洗效果不佳，且對環境造成污染等問題，本申請提供了一種半導體清洗劑及其制備方法。
[0006]第一方面，本申請提供了一種半導體清洗劑，采用如下的技術方案：一種半導體清洗劑，包括A組分和B組分；所述A組分包括以下重量份原料：20
?
30份有機酸、2
?
8份絡合劑、8
?
12份表面活性劑、80
?
100份水；所述B組分包括以下重量份原料：10
?
20份堿性物質、5
?
8份助溶劑、100
?
120份水。
[0007]通過采用上述技術方案，本申請的半導體清洗劑包括A組分和B組分，A組分為酸性清洗劑，B組分為堿性清洗劑，A組分能夠有效清除殘留的金屬、光阻掩膜等物質，B組分能夠高效清除半導體表面殘留的有機物、硅氧化膜、氮化硅等物質，A組分和B組分結合形成的半導體清洗劑能夠高效清除半導體表面的殘留物質，同時能夠減少對環境的污染，具有綠色環保的積極意義。
[0008]優選的，所述有機酸由琥珀酸、蓖麻油酸和甘氨酸混合而得。
[0009]優選的，所述琥珀酸和蓖麻油酸的質量比為(3
?
5):2，所述甘氨酸的添加量為琥珀酸和蓖麻油酸總量的20
?
30％。
[0010]優選的，所述有機酸，由以下方法制得：將琥珀酸、蓖麻油酸和甘氨酸均勻混合，即得有機酸。
[0011]通過采用上述技術方案，本申請的琥珀酸、蓖麻油酸中都含有羧基，能夠提供氫離
子與半導體表面殘留的金屬反應，二者的酸性適中，較無機酸更溫和，腐蝕較小，不會損傷半導體表面，而且能夠起到一定的保護作用。另外，本申請在有機酸中還添加了甘氨酸，甘氨酸不僅提供酸性，而且對金屬離子具有良好的絡合作用，能夠高效清除半導體表面的殘留物質，使得半導體的表面保持光潔，為下一步工序準備好半導體的表面條件。
[0012]優選的，所述絡合劑由質量比為3:(1
?
5)的乙二胺四乙酸四鈉、葡萄糖酸鈉復配而得。
[0013]通過采用上述技術方案，本申請采用乙二胺四乙酸四鈉與葡萄糖酸鈉的復配物作為絡合劑，乙二胺四乙酸四鈉與葡萄糖酸鈉都能夠與金屬離子進行絡合作用，使得金屬離子以絡合物的形式進入水中，進而以離子形式在水中穩定存在，乙二胺四乙酸四鈉與葡萄糖酸鈉二者協同增效，絡合效果更好，極大地程度除去半導體表面的殘留金屬，使得半導體清洗劑的清洗效果更佳，同時也能夠減少半導體的損失，進而提升半導體的綜合性能。
[0014]優選的，所述表面活性劑由質量比為(3
?
7):2:(1
?
5)的槐糖脂、烷基糖苷與椰油酰基甲基牛磺酸鈉混合而得。
[0015]通過采用上述技術方案，槐糖脂具有優異的增溶、乳化、潤濕、發泡、分散、降低表面張力等性能，而且無毒，可生物降解，對環境十分友好；烷基糖苷屬于生物質基綠色表面活性劑，椰油酰基甲基牛磺酸鈉綠色安全且易生物降解；本申請選用槐糖脂、烷基糖苷、椰油酰基甲基牛磺酸鈉的混合物作為表面活性劑，三者相互協助，減小溶液的表面張力，能夠使清洗后的物質脫離半導體的表面，提高半導體清洗劑的清洗效果，同時綠色環保，對環境無污染。
[0016]優選的，所述A組分中，還包括11
?
15份助劑。
[0017]優選的，所述助劑，包括以下重量份原料：3
?
4份酒石酸、2
?
3份3
?
(2
?
氨乙基)
?
氨丙基三甲氧基硅烷、2
?
3份羧甲基殼聚糖、4
?
5份PEG
?
6000單油酸酯、15
?
18份異丙醇。
[0018]優選的，所述助劑，由以下方法制得：將3
?
(2
?
氨乙基)
?
氨丙基三甲氧基硅烷、異丙醇混合，加熱至60
?
70℃，在轉速為600
?
800r/min下，攪拌20
?
30min后，再加入酒石酸、羧甲基殼聚糖、PEG
?
6000單油酸酯，升溫至75
?
80℃，在轉速為800
?
1000r/min下，攪拌30
?
40min，即得助劑。
[0019]通過采用上述技術方案，本申請在A組分中還添加了助劑，助劑由酒石酸、3
?
(2
?
氨乙基)
?
氨丙基三甲氧基硅烷、羧甲基殼聚糖、PEG
?
6000單油酸酯、異丙醇組成，在助劑的制備過程中，并控制各工藝參數，使制得的助劑的性能更加優異，助劑能夠協同A組分中的各物質，促進A組分在半導體表面的清洗效果，同時在A組分清洗后的半導體表面形成保護層，防止在后續的清洗過程中造成損傷，進而有效解決了半導體清洗效果不佳的問題。
[0020]優選的，所述堿性物質為氫氧化鈉和三乙醇胺按照質量比為(11
?
15):12進行混合。
[0021]通過采用上述技術方案，氫氧化鈉和三乙醇胺主要清除半導體表面的硅氧化膜、氮化硅以及有機物等物質，本申請將無機強堿氫氧化鈉和有機堿三乙醇胺按照一定的質量比進行混合，能夠有效清除半導體表面的殘留物質，提高半導體清洗劑的清洗效率，改善半導體表面的清洗效果。
[0022]優選的，所述助溶劑為乙二醇丁醚和/或蓖麻油與環氧乙烷縮合物。
[0023]通過采用上述技術方案，本申請選用乙二醇丁醚和/或蓖麻油與環氧乙烷縮合物本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種半導體清洗劑，其特征在于，包括A組分和B組分；所述A組分包括以下重量份原料：20
?
30份有機酸、2
?
8份絡合劑、8
?
12份表面活性劑、80
?
100份水；所述B組分包括以下重量份原料：10
?
20份堿性物質、5
?
8份助溶劑、100
?
120份水。2.根據權利要求1所述的半導體清洗劑，其特征在于，所述有機酸由琥珀酸、蓖麻油酸和甘氨酸混合而得。3.根據權利要求2所述的半導體清洗劑，其特征在于，所述琥珀酸和蓖麻油酸的質量比為(3
?
5):2，所述甘氨酸的添加量為琥珀酸和蓖麻油酸總量的20
?
30%。4.根據權利要求1所述的半導體清洗劑，其特征在于，所述絡合劑由質量比為3:(1
?
5)的乙二胺四乙酸四鈉、葡萄糖酸鈉復配而得；所述表面活性劑由質量比為(3
?
7):2:(1
?
5)的槐糖脂、烷基糖苷與椰油酰基甲基牛磺酸鈉混合而得。5.根據權利要求1所述的半導體清洗劑，其特征在于，所述A組分中，還包括：11
?
15份助劑。6.根據權利要求5所述的半導體清洗劑，其特征在于，所述助劑，包括以下重量份原料：3
?
4份酒石酸、2
?
3份3
?
(2
?
氨乙基)
?
氨丙基三甲氧基硅烷、2
?
3份羧甲基殼聚糖、4
?
5份PEG
?
6000單油酸酯、15
?
18份異丙醇。7....

【專利技術屬性】
技術研發人員：童晨，吳海燕，陳桂紅，孫元，韓成強，
申請(專利權)人：昆山晶科微電子材料有限公司，
類型：發明
國別省市：