一種用于釹鐵硼磁體的臥式真空鍍膜夾具制造技術

本實用新型專利技術公開了一種用于釹鐵硼磁體的臥式真空鍍膜夾具，包括底座和多個頂桿，多個所述頂桿均勻等距離固定在所述底座上，釹鐵硼磁體放置在任意數量個所述頂桿的頂端，鍍膜制得涂層；其中，所述釹鐵硼磁體每個面的面積大于每個所述頂桿與所述釹鐵硼磁體接觸的頂端的面積。本實用新型專利技術通過在底座固定設置多個等距離的頂桿，減少磁體的接觸面積，進而利用等離子體鞘層重疊特性，使得涂層主要在磁體上表面生長，而磁體下表面涂層幾乎不生長，磁體與托盤接觸區域涂層外觀呈現黑灰色現象可被抑制，進而提高釹鐵硼磁體表面涂層顏色的均勻性，以解決現有技術中釹鐵硼磁體與托盤接觸區域的涂層外觀和磁體上表面的涂層外觀色彩不一致的問題。一致的問題。一致的問題。

【技術實現步驟摘要】
一種用于釹鐵硼磁體的臥式真空鍍膜夾具


[0001]本技術屬于釹鐵硼磁體表面涂層工程領域，具體涉及一種用于釹鐵硼磁體的臥式真空鍍膜夾具。

技術介紹

[0002]燒結釹鐵硼(NdFeB)是迄今為止性能價格比最佳的磁體，廣泛應用于消費電子、新能源汽車、核磁共振以及風力發電等領域。然而，燒結NdFeB永磁材料具有多相組織，活性Nd相易發生腐蝕，通常需要表面防護技術以提高磁體的耐蝕性。
[0003]現階段磁體表面防護的發展趨勢是采用臥式真空鍍膜連續化生產線制備耐蝕性涂層，其特色是同樣壽命下厚度僅為電鍍層的1/5，壽命提高3
?
5倍，年產能可達百噸級，同時生產過程零污染。
[0004]在實際生產過程中，通常直接將磁體放置于托盤上制備涂層。然而，受等離子體鞘層影響，磁體與托盤接觸區域等離子體密度與能量較低，涂層微結構較為疏松，使得該區域涂層外觀往往呈現黑灰色，出現和磁體上表面的外觀涂層色彩不一致的情況。

技術實現思路

[0005]本技術提供了一種用于釹鐵硼磁體的臥式真空鍍膜夾具，以解決現有技術中釹鐵硼磁體與托盤接觸區域的涂層外觀和磁體上表面的涂層外觀色彩不一致的問題。
[0006]一種用于釹鐵硼磁體的臥式真空鍍膜夾具，所述夾具包括底座和多個頂桿，多個所述頂桿均勻等距離固定在所述底座上，釹鐵硼磁體放置在任意數量個所述頂桿的頂端，鍍膜制得涂層；
[0007]其中，所述釹鐵硼磁體每個面的面積大于每個所述頂桿與所述釹鐵硼磁體接觸的頂端的面積。
[0008]進一步地，多個所述頂桿均勻等間距固定在所述底座上，所述釹鐵硼磁體放置在任意數量個所述頂桿的頂端，其中所述釹鐵硼磁體的底部邊緣不與所述頂桿接觸，使得所述釹鐵硼磁體的底部邊緣處于懸空狀態。
[0009]進一步地，任意相鄰的所述頂桿之間的距離大于所述頂桿的頂端的最大尺寸。
[0010]進一步地，每個所述頂桿的高度和任意相鄰的所述頂桿之間的間距的比值大于1。
[0011]進一步地，所述頂桿是圓柱形、長方體、錐體或不規則立體結構中的任一種。
[0012]本技術和現有技術相比具有如下有益效果：本技術提供了一種用于釹鐵硼磁體的臥式真空鍍膜夾具，通過在底座固定設置多個等距離的頂桿，減少磁體的接觸面積，進而利用等離子體鞘層重疊特性，降低頂桿等離子體鞘層對離子的吸附能力，從而減小了沉積粒子在磁體下表面沉積的可能性。基于上述原理，使得涂層主要在磁體上表面生長，而磁體下表面涂層幾乎不生長，磁體與托盤接觸區域涂層外觀呈現黑灰色現象可被抑制，進而提高了釹鐵硼磁體表面涂層顏色的均勻性。
附圖說明
[0013]為了更清楚地說明本技術的實施方式或現有技術中的技術方案，下面將對實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是示例性的，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖引申獲得其它的實施附圖。
[0014]圖1為本技術實施例中用于釹鐵硼磁體的臥式真空鍍膜夾具的結構示意圖；
[0015]圖2為圖1的俯視圖；
[0016]圖中標號：
[0017]1?
底座，2
?
頂桿，3
?
釹鐵硼磁體。
具體實施方式
[0018]下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。
[0019]如圖1
?
2所示，本技術公開了一種用于釹鐵硼磁體的臥式真空鍍膜夾具，所述夾具包括底座1和多個頂桿2，多個所述頂桿2均勻等距離固定在所述底座1上，釹鐵硼磁體3放置在任意數量個所述頂桿2的頂端，鍍膜制得涂層；其中，所述釹鐵硼磁體3每個面的面積大于每個所述頂桿2與所述釹鐵硼磁體3接觸的頂端的面積。
[0020]頂桿2可以通過焊接等方式固定在底座1上，使用過程中，只需要將釹鐵硼磁體3放置在頂桿2上，就可以鍍膜，磁體當面鍍膜完成翻面后再次鍍膜，就可以完成磁體3的鍍膜工作。
[0021]傳統的釹鐵硼磁體鍍膜工藝中，直接將磁體放置于托盤上制備涂層，受等離子體鞘層的影響，磁體與托盤接觸位置處等離子體鞘層厚度增加，造成該區域涂層的厚度減少、微結構疏松、顏色發黑。
[0022]本技術中，將磁體放置在頂桿上，NdFeB磁體3雖然與頂桿2直接接觸，但由于磁體3每個面的面積大于頂桿2的頂端面積，減少了接觸面積。一方面，可以使得磁體不與托盤接觸，也就減少了鞘層厚度變化對磁體邊緣厚度的影響。另一方面，頂桿與磁體接觸位置處雖仍然有等離子鞘層形成，但由于頂桿之間間隔設置，頂桿與磁體接觸位置處的等離子體鞘層無法形成，因此，磁體與頂桿接觸的那一面涂層幾乎無法沉積，也就減少了頂桿對該區域涂層厚度、微結構以及顏色的影響。
[0023]基于上述原理，涂層主要在磁體3上表面生長，而磁體3下表面涂層幾乎不生長，磁體3與托盤接觸區域涂層外觀呈現黑灰色現象可被抑制，進而提高了釹鐵硼磁體表面涂層顏色的均勻性，獲得涂層色彩幾乎一致的NdFeB磁體3。
[0024]進一步地，多個所述頂桿2均勻等間距固定在所述底座1上，所述釹鐵硼磁體3放置在任意數量個所述頂桿2的頂端，其中所述釹鐵硼磁體3的底部邊緣不與所述頂桿2接觸，使得所述釹鐵硼磁體3的底部邊緣處于懸空狀態。
[0025]通過將釹鐵硼磁體3放置在頂桿2上，底部邊緣不與頂桿2接觸，可以確保磁體3的底部邊緣處于懸空狀態，可以進一步確認磁體3和頂桿2減少了接觸面積，磁體3底部邊緣懸
空，受等離子體鞘層影響小，利用等離子體鞘層重疊特性，可進一步確認磁體3與托盤接觸區域涂層外觀呈現黑灰色現象被抑制。
[0026]為確保夾具的結構實用性，對夾具的尺寸進一步限制，任意相鄰的所述頂桿2之間的距離大于所述頂桿2的頂端的最大尺寸，頂桿2的頂端可能為錐形或不規則圖形，所以頂端圖形的最大尺寸小于相鄰頂桿2之間的距離即可。每個所述頂桿2的高度和任意相鄰的所述頂桿2之間的間距的比值大于1。
[0027]釹鐵硼磁體的尺寸很小為毫米量級，頂桿之間距離即使大于頂端的尺寸仍然是毫米量級、所以文中用較短形容。頂桿之間的距離較短，頂桿表面的形成的等離子體鞘層互相之間出現重疊區域，使得離子在頂桿之間來回運動，造成頂桿表面的等離子體鞘層無法形成，極大降低了圓柱頂桿等離子體鞘層對離子的吸附能力。
[0028]此外，經過大量實驗，當每個所述頂桿2的高度和任意相鄰的所述頂桿2之間的間距的比值大于1時，磁體與頂桿接觸的那一面，幾乎無涂層沉積。
[0029]通過對頂桿2之間距離、頂桿高度的進一步限制，可以確保利用等離子鞘層重疊特性，減小沉積粒子在磁體3下表面沉積的可能性，基于此原理，涂本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種用于釹鐵硼磁體的臥式真空鍍膜夾具，其特征在于，所述夾具包括底座(1)和多個頂桿(2)，多個所述頂桿(2)均勻等距離固定在所述底座(1)上，釹鐵硼磁體(3)放置在任意數量個所述頂桿(2)的頂端，鍍膜制得涂層；其中，所述釹鐵硼磁體(3)每個面的面積大于每個所述頂桿(2)與所述釹鐵硼磁體(3)接觸的頂端的面積。2.根據權利要求1所述的一種用于釹鐵硼磁體的臥式真空鍍膜夾具，其特征在于，多個所述頂桿(2)均勻等間距固定在所述底座(1)上，所述釹鐵硼磁體(3)放置在任意數量個所述頂桿(2)的頂端，其中所述釹鐵硼磁體(3)的底部邊緣不與所述頂...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李陽，
申請(專利權)人：廣東中科邁格科技有限公司，
類型：新型
國別省市：