本實用新型專利技術提供了一種防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置，涉及半導體制造設備技術領域，所述防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置包括蓋環、晶圓和支撐平臺，蓋環設置在晶圓的上方，晶圓設置在支撐平臺上；蓋環的底側設置有壓頭，晶圓能與壓頭相抵，蓋環與晶圓之間設置有彈性件，彈性件的兩端分別與蓋環和晶圓相抵；本實用新型專利技術通過壓頭能夠有效避免沉積過程中晶圓的金屬層與蓋環全面接觸，通過彈性件能夠對晶圓與蓋環施加推力，在支撐平臺下降時促使二者分離，壓頭和彈性件相互配合能夠有效避免粘片現象的發生，避免晶圓損傷破片，防止機臺宕機，提高設備工作的穩定性，提高產能，同時有效減少機臺后期的保養和維護成本。有效減少機臺后期的保養和維護成本。有效減少機臺后期的保養和維護成本。
【技術實現步驟摘要】
一種防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置
[0001]本技術涉及半導體制造設備
，具體涉及一種防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置。
技術介紹
[0002]現有的半導體氣相沉積設備如圖5所示，其通常包括蓋環、晶圓和支撐平臺，蓋環位于晶圓的上方，晶圓設置在支撐平臺上，使用時支撐平臺升降實現蓋環與晶圓的抵壓和分離。
[0003]現有的半導體氣相沉積設備在半導體制器件制造的過程中，常常使用厚金屬層作為接觸層。晶圓在機臺工藝腔室內使用蓋環保護以后，進行濺鍍金屬層，在此過程中，沉積厚金屬層往往需要較長的時間，以累積金屬厚度，同時晶圓表面的溫度較高，產生的熱能可能使沉積至晶圓邊緣上的金屬與蓋環粘接在一起，在沉積結束后，支撐平臺下降，晶圓無法脫離已經離開的蓋環，粘片現象的發生會導致晶圓破片以及機臺的宕機，不但機臺工作不夠穩定，而且會影響生產進度及產能，同時還存在導致設備機械手臂固件損壞的風險，極大地延長了機臺保養維護時間，增大了維護成本。
技術實現思路
[0004]本技術的目的是提供一種防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置，以解決現有技術中存在的現有半導體氣相沉積設備工作時晶圓與蓋環易發生粘片現象的技術問題；本技術提供的諸多技術方案中的優選技術方案所能產生的諸多技術效果；詳見下文闡述。
[0005]為實現上述目的，本技術提供了以下技術方案：
[0006]本技術提供的一種防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置，包括蓋環、晶圓和支撐平臺，其中：所述蓋環設置在所述晶圓的上方，所述晶圓設置在所述支撐平臺上；所述蓋環的底側設置有壓頭，所述晶圓能與所述壓頭相抵，所述蓋環與所述晶圓之間設置有彈性件，所述彈性件的兩端分別與所述蓋環和所述晶圓相抵。
[0007]優選地，所述蓋環的底面設置有安裝槽，所述彈性件的一端設置在所述安裝槽內。
[0008]優選地，所述防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置還包括壓板，所述彈性件的另一端與所述壓板相連，所述彈性件通過所述壓板與所述晶圓相抵。
[0009]優選地，所述彈性件的數量設置為多個，所有所述彈性件沿所述蓋環周向均勻設置。
[0010]優選地，所述安裝槽設置為與所述蓋環同軸線設置的環形凹槽，所有所述彈性件周向均勻分布在所述環形凹槽內。
[0011]優選地，所述壓板設置為與所述蓋環同軸線設置的環形壓板，所有所述彈性件均與所述環形壓板相連。
[0012]優選地，所述壓頭設置為與所述蓋環同軸線設置的環形壓頭，所述環形凹槽設置
在所述環形壓頭的外側。
[0013]優選地，所述環形壓頭的內側面傾斜設置，所述環形壓頭的內徑由上至下逐增。
[0014]優選地，所述環形壓頭設置在所述蓋環底側靠近內邊緣的位置；所述環形凹槽位于所述晶圓邊緣位置的上方。
[0015]優選地，所述環形凹槽遠離所述環形壓頭的槽壁底部設置有倒角。
[0016]本技術提供的一種防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置至少具有以下有益效果：
[0017]所述防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置包括蓋環、晶圓和支撐平臺，蓋環設置在晶圓上方，晶圓設置在支撐平臺上，蓋環、晶圓及支撐平臺均為半導體氣相沉積設備的必要部件。
[0018]所述蓋環的底側設置有壓頭，所述晶圓能與所述壓頭相抵，所述蓋環與所述晶圓之間設置有彈性件，所述彈性件的兩端分別與所述蓋環和所述晶圓相抵，在使用的過程中，當支撐平臺升至制程位置時，晶圓與壓頭接觸，此時蓋環抵壓在晶圓上側，彈性件發生彈性形變，當支撐平臺下降時，形變的彈性件對蓋環和晶圓施加推力，促使晶圓與壓頭分離。
[0019]本技術通過壓頭能夠有效避免沉積過程中晶圓金屬層與蓋環全面接觸，通過彈性件能夠對蓋環和晶圓施加推力，在支撐平臺下降時促使晶圓與蓋環分離，壓頭和彈性件相互配合，能夠有效避免粘片現象的發生，避免晶圓損傷破片，降低機臺宕機，提高設備的穩定性，從而有效減少機臺后期保養和維護時間及成本，提高產能。
附圖說明
[0020]為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1是本技術蓋環的壓頭與晶圓未接觸時的結構示意圖；
[0022]圖2是本技術的俯視示意圖；
[0023]圖3是本技術蓋環的壓頭與晶圓接觸時的結構示意圖；
[0024]圖4是本技術的A部放大圖；
[0025]圖5是本技術現有技術其蓋環與晶圓的結構示意圖。
[0026]附圖標記
[0027]1、蓋環；11、壓頭；12、安裝槽；13、倒角；2、晶圓；3、支撐平臺；4、彈性件；5、壓板。
具體實施方式
[0028]為使本技術的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將對本技術的技術方案進行詳細的描述。顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所得到的所有其它實施方式，都屬于本技術所保護的范圍。
[0029]實施例1：
[0030]本技術提供了一種防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置，如圖1
?
圖3所示，所
述防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置包括蓋環1、晶圓2和支撐平臺3。
[0031]蓋環1設置在晶圓2的上方，晶圓2設置在支撐平臺3上，支撐平臺3為可升降平臺，其采用現有結構；
[0032]蓋環1的底側設置有壓頭11，晶圓2能與壓頭11相抵，蓋環1與晶圓2之間設置有彈性件4，彈性件4的兩端分別與蓋環1和晶圓2相抵。
[0033]如圖3所示，當支撐平臺3上升至制程位置時，晶圓2與蓋環1底側的壓頭11相接觸，晶圓2被蓋環1抵壓，此時，彈性件4受壓發生壓縮形變。
[0034]如圖1所示，當支撐平臺3下降時，壓縮形變的彈性件4在其自身彈力的作用下恢復至松弛狀態，在此過程中，彈性件4為晶圓2和蓋環1提供推力，促使二者相分離。
[0035]在上述過程中，壓頭11的設置，能夠有效避免沉積過程中，蓋環1與晶圓2上的金屬層全面接觸，彈性件4的設置，在支撐平臺3下降時，通過自身彈力向蓋環1和晶圓2施加推力，促使二者相分離，壓頭11和彈性件4相互配合，能夠有效避免沉積過程中發生粘片現象，從而有效防止晶圓2因粘片而導致破片，保證機臺工作的穩定性，減少宕機，提高產能，同時有效降低機臺的保養和維護時間及成本。
[0036]實施例2
[0037]實施例2建立在實施例1的基礎上：
[0038]參考圖4所示，蓋環1的底面設置有安裝槽12，彈性件4的一端設置在安裝槽12內，安裝槽12用于彈性件4的容置，在保證彈性效果的基礎上，結構緊湊、牢固。
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【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置，其特征在于，包括蓋環、晶圓和支撐平臺，其中：所述蓋環設置在所述晶圓的上方，所述晶圓設置在所述支撐平臺上；所述蓋環的底側設置有壓頭，所述晶圓能與所述壓頭相抵，所述蓋環與所述晶圓之間設置有彈性件，所述彈性件的兩端分別與所述蓋環和所述晶圓相抵。2.根據權利要求1所述的防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置，其特征在于，所述蓋環的底面設置有安裝槽，所述彈性件的一端設置在所述安裝槽內。3.根據權利要求2所述的防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置，其特征在于，所述防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置還包括壓板，所述彈性件的另一端與所述壓板相連，所述彈性件通過所述壓板與所述晶圓相抵。4.根據權利要求3所述的防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置，其特征在于，所述彈性件的數量設置為多個，所有所述彈性件沿所述蓋環周向均勻設置。5.根據權利要求4所述的防止半導體金屬氣相沉積粘片的裝置，其特征在于，所述安...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉康華，燕強，朱焱均，王堯林，趙大國，
申請(專利權)人：乂易半導體科技無錫有限公司，
類型：新型
國別省市：
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