本發明專利技術提供一種用于化合物半導體芯片ISO工藝的治具裝置，其包括芯片托盤、冷卻孔、密封結構、壓合盤，芯片托盤上設置有用于放置芯片的芯片放置槽，冷卻孔設置在芯片放置槽內用于噴出冷卻氣體，密封結構環繞設置于芯片放置槽的周緣，壓合盤上設置有鏤空槽，鏤空槽對應于芯片放置槽，其中，自鏤空槽的周緣向鏤空槽的中心延伸有壓住芯片的壓合爪。借此設置，治具裝置可以滿足化合物半導體芯片于ISO工藝過程中的高絕緣性、耐高溫、耐等離子轟擊、以及高散熱的固定制具要求，并且生產成本低。并且生產成本低。并且生產成本低。
【技術實現步驟摘要】
用于化合物半導體芯片ISO工藝的治具裝置
[0001]本專利技術涉及化合物半導體生產工藝與設備
，特別涉及一種用于芯片Isolation process隔離溝制造工藝(簡稱ISO工藝)的治具裝置。
技術介紹
[0002]化合物半導體生產工藝中，砷化鎵(GaAs)或氮化鎵(GaN)化合物半導體芯片在進行完外延與芯片前道工藝后須進行襯底片減薄與切割工藝，目前的切割法多半是以激光或是金剛石刀具對于晶粒(die)與晶粒之間的間隔區進行切割。激光雖然可以快速且低成本的對芯片進行切割，但是激光切割時的超高溫也會對于芯片上的薄膜與外延層在緊鄰切割區的小范圍內產生微熔融的情況，這種微熔融對于ITO薄膜層影響不大，但是對于P型外延層與N型外延層而言，就有可能因為氣化的金屬蒸氣快速凝結而產生微小區域的短路，或是因為金剛石切割造成的毛刺發生芯片局部區域的P型外延層與N型外延層發生短路，造成電性異常。
[0003]為了改善上述生產工藝缺陷的因素，芯片生產商開發出先在芯片上的晶粒與晶粒間以等離子蝕刻的方式在晶粒的四周蝕刻出到達襯底層的隔離溝，此隔離溝的作法被稱為Isolation process，簡稱ISO工藝。ISO工藝利用高功率等離子先對于要制作隔離溝的區域進行等離子蝕刻直到襯底層，制做完隔離溝后再進行激光切割或用金剛石刀切割(如圖1所示)，隔離溝比激光切割溝寬。以此方法，切割區保持在較寬的隔離溝中，不論是用激光切割法或是金剛石刀片切割法，都不會切到或傷到薄膜層或是外延層。此方法因為要利用高功率等離子作為蝕刻的媒介，因此需放置于一個以高絕緣性、耐高溫以及耐等離子轟擊的材質如二氧化硅(石英)或三氧化二鋁(陶瓷)材質制作的托盤上進行等離子蝕刻。
[0004]然而，高功率等離子轟擊芯片表面時會產生高溫，因此需要有具備良好的散熱能力的托盤對芯片進行散熱，以避免芯片上的光阻劑層因溫度過高發生燒焦而難以去除，因此托盤的材質除了需要具備高絕緣性、耐高溫以及耐等離子轟擊之特性外，尚須要具備良好的熱傳導能力。依此要求，二氧化硅或三氧化二鋁陶瓷等材質的散熱能力都不足以對芯片進行有效的散熱，因此一般芯片生產商都是利用碳化硅材質做為芯片托盤的材質，來進行對于芯片的等離子蝕刻。碳化硅材質制作托盤因為材質硬度高，加工難度高，并且因為材質脆而易碎，因此托盤的制作成本很高。
技術實現思路
[0005]本專利技術提供的一種用于化合物半導體芯片ISO工藝的治具裝置，包括芯片托盤、多個冷卻孔、密封結構、壓合盤。
[0006]芯片托盤上設置有用于放置芯片的芯片放置槽，多個冷卻孔設置在芯片放置槽內用于噴出冷卻氣體，密封結構環繞設置于芯片放置槽的周緣，壓合盤上設置有鏤空槽，鏤空槽對應于芯片放置槽，其中，自鏤空槽的周緣向鏤空槽的中心延伸有壓住芯片的壓合爪。
[0007]在一些實施例中，所述芯片托盤的尺寸與所述壓合盤的尺寸相匹配。
[0008]在一些實施例中，所述芯片托盤是由金屬材料制成。金屬材料可以為鋁金屬。
[0009]在一些實施例中，所述壓合盤是由二氧化硅或三氧化二鋁材料制成。
[0010]在一些實施例中，所述壓合爪的數量是多個，所述多個壓合爪是沿著所述鏤空槽的圓周方向均勻分布。
[0011]在一些實施例中，所述壓合盤上具有多個貫穿孔，所述芯片托盤上具有多個螺絲孔，所述多個貫穿孔與所述多個螺絲孔一一對應，通過螺絲穿過所述貫穿孔和所述螺絲孔將所述壓合盤與所述芯片托盤固定連接。
[0012]基于上述，本專利技術一實施例提供的一種用于化合物半導體芯片ISO工藝的治具裝置，通過芯片托盤、冷卻孔、密封結構、壓合盤以及壓合爪的搭配設置，治具裝置可以滿足化合物半導體芯片于ISO工藝過程中的高絕緣性、耐高溫、耐等離子轟擊、以及高散熱的固定制具要求，并且生產成本低。
[0013]本專利技術的其它特征和有益效果將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。本專利技術的目的和其他有益效果可通過在說明書等內容中所特別指出的結構來實現和獲得。
附圖說明
[0014]為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖；在下面描述中附圖所述的位置關系，若無特別指明，皆是圖示中組件繪示的方向為基準。
[0015]圖1是現有的ISO工藝生產之芯片的結構示意圖；
[0016]圖2是本專利技術一實施例提供的治具裝置與芯片組合后的結構示意圖；
[0017]圖3是本專利技術芯片托盤的結構示意圖；
[0018]圖4是本專利技術芯片托盤的局部放大示意圖；
[0019]圖5是本專利技術壓合盤的結構示意圖；
[0020]圖6是本專利技術壓合盤的局部放大示意圖。
[0021]附圖標記：
[0022]10
?
芯片托盤；11
?
芯片放置槽；12
?
密封結構；13
?
冷卻孔；14
?
螺絲孔；20
?
壓合盤；21
?
鏤空槽；22
?
壓合爪；23
?
貫穿孔。
具體實施方式
[0023]為使本專利技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例；下面所描述的本專利技術不同實施方式中所設計的技術特征只要彼此之間未構成沖突就可以相互結合；基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。
[0024]在本專利技術的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“橫向”、“上”、“下”、“左”、“右”、
“
垂直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本專利技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或組件必須具有特定的方位、或以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本專利技術的限制。此外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本專利技術的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。另外，術語“包括”及其任何變形，皆為“至少包含”的意思。
[0025]在本專利技術的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸的連接，或一體成型的連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個組件內部的本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種用于化合物半導體芯片ISO工藝的治具裝置，其特征在于：所述治具裝置包括：芯片托盤，所述芯片托盤上設置有芯片放置槽，所述芯片放置槽用于放置芯片；多個冷卻孔，設置在所述芯片放置槽內，用于噴出冷卻氣體；密封結構，環繞設置于所述芯片放置槽的周緣；壓合盤，所述壓合盤上設置有鏤空槽，所述鏤空槽對應于所述芯片放置槽；其中，自所述鏤空槽的周緣向所述鏤空槽的中心延伸有壓合爪，所述壓合爪用于壓住所述芯片。2.根據權利要求1所述的用于化合物半導體芯片ISO工藝的治具裝置，其特征在于：所述芯片托盤的尺寸與所述壓合盤的尺寸相匹配。3.根據權利要求1所述的用于化合物半導體芯片ISO工藝的治具裝置，其特征在于：所述芯片托盤是由金屬材料制成。4.根據權利要...
【專利技術屬性】
技術研發人員：賀照綱，
申請(專利權)人：鋐源光電科技廈門有限公司，
類型：發明
國別省市：
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