晶圓平整度的監控方法技術

本發明專利技術提供了一種晶圓平整度的監控方法，包括：提取晶圓在光刻工藝中產生的第一數據文件和第二數據文件，第一數據文件包括所有晶圓的所有晶圓層的外觀掃描數據以及光刻設備的參數數據，第二數據文件包括光刻條件、晶圓信息和晶圓上的芯片坐標；將LOT相同的第一數據文件和第二數據文件進行整合，以得到該LOT的整合文件；從整合文件中查詢每個晶圓層的外觀掃描數據；根據外觀掃描數據計算每個晶圓層上的多個點的高度差，以得到每個晶圓層的平整度數據。當某一LOT的平整度數據不達標時，本發明專利技術能分析出平整度不達標的具體晶圓層，從而對不達標的原因進行分析。達標的原因進行分析。達標的原因進行分析。

【技術實現步驟摘要】
晶圓平整度的監控方法


[0001]本專利技術涉及半導體
，尤其是涉及一種晶圓平整度的監控方法。

技術介紹

[0002]光刻工藝對于WAFER平整度要求比較敏感，如果有單點較高或者較低的晶圓對于進行平整度調試的時候會存在問題，導致部分區域的平整度發生異常，在曝光的時候就會存在使用錯誤的平整度進行曝光，對于良率上會存在低良的問題。聚焦問題往往按照平整度不達標的來源可以分為2大類：光刻設備的污染導致或者非光刻設備的污染導致，因為其他Module設備Focus不夠敏感，無法抓住這樣的問題，所以這樣的問題一般會在光刻設備進行的時候多發。
[0003]每個晶圓分為多層晶圓層（layer），進行光刻工藝中，會計算每個晶圓層（layer）的平整度數據，如果平整度數據超出規格，則認為這個晶圓為不良，如果某一LOT中的某晶圓層（layer）的平整度數據超出規格的數量達到了設定值，則認為該LOT不良。隨著產品的CD越來越小，對于設備機臺Focus的要求也越來越高，設備對于Wafer表面平整度的要求也越來越嚴格，對于這樣的重要參數，設備和工藝會對這樣的問題進行參數設置，來把控問題發生的情況。
[0004]現有技術中，直接通過光刻設備的參數數據和晶圓測試后的數據來分析晶圓的平整度不達標的原因。然而，現有技術的分析方法，分析工具只能確認某一LOT的該晶圓層的參考數據，存在分析方面的不足，即，對于問題分析及數據判斷無法方便的得到直觀和清晰的數據。并且，不能進行橫向（同一晶圓層在不同機臺或不同LOT中的數據）或縱向(同一LOT的不同晶圓層的數據)的比較。在得知某一LOT的平整度數據不達標時，也不方便查詢到平整度數據不達標的具體晶圓，更不能方便地查詢到晶圓上平整度數據不達標的具體晶圓層。

技術實現思路

[0005]本專利技術的目的在于提供一種晶圓平整度的監控方法，可以對同一晶圓層在不同機臺或不同LOT中的數據進行分析，也可以對同一LOT的不同晶圓層的數據進行分析。
[0006]為了達到上述目的，本專利技術提供了一種晶圓平整度的監控方法，包括：提取晶圓在光刻工藝中產生的第一數據文件和第二數據文件，所述第一數據文件包括所有晶圓的所有晶圓層的外觀掃描數據以及光刻設備的參數數據，所述第二數據文件包括光刻條件、晶圓信息和晶圓上的芯片坐標；將LOT相同的所述第一數據文件和所述第二數據文件進行整合，以得到該LOT的整合文件；從所述整合文件中查詢每個所述晶圓層的外觀掃描數據；根據所述外觀掃描數據計算每個所述晶圓層上的多個點的高度差，以得到每個所述晶圓層的平整度數據。
[0007]可選的，在所述的晶圓平整度的監控方法中，根據所述外觀掃描數據計算每個所述晶圓層上的多個點的高度差，以得到每個所述晶圓層的平整度數據之后，還包括：將晶圓層的平整度數據以MAP圖的形式顯示。
[0008]可選的，在所述的晶圓平整度的監控方法中，通過JAVA編程的方法將晶圓層的平整度數據以MAP圖的形式顯示。
[0009]可選的，在所述的晶圓平整度的監控方法中，所述LOT、所述第一數據文件和所述第二數據文件均為多個，將LOT相同的所述第一數據文件和所述第二數據文件進行整合，以得到多個整合文件。
[0010]可選的，在所述的晶圓平整度的監控方法中，一個所述LOT包括多pcs晶圓。
[0011]可選的，在所述的晶圓平整度的監控方法中，所述晶圓包括多層晶圓層。
[0012]可選的，在所述的晶圓平整度的監控方法中，所述晶圓包括ACT層、P1層、TV層、TM層、SAB層、CT層、M1層、NP層和PAS層。
[0013]可選的，在所述的晶圓平整度的監控方法中，若某一晶圓層的平整度數據超出第一設定值的范圍，則認為該晶圓層的平整度不達標。
[0014]可選的，在所述的晶圓平整度的監控方法中，若某一LOT的平整度數據超出第二設定值的范圍，則認為該LOT的平整度不達標。
[0015]可選的，在所述的晶圓平整度的監控方法中，當某一LOT的平整度不達標時，從所述LOT對應的整合文件中查詢到平整度不達標的晶圓層。
[0016]在本專利技術提供的晶圓平整度的監控方法中，包括：提取晶圓在光刻工藝中產生的第一數據文件和第二數據文件，所述第一數據文件包括所有晶圓的所有晶圓層的外觀掃描數據以及光刻設備的參數數據，所述第二數據文件包括光刻條件、晶圓信息和晶圓上的芯片坐標；將LOT相同的所述第一數據文件和所述第二數據文件進行整合，以得到該LOT的整合文件；從所述整合文件中查詢每個所述晶圓層的外觀掃描數據；根據所述外觀掃描數據計算每個所述晶圓層上的多個點的高度差，以得到每個所述晶圓層的平整度數據。形成了整合文件，對同一晶圓層在不同機臺或不同LOT中的數據進行分析提供了條件，同時，也對同一LOT的不同晶圓層的數據進行分析提供了條件。進一步的，當某一LOT的平整度數據不達標時，能分析出平整度不達標的具體晶圓層，從而對不達標的原因進行分析。
附圖說明
[0017]圖1是本專利技術實施例的晶圓平整度的監控方法的流程圖。
具體實施方式
[0018]下面將結合示意圖對本專利技術的具體實施方式進行更詳細的描述。根據下列描述，本專利技術的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本專利技術實施例的目的。
[0019]在下文中，術語“第一”“第二”等用于在類似要素之間進行區分，且未必是用于描述特定次序或時間順序。要理解，在適當情況下，如此使用的這些術語可替換。類似的，如果本文所述的方法包括一系列步驟，且本文所呈現的這些步驟的順序并非必須是可執行這些步驟的唯一順序，且一些所述的步驟可被省略和/或一些本文未描述的其他步驟可被添加
到該方法。
[0020]請參照圖1，本專利技術提供了一種晶圓平整度的監控方法，包括：S11：提取晶圓在光刻工藝中產生的第一數據文件和第二數據文件，第一數據文件包括所有晶圓的所有晶圓層的外觀掃描數據以及光刻設備的參數數據，第二數據文件包括光刻條件、晶圓信息和晶圓上的芯片坐標；S12：將LOT相同的第一數據文件和第二數據文件進行整合，以得到該LOT的整合文件；S13：從整合文件中查詢每個晶圓層的外觀掃描數據；S14：根據外觀掃描數據計算每個晶圓層上的多個點的高度差，以得到每個晶圓層的平整度數據。
[0021]進一步的，根據外觀掃描數據計算每個晶圓層上的多個點的高度差，以得到每個晶圓層的平整度數據之后，還包括：將晶圓層的平整度數據以MAP圖的形式顯示。具體的，可以通過JAVA編程的方法將晶圓層的平整度數據以MAP圖的形式顯示，在本專利技術的其他實施例中，也可以通過其他編程語言將晶圓層的平整度數據以MAP圖的形式顯示。外觀掃描數據可能包括位于X方向、Y方向和Z方向（X方向、Y方向和Z方向相互垂直）的尺寸，當然還可以包括其他數據，例如角度等等。本專利技術實施例可以從這些外觀掃描數據中提取出高度，將晶圓層（layer）的表面分為多個點，可以是均勻地分成多個點，就可以提取出每本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種晶圓平整度的監控方法，其特征在于，包括：提取晶圓在光刻工藝中產生的第一數據文件和第二數據文件，所述第一數據文件包括所有晶圓的所有晶圓層的外觀掃描數據以及光刻設備的參數數據，所述第二數據文件包括光刻條件、晶圓信息和晶圓上的芯片坐標；將LOT相同的所述第一數據文件和所述第二數據文件進行整合，以得到該LOT的整合文件；從所述整合文件中查詢每個所述晶圓層的外觀掃描數據；根據所述外觀掃描數據計算每個所述晶圓層上的多個點的高度差，以得到每個所述晶圓層的平整度數據。2.如權利要求1所述的晶圓平整度的監控方法，其特征在于，根據所述外觀掃描數據計算每個所述晶圓層上的多個點的高度差，以得到每個所述晶圓層的平整度數據之后，還包括：將晶圓層的平整度數據以MAP圖的形式顯示。3.如權利要求2所述的晶圓平整度的監控方法，其特征在于，通過JAVA編程的方法將晶圓層的平整度數據以MAP圖的形式顯示。4.如權利要求1所述的晶圓平整度的監控方法，其特征在于，所述LOT、所...

【專利技術屬性】
技術研發人員：楊曉彤，
申請(專利權)人：廣州粵芯半導體技術有限公司，
類型：發明
國別省市：