本發(fā)明專利技術(shù)提供一種具有振膜偏轉(zhuǎn)角度閾值檢測結(jié)構(gòu)的微鏡及其加工工藝，所述微鏡包括：第一基板，用于安裝微鏡結(jié)構(gòu)；第二基板，鍵合于所述第一基板上，且所述第二基板位于所述第一基板的一側(cè)；形成差分電容的檢測柱結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第二基板的內(nèi)部，所述檢測柱結(jié)構(gòu)通過在所述第二基板上刻蝕形成；以及電極片，設(shè)置于所述檢測柱結(jié)構(gòu)上，且所述電極片位于所述檢測柱結(jié)構(gòu)與所述微鏡結(jié)構(gòu)之間。本發(fā)明專利技術(shù)提供能一種具有振膜偏轉(zhuǎn)角度閾值檢測結(jié)構(gòu)的微鏡及其加工工藝，該微鏡提供了一個(gè)更為穩(wěn)定的閾值電容，可以完全差分的檢測輸出，精確檢測微鏡的偏轉(zhuǎn)角度閾值θ，有利于控制精度的提高。有利于控制精度的提高。有利于控制精度的提高。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
具有振膜偏轉(zhuǎn)角度閾值檢測結(jié)構(gòu)的微鏡及其加工工藝
[0001]本專利技術(shù)涉及微鏡檢測
，尤其涉及一種具有振膜偏轉(zhuǎn)角度閾值檢測結(jié)構(gòu)的微鏡及其加工工藝。
技術(shù)介紹
[0002]微鏡是一類可以有效實(shí)現(xiàn)光路調(diào)控的微納芯片，廣泛應(yīng)用于投影、成像、激光導(dǎo)航等領(lǐng)域。目前應(yīng)用最多的微鏡包括靜電式、電磁式、壓電式以及電熱式等幾種。目前應(yīng)用的微鏡中一大部分采用無角度反饋的開環(huán)控制方式，該種微鏡存在的一個(gè)嚴(yán)重不足是缺乏有效的角度反饋，造成微鏡控制不精確的問題，從而導(dǎo)致投影和成像漂移、導(dǎo)航偏差等問題。
[0003]目前檢測微鏡的裝置無法實(shí)現(xiàn)完全差分的檢測輸出，無法精確提供微鏡的偏轉(zhuǎn)角度閾值，導(dǎo)致檢測信號信噪比低，靈敏度低，不利于控制精度的提高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0004]本專利技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的以上問題，提供一種具有振膜偏轉(zhuǎn)角度閾值檢測結(jié)構(gòu)的微鏡及其加工工藝，該微鏡的可以完全差分的檢測輸出，精確檢測微鏡的振膜偏轉(zhuǎn)的角度閾值，有利于控制精度的提高。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，達(dá)到上述技術(shù)效果，本專利技術(shù)通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：
[0006]本專利技術(shù)提供一種具有振膜偏轉(zhuǎn)角度閾值檢測結(jié)構(gòu)的微鏡，所述微鏡包括：
[0007]第一基板，用于安裝微鏡結(jié)構(gòu)；
[0008]第二基板，鍵合于所述第一基板上，且所述第二基板位于所述第一基板的一側(cè)；
[0009]形成差分電容的檢測柱結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第二基板的內(nèi)部，所述檢測柱結(jié)構(gòu)通過在所述第二基板上刻蝕形成；以及
[0010]電極片，設(shè)置于所述檢測柱結(jié)構(gòu)上，且所述電極片位于所述檢測柱結(jié)構(gòu)與所述微鏡結(jié)構(gòu)之間。
[0011]在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一基板包括：
[0012]板體；
[0013]第一絕緣層，設(shè)置于所述板體上；
[0014]第一金屬層，設(shè)置于所述第一絕緣層上，用于與所述檢測柱結(jié)構(gòu)電性導(dǎo)通以及鍵合所述微鏡結(jié)構(gòu)；以及
[0015]第二絕緣層，設(shè)置于所述第一金屬層上。
[0016]在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一基板還包括第二金屬層，所述第二金屬層位于所述第二絕緣層上，用于鍵合所述第二基板。
[0017]在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，所述檢測柱結(jié)構(gòu)包括N個(gè)檢測柱環(huán)組，且所述N 個(gè)檢測柱環(huán)組的中心點(diǎn)重合。
[0018]在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，所述檢測柱環(huán)組包括M個(gè)檢測柱，且所述M個(gè)檢測柱之間呈中心對稱。
[0019]在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，所述檢測柱環(huán)組還包括介電層，所述介電層位于所述檢測柱的一端，且所述介電層位于所述檢測柱與所述電極片之間。
[0020]在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，所述微鏡還包括微鏡結(jié)構(gòu)，所述微鏡結(jié)構(gòu)安裝于所述第一基板上，且所述微鏡結(jié)構(gòu)嵌合于所述第二基板上。
[0021]本專利技術(shù)還提供一種微鏡的加工工藝，所述加工工藝包括：
[0022]生產(chǎn)所述第一基板；
[0023]將所述第二基板鍵合于所述第一基板上；
[0024]在所述第一基板上刻蝕所述檢測柱結(jié)構(gòu)；以及
[0025]將所述微鏡結(jié)構(gòu)鍵合于所述第一基板上，得到所述微鏡。
[0026]在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一基板的生產(chǎn)工藝包括：
[0027]取一塊板體；
[0028]在所述板體上生長第一絕緣層；
[0029]在所述第一絕緣層上生長第一金屬層，并且刻蝕所述第一金屬層；
[0030]在所述第一金屬層上生長第二絕緣層，并且刻蝕所述第二絕緣層使所述第一金屬層裸露于空氣中；以及
[0031]在所述第二絕緣層上生長第二金屬層，并且刻蝕所述第二金屬層，所述第二金屬層用于鍵合所述第二基板。
[0032]綜上所述，本專利技術(shù)提供能一種具有振膜偏轉(zhuǎn)角度閾值檢測結(jié)構(gòu)的微鏡及其加工工藝，該微鏡通過將每個(gè)檢測柱環(huán)組中檢測柱的介電常數(shù)或者檢測柱的橫向截面積或者檢測柱的高度設(shè)置成不同，根據(jù)電容公式C＝εSd，可以找到在某一個(gè)點(diǎn)，每個(gè)檢測柱環(huán)組與微鏡之間的電容均相等，得到電容閾值，從而可以確定微鏡的偏轉(zhuǎn)角度閾值θ，由于通過將每個(gè)檢測柱環(huán)組中檢測柱的介電常數(shù)或者檢測柱的橫向截面積或者檢測柱的高度設(shè)置成不同，形成差分，故提供了一個(gè)更為穩(wěn)定的電容閾值，比測量絕對電容更為穩(wěn)定，可以完全差分的檢測輸出，精確檢測微鏡的偏轉(zhuǎn)角度閾值θ，有利于控制精度的提高，微鏡結(jié)構(gòu)與第一基板之間通過晶圓級鍵合，一致性高。
附圖說明
[0033]此處所說明的附圖用來提供對本專利技術(shù)的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本專利技術(shù)的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本專利技術(shù)，并不構(gòu)成對本專利技術(shù)的不當(dāng)限定。在附圖中：
[0034]圖1是本專利技術(shù)的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖2是本專利技術(shù)一個(gè)實(shí)施例的微鏡的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖3是本專利技術(shù)一個(gè)實(shí)施例的第二基板與檢測柱結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖4是本專利技術(shù)一個(gè)實(shí)施例的第二基板與檢測柱結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖5是本專利技術(shù)一個(gè)實(shí)施例的第二基板與檢測柱結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖6是本專利技術(shù)一個(gè)實(shí)施例的第二基板與檢測柱結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖7是本專利技術(shù)一個(gè)實(shí)施例的第二基板與檢測柱結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖8是本專利技術(shù)一個(gè)實(shí)施例的第二基板與檢測柱結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖9是本專利技術(shù)一個(gè)實(shí)施例的第二基板與檢測柱結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖10是本專利技術(shù)檢測柱高度不同時(shí)鏡片偏轉(zhuǎn)狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖11是本專利技術(shù)檢測柱高度不同時(shí)鏡片偏轉(zhuǎn)狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖12是本專利技術(shù)檢測柱橫向截面積不同時(shí)鏡片偏轉(zhuǎn)狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖13是本專利技術(shù)檢測柱橫向截面積不同時(shí)鏡片偏轉(zhuǎn)狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖14是本專利技術(shù)檢測柱的介電常數(shù)不同時(shí)鏡片偏轉(zhuǎn)狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖15是本專利技術(shù)檢測柱的介電常數(shù)不同時(shí)鏡片偏轉(zhuǎn)狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049]圖16是本專利技術(shù)圖2的俯視圖。
[0050]圖17是本專利技術(shù)第一基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖18
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a至圖18
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h是本專利技術(shù)微鏡的加工工藝圖。
[0052]圖中標(biāo)號說明：1
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本體、2
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外框架、3
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懸臂梁、4
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鏡片、5
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第二基板、6
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電極片、7
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檢測柱、8
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介電層、9
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檢測柱結(jié)構(gòu)、10
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微鏡結(jié)構(gòu)、11
?
第一絕緣層、 12
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第一金屬層、13、第二絕緣層、14、第二金屬層。
具體實(shí)施方式
[0053]下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例，來詳細(xì)說明本專利技術(shù)。
[0054]請參閱圖1，本專利技術(shù)提供一種微鏡，該微鏡包本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種具有振膜偏轉(zhuǎn)角度閾值檢測結(jié)構(gòu)的微鏡，其特征在于,所述微鏡包括：第一基板，用于安裝微鏡結(jié)構(gòu)；第二基板，鍵合于所述第一基板上，且所述第二基板位于所述第一基板的一側(cè)；形成差分電容的檢測柱結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第二基板的內(nèi)部，所述檢測柱結(jié)構(gòu)通過在所述第二基板上刻蝕形成；以及電極片，設(shè)置于所述檢測柱結(jié)構(gòu)上，且所述電極片位于所述檢測柱結(jié)構(gòu)與所述微鏡結(jié)構(gòu)之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微鏡，其特征在于，所述第一基板包括：板體；第一絕緣層，設(shè)置于所述板體上；第一金屬層，設(shè)置于所述第一絕緣層上，用于與所述檢測柱結(jié)構(gòu)電性導(dǎo)通以及鍵合所述微鏡結(jié)構(gòu)；以及第二絕緣層，設(shè)置于所述第一金屬層上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微鏡，其特征在于，所述第一基板還包括第二金屬層，所述第二金屬層位于所述第二絕緣層上，用于鍵合所述第二基板。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微鏡，其特征在于，所述檢測柱結(jié)構(gòu)包括N個(gè)檢測柱環(huán)組，且所述N個(gè)檢測柱環(huán)組的中心點(diǎn)重合。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微鏡，其特征在于，所述檢測柱環(huán)組包括M個(gè)檢測柱，且所述M個(gè)檢測柱之間呈中心對...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：雷禹，陳千禧，
申請(專利權(quán))人：合肥領(lǐng)航微系統(tǒng)集成有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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