一種硅烷類物質的處理系統技術方案

本實用新型專利技術提供了硅烷類物質的處理系統，包括硅烷類物質存儲裝置以及若干連接管路，硅烷類物質存儲裝置用于盛放硅烷類物質，硅烷類物質存儲裝置上設置有進氣口和出氣口，硅烷類物質存儲裝置連接有壓縮空氣裝置；進氣口設置有第一惰性氣體裝置；第一惰性氣體裝置與進氣口連接；出氣口設置有第二惰性氣體裝置和燃燒室，第二惰性氣體裝置和燃燒室分別與所述出氣口連接；第一惰性氣體裝置和所述第二惰性氣體裝置內存儲有惰性氣體。通過采用在惰性氣體保護下，利用惰性氣體產生的壓力將其壓至燃燒室進行焚燒處置，在高溫之下六氯乙硅烷得以徹底分解，達到無害化處置。達到無害化處置。達到無害化處置。

【技術實現步驟摘要】
一種硅烷類物質的處理系統


[0001]本技術涉及半導體
，特別涉及一種硅烷類物質的處理系統。

技術介紹

[0002]硅烷類物質廣泛應用于半導體行業，但是硅烷類物質多數對水敏感，如六氯乙硅烷和三(二甲氨基)硅烷遇水放出易燃氣體的物質或混合物，因此在處理時應避免酸性物質、氧化性物質(氧化劑)、水、水分、以及空氣中的濕氣，傳統的此類物質一般采用水解進行處理，但由于此類物質在常溫下與水接觸會發生水解反應，形成易燃性物質，導致訊在很大的安全風險，中國專利CN 102791360 A(申請日2011.03.09，公開日2012.11.21)提出了一種新的六氯乙硅烷的處理方式，將六氯乙硅烷引入脲和醇的混合物中，實現對于六氯乙硅烷處置。但該方法需要額外加入其他有機化合物，增加了處置成本。

技術實現思路

[0003]有鑒于此，本技術提供一種硅烷類物質的處理系統，用以解決現有技術中采用水解處理工藝產生易燃物質的問題，具體方案為：
[0004]一種硅烷類物質的處理系統，包括硅烷類物質存儲裝置以及若干連接管路，
[0005]所述硅烷類物質存儲裝置用于盛放所述硅烷類物質，所述硅烷類物質存儲裝置上設置有進氣口和出氣口，所述硅烷類物質存儲裝置的進氣口和出氣口處分別設置有氣動閥門，所述氣動閥門通過管路連接有壓縮空氣裝置；
[0006]所述進氣口設置有第一惰性氣體裝置；
[0007]所述第一惰性氣體裝置與進氣口通過管路連接；
[0008]所述出氣口設置有第二惰性氣體裝置和燃燒室，所述第二惰性氣體裝置和燃燒室分別與所述出氣口通過管路連接；
[0009]所述第一惰性氣體裝置和所述第二惰性氣體裝置內存儲有惰性氣體。
[0010]優選的，所述進氣口與第一惰性氣體裝置之間的管路上設置有第一閥門，
[0011]所述出氣口與燃燒室之間的管路上依次間隔設置有第二閥門、第三閥門以及第四閥門；
[0012]所述第二惰性氣體裝置通過輸出管路連接在所述第二閥門和第三閥門之間的管路上，所述第二惰性氣體裝置的輸出管路上設置有第五閥門。
[0013]優選的，所述第一惰性氣體裝置和第二惰性氣體裝置上分別設置有壓力調節閥。
[0014]優選的，所述惰性氣體為N2。
[0015]優選的，所述硅烷類物質包括六氯已硅烷和三(二甲氨基)硅烷中的任意一種。
[0016]與現有技術相比，本申請的有益效果在于：
[0017]本申請通過在硅烷類物質存儲裝置的進氣口和出氣口分別連接有第一惰性氣體裝置和第二惰性氣體裝置，使六氯乙硅烷在惰性氣體(N2)保護下，利用惰性氣體產生的壓力將其壓至燃燒室進行焚燒處置，在高溫之下HCDS得以徹底分解，達到無害化處置。
[0018]下面通過附圖和實施例，對本技術的技術方案做進一步的詳細描述。
附圖說明
[0019]附圖用來提供對本技術的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本技術的實施例一起用于解釋本技術，并不構成對本技術的限制。在附圖中：
[0020]圖1為本技術實施例中一種硅烷類物質的處理系統的結構示意圖，
[0021]其中，1
?
第一閥門，2
?
第五閥門，3
?
第二閥門，4
?
第三閥門，5
?
第四閥門，6
?
壓力調節閥，7
?
第一惰性氣體裝置，8
?
第二惰性氣體裝置，9
?
硅烷類物質存儲裝置，10
?
燃燒室。
具體實施方式
[0022]以下結合附圖對本技術的優選實施例進行說明，應當理解，此處所描述的優選實施例僅用于說明和解釋本技術，并不用于限定本技術。
[0023]根據附圖1所示的一種硅烷類物質的處理系統，包括硅烷類物質存儲裝置9以及若干連接管路，
[0024]所述硅烷類物質存儲裝置9用于盛放所述硅烷類物質，所述硅烷類物質存儲裝置9上設置有進氣口和出氣口，所述硅烷類物質存儲裝置9的進氣口和出氣口處分別設置有氣動閥門，所述氣動閥門通過管路連接有壓縮空氣裝置；
[0025]所述進氣口設置有第一惰性氣體裝置7；
[0026]所述第一惰性氣體裝置7與進氣口通過管路連接；
[0027]所述出氣口設置有第二惰性氣體裝置8和燃燒室10，所述第二惰性氣體裝置8和燃燒室10分別與所述出氣口通過管路連接；
[0028]所述第一惰性氣體裝置7和所述第二惰性氣體裝置8內存儲有惰性氣體。
[0029]進一步的，所述進氣口與第一惰性氣體裝置7之間的管路上設置有第一閥門1，
[0030]所述出氣口與燃燒室10之間的管路上依次間隔設置有第二閥門3、第三閥門4以及第四閥門5；
[0031]所述第二惰性氣體裝置8通過輸出管路連接在所述第二閥門3和第三閥門4之間的管路上，所述第二惰性氣體裝置8的輸出管路上設置有第五閥門2。
[0032]進一步的，所述第一惰性氣體裝置7和第二惰性氣體裝置8上分別設置有壓力調節閥6。
[0033]進一步的，所述惰性氣體為N2。
[0034]進一步的，所述硅烷類物質包括六氯已硅烷和三(二甲氨基)硅烷中的任意一種。
[0035]需要說明的是，本申請主要用于處理遇水易反應的硅烷類物質，在本申請中此類物質是指六氯已硅烷和三(二甲氨基)硅烷；
[0036]本申請中的各裝置之間的連接均通過管路連接，本申請中的所有閥門的安裝均采用常規的安裝方式安裝在各連接管路上；
[0037]本申請中的第一惰性氣體裝置7和第二惰性氣體裝置8均為存放惰性氣體的容器，在本實施例中第一惰性氣體裝置7和第二惰性氣體裝置8均為N2儲罐；
[0038]為具體說明本系統的工作過程，先通過兩個實施例進行具體說明實施例一，
[0039]在本申請中的硅烷類物質存儲裝置是指存放六氯乙硅烷存或三(二甲氨基)硅烷
的容器，在本實施例一中為六氯乙硅烷儲罐。
[0040]本裝置的使用步驟為：
[0041]鑒于HCDS遇水、潮濕空氣可能被點燃，與水發生劇烈反應，遇水產生可燃性氣體等特點，本申請采用在惰性氣體(N2)保護下，利用惰性氣體產生的壓力將其壓至燃燒室進行焚燒處置，在高溫之下HCDS得以徹底分解，達到無害化處置。
[0042]經過燃燒室燃燒產生的煙氣經過脫硝、脫酸、布袋除塵等高標準尾氣處理凈化設施處置，達到GB18484
?
2020《危險廢物焚燒污染控制標準》要求，安全排放；具體處置流程如下：
[0043]第一步，進行HCDS罐處置
[0044](1)接通HCDS進、出口處置管路；
[0045](2)開啟第一惰性氣體裝置7和第二惰性氣體裝置8中的壓力調節閥門6，將第一惰性氣體裝置7的進口壓力調節至0.35MPa，第二惰性氣體裝置8出口壓力調本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種硅烷類物質的處理系統，其特征在于，包括硅烷類物質存儲裝置(9)以及若干連接管路，所述硅烷類物質存儲裝置(9)用于盛放所述硅烷類物質，所述硅烷類物質存儲裝置(9)上設置有進氣口和出氣口，所述硅烷類物質存儲裝置(9)的進氣口和出氣口處分別設置有氣動閥門，所述氣動閥門通過管路連接有壓縮空氣裝置；所述進氣口設置有第一惰性氣體裝置(7)；所述第一惰性氣體裝置(7)與進氣口通過管路連接；所述出氣口設置有第二惰性氣體裝置(8)和燃燒室(10)，所述第二惰性氣體裝置(8)和燃燒室(10)分別與所述出氣口通過管路連接；所述第一惰性氣體裝置(7)和所述第二惰性氣體裝置(8)內存儲有惰性氣體。2.根據權利要求1所述的一種硅烷類物質的處理系統，其特征在于，所述進氣口與第一惰...

【專利技術屬性】
技術研發人員：范增華，趙衛強，唐金月，何禮龍，章建博，呂曉武，訾嚴，
申請(專利權)人：陜西新天地固體廢物綜合處置有限公司，
類型：新型
國別省市：