本發(fā)明專利技術(shù)系提供一種顯示板的制造方法及顯示板，其目的為：在ＥＬ基板的端子部分亦進(jìn)行玻璃熔接，而其特征為：隔以預(yù)定間隔與ＥＬ基板（１０）相對(duì)向配置封裝基板（１２）。對(duì)于封裝基板（１２）作成不透明狀。然后，ＥＬ基板（１０）的端子部（１６）的激光照射區(qū)域，系先以ＩＴＯ等透明導(dǎo)體形成。藉此，透過ＥＬ基板（１０）將激光照射至封裝基板（１２）的周邊區(qū)域，并將該部分予以加熱，可使玻璃隆起而予以熔接。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)系關(guān)于有機(jī)電致發(fā)光(Electro Luminescence，EL)顯示板等顯示板的制造，尤其關(guān)于顯示板的封裝構(gòu)造。
技術(shù)介紹
電漿顯示器(Plasma Display Panel，PDP)、液晶顯示器(Liquid CrystalDisplay，LCD)等業(yè)已普及作為薄型的平面顯示板，而有機(jī)EL板亦已進(jìn)入實(shí)用化。在此有機(jī)EL板中，系利用有機(jī)物質(zhì)于各像素的發(fā)光材料等，而由于此有機(jī)材料含有水分時(shí)會(huì)使其壽命縮短，因此必須盡可能地減少各像素所存在空間的水分。是故，乃使與含有有機(jī)EL組件的顯示像素形成為矩陣狀的EL基板對(duì)應(yīng)，并隔以預(yù)定間隔使封裝基板相對(duì)向，且以樹脂制的封裝材將該等基板的周邊部分密閉封裝，以使水分不致侵入內(nèi)部，同時(shí)又于內(nèi)部空間收容干燥劑，俾去除水分。在此，以封裝材而言，雖系使用環(huán)氧樹脂系的紫外線硬化樹脂等，然而系以能進(jìn)一步提升密閉性者為佳。在此，EL基板、封裝基板通常系使用玻璃基板，而對(duì)于玻璃彼此間的接合則有采用將玻璃加熱熔融而予以接合(玻璃熔接)的方法。如利用此玻璃熔接以進(jìn)行封裝，則與利用樹脂封裝材進(jìn)行的封裝相比，更能實(shí)施高氣密性的封裝。尤其是，如采用使用激光的玻璃的熔接，則可較為容易地接合玻璃基板的周邊部。另外，關(guān)于利用激光的玻璃的接合，系揭示于專利文獻(xiàn)1等。日本專利特開2003-170290在此，于EL基板的周邊部分系存在有用以接收來自外部的視訊信號(hào)等的端子部分。此端子部分必須露出于外部俾與外部連接。因此，端子或配線在EL基板必須橫越過封裝部分。再者，通常此端子或配線系為鋁等的金屬，具有激光不穿透，而無法順利進(jìn)行該部分的玻璃熔接的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)系一種顯示板的制造方法，系將具有使激光穿透的材料所形成且顯示像素形成為矩陣狀的顯示區(qū)域與用以包圍該顯示區(qū)域的周邊區(qū)域的像素基板、以及封裝基板的接合界面，藉由照射激光而予以熔接封裝者，其特征為存在于前述像素基板的前述周邊區(qū)域的作為使激光穿透的部分的配線，系由透明導(dǎo)體所形成。此外，本專利技術(shù)系一種顯示板，包括具有使激光穿透的材料所形成且顯示像素形成為矩陣狀的顯示區(qū)域與用以包圍該顯示區(qū)域的周邊區(qū)域的像素基板；以及與前述像素基板的接合界面藉由照射激光而熔接封裝的封裝基板，其特征為存在于前述像素基板的前述周邊區(qū)域的作為使激光穿透的部分的配線，系由透明導(dǎo)體所形成。此外，前述透明導(dǎo)體系以ITO(Indium-Tin Oxide銦錫氧化物)或IZO(Indium-Zine-Oxide銦鋅氧化物)為佳。此外，以在前述接合界面形成有用以吸收激光的吸收體為佳。此外，前述吸收體系以藉由真空蒸鍍、濺鍍或化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)的成膜、有色涂料的涂布、或是藉由離子植入的著色的任一者而對(duì)前述像素基板或封裝基板形成者為佳。此外，使前述激光穿透的材料系以玻璃為佳。依據(jù)本專利技術(shù)，系以藉由照射激光的熔接方式接合像素基板與封裝基板。因此，可以較小的面積進(jìn)行確實(shí)的封裝，同時(shí)可獲得增大實(shí)際可進(jìn)行顯示的顯示區(qū)域，并縮小顯示器的尺寸。此外，由于藉由熔接方式，因此可確實(shí)防止水分的侵入，又可減少或消除封入于內(nèi)部的干燥劑的量。而且，藉由透明導(dǎo)體以形成像素基板的通過激光的配線部分，而可使激光穿透該部分。附圖說明第1圖系顯示EL基板與封裝基板周邊部的構(gòu)成圖。第2圖系顯示激光照射圖。第3圖系顯示封裝部的配置圖。第4圖系顯示底部發(fā)光(bottom emission)型的一像素分的構(gòu)成圖。第5圖系顯示不透明區(qū)域的配置圖。第6圖系顯示頂部發(fā)光(top emission)型的一像素分的構(gòu)成圖。第7圖系顯示電路構(gòu)成圖。第8圖系顯示激光穿透部分的構(gòu)成圖。主要組件符號(hào)說明1 選擇TFT 2 驅(qū)動(dòng)TFT3 保持電容 4 有機(jī)EL組件10EL基板11 緩沖層12封裝基板 13 柵極絕緣膜14不透明區(qū)域15 層間絕緣膜16端子部17 平坦化膜18封裝部20 黑色矩陣22主動(dòng)層22c信道區(qū)域22d 漏極區(qū)域 22s源極區(qū)域24柵極 26 漏極30玻璃基板 40 水平驅(qū)動(dòng)器42垂直驅(qū)動(dòng)器53 源極61透明電極 62 電洞傳輸層63有機(jī)發(fā)光層64 電子傳輸層65有機(jī)層66 對(duì)向電極67平坦化膜 69 反射膜DL數(shù)據(jù)線GL 柵極線PL電源線具體實(shí)施方式以下，根據(jù)圖式說明本專利技術(shù)的實(shí)施形態(tài)。第1圖及第2圖系顯示基板接合的實(shí)施形態(tài)。該實(shí)施形態(tài)系將作為形成像素的像素基板的EL基板10、與用以封裝EL基板10的上面的封裝基板12予以對(duì)向配置。再者，封裝基板12系由不透明的玻璃等用以吸收激光的吸收體所構(gòu)成。在此，不需將整體的封裝基板12均作成不透明，只要使要熔接的部分發(fā)揮吸收體的作用即可。例如，封裝基板12系藉由離子植入或離子交換法而摻雜金屬的方式形成不透明，而不透明基板12即發(fā)揮吸收體作用。在此，離子交換法系將經(jīng)圖案化的阻劑(Resist)形成于封裝基板12，并浸漬于含有預(yù)定的金屬的溶液以對(duì)于封裝基板12內(nèi)的離子(例如鈉)進(jìn)行離子交換，并以將金屬擴(kuò)散于封裝基板12中俾將封裝基板12作成吸收體的方式來進(jìn)行。另外，在任一方法中雖均可將封裝基板12的全區(qū)域厚度方向形成為不透明，然而亦可僅將封裝基板12的表面部分，從表面到預(yù)定的深度形成為不透明。此外，亦可于封裝基板12內(nèi)上方形成吸收體。例如，亦可藉由真空蒸鍍、CVD(化學(xué)氣相沉積法)、濺鍍而疊層金屬等不透明物質(zhì)，或涂布有色涂料而形成吸收體于封裝基板12。再者，由于吸收體只要存在于邊界面即可，因此在沒有問題時(shí)亦可形成于像素基板側(cè)。另外，在本實(shí)施形態(tài)中，作為吸收體之用的金屬雖系采用銅，然而如能作成不透明則亦可采用銀、鐵等其它金屬。封裝基板12的透光率系以例如550nm的光10％以下為佳。穿透率較高時(shí)則需要高輸出的激光。此外，上述情形亦適用于金屬以外的吸收體。再者，將EL基板10與封裝基板12隔以6至10μm的間隔固定，并以隔以8μm左右的間隔固定為較佳。在此狀態(tài)下，從EL基板10側(cè)照射激光。此激光如為YAG激光(1061nm)則采用10至50W左右。藉此，在封裝基板12的激光照射區(qū)域中，光即被吸收，且此部份即加熱熔融。在此，此激光照射區(qū)域系以加熱至600至700℃左右為理想，藉此可使封裝基板12的激光照射區(qū)域熔融而使該部份隆起。而且，該隆起部分的前端系與EL基板10接觸而熔接。另外，激光系采用普通的光點(diǎn)狀者，藉由掃描此光點(diǎn)，而可藉由熔接方式將EL基板10與封裝基板12在其周邊部予以封裝。在此，EL基板10的大部分系成為顯示像素配置成矩陣狀的顯示區(qū)域，而周邊部分配置有驅(qū)動(dòng)器等。再者，由于影像信號(hào)及電源等系由外部供給，因此具有與外部連接用的端子部16。此端子部16系由用以與外部連接的多個(gè)焊墊部分構(gòu)成，而在此焊墊部分系連接有用以與內(nèi)側(cè)電路進(jìn)行電性連接的多個(gè)配線部。再者，在此端子部16的焊墊及連接于該處的配線部分，通常雖系由鋁等金屬所形成，然而以在此端子部16的使激光穿透的部分而言，則系由透明導(dǎo)體的ITO所形成。因此，如第2圖所示，激光在端子部16亦將穿透EL基板10而照射至封裝基板12，且使此激光照射區(qū)域加熱，封裝部18即隆起，而使兩基板10、12藉由玻璃熔接而封裝。如此一來，藉由使用激光的玻璃熔接，即可本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種顯示板的制造方法，系將具有使激光穿透的材料所形成且顯示像素形成為矩陣狀的顯示區(qū)域與用以包圍該顯示區(qū)域的周邊區(qū)域的像素基板、以及封裝基板的接合界面，藉由照射激光而予以熔接封裝者，其特征為：存在于前述像素基板的前述周邊區(qū)域的作為使激光穿透的部分的配線，系由透明導(dǎo)體所形成。
【技術(shù)特征摘要】
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：西川龍司，小村哲司，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：三洋電機(jī)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國別省市：JP[日本]
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