一種預防電壓不穩的啟動電路制造技術

本實用新型專利技術公開一種預防電壓不穩的啟動電路。包括MOS管，MOS管的柵極通過依次串聯的第一電阻和第二電阻接地，且通過第一電阻接入單片機控制信號，MOS管的漏極連接負載并通過第一電容連接于第一電阻和第二電阻之間，MOS管的源極接入工作電源并通過第二電容接地，第二電容為電解電容。本實用新型專利技術在MOS管導通，所加載的負載較大，在MOS管導通瞬間，工作電源瞬間需要增加較大電流，此時前期已經充電完成的第二電容充當電池作用，補充工作電源電流，從而保障工作電源不會因MOS管的導通瞬間增加大電流而使工作電源的電荷供應不足，使得電壓不穩。穩。穩。

【技術實現步驟摘要】
一種預防電壓不穩的啟動電路


[0001]本技術涉及電子電路
，尤其是一種預防電壓不穩的啟動電路。

技術介紹

[0002]眾所周知，光設備終端也光網絡終端，泛指光貓，是通過光纖介質進行傳輸，將光信號調制解調為其他協議信號的網絡設備。光設備也是作為大型局域網、城域網和廣域網的中繼傳輸設備。
[0003]但是，光設備終端在啟動過程中，系統加載光口時，打開光口電源，此時系統電流瞬間加大，便會導致系統電壓被拉低，觸發重啟。這種所產生的瞬態電流波動，便會引起系統電壓不穩，導致設備重啟風險，甚至有可能無限重啟，這樣便會造成網絡的反復斷網等現象。

技術實現思路

[0004]針對上述現有技術中存在的不足，本技術的目的在于提供一種預防電壓不穩的啟動電路。
[0005]為了實現上述目的，本技術采用如下技術方案：
[0006]一種預防電壓不穩的啟動電路，包括MOS管，所述MOS管的柵極通過依次串聯的第一電阻和第二電阻接地，且通過所述第一電阻接入單片機控制信號，所述MOS管的漏極連接負載并通過第一電容連接于第一電阻和第二電阻之間，所述MOS管的源極接入工作電源并通過第二電容接地，所述第二電容為電解電容。
[0007]優選地，所述MOS管的漏極和源極處并聯有一個磁珠。
[0008]優選地，所述MOS管的型號為ZXMP3A13F。
[0009]由于采用了上述方案，本技術以MOS管作為開關，磁珠預留調試位置，第一電容吸留電容，防止殘留電壓導致信號負載依然在工作，第二電容為電解電容作為續流電容。在MOS管導通，所加載的負載較大，在MOS管導通瞬間，工作電源瞬間需要增加較大電流，此時前期已經充電完成的第二電容充當電池作用，補充工作電源電流，從而保障工作電源不會因MOS管的導通瞬間增加大電流而使工作電源的電荷供應不足，使得電壓不穩。
附圖說明
[0010]圖1是本技術實施例的電路結構示意圖。
具體實施方式
[0011]為了使本技術的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本技術進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本技術，并不用于限定本技術。
[0012]在本技術的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬
度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”、“順時針”、“逆時針”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術的限制。此外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個所述特征。在本技術的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
[0013]在本技術的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接。可以是機械連接，也可以是電連接。可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關系。對于本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本技術中的具體含義。
[0014]如圖1所示，本實施例提供的一種預防電壓不穩的啟動電路，包括MOS管Q1，所述MOS管Q1的柵極通過依次串聯的第一電阻R1和第二電阻R2接地，且通過所述第一電阻R1接入單片機控制信號，所述MOS管Q1的漏極連接負載并通過第一電容C1連接于第一電阻R1和第二電阻R2之間，所述MOS管Q1的源極接入工作電源并通過第二電容C2接地，所述第二電容C2為電解電容。
[0015]進一步，所述MOS管Q1的漏極和源極處并聯有一個磁珠FB。
[0016]進一步，所述MOS管Q1的型號為ZXMP3A13F。
[0017]本實施例所提供的電路，其主要是針對解決突發性電流增大，導致系統電源電壓降低，進而導致系統不穩定。
[0018]具體工作原理如下：
[0019]1、電路中，第二電阻R2給MOS管Q1一個初始狀態；MOS管Q1是作為開關的作用；磁珠FB預留調試位置；第一電容C1作為吸留電容，當MOS管Q1關閉后，第一電容C1吸收3P3_XCVR_TX信號上殘留電壓，防止殘留電壓導致信號3P3_XCVR_TX負載依然在工作；第二電容C2為電解電容作為續流電容。
[0020]2、電路信號點RSVD3_DIS_PON_TXPWR初始狀態為高電平，此時MOS管Q1的源極和漏極是高阻態，相當于工作電源VDD33與3P3_XCVR_TX是高阻態，工作電源VDD33對第二電容C2充電；
[0021]3、當電路運行到某一節點，需要對3P3_XCVR_TX 通電，即負載通電。此時RSVD3_DIS_PON_TXPWR信號變成高電平，MOS管Q1導通，而加載在信號3P3_XCVR_TX的負載較大，在MOS管Q1導通瞬間，VDD33瞬間需要增加較大電流，此時前期已經充電完成的第二電容C2充當電池作用，補充工作電源VDD33電流，從而保障工作電源VDD33不會因MOS管導通瞬間增加大電流而使工作電源VDD33電荷供應不足使得電壓不穩。
[0022]以上僅為本技術的優選實施例，并非因此限制本技術的專利范圍，凡是利用本技術說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的
，均同理包括在本技術的專利保護范圍內。
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【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種預防電壓不穩的啟動電路，其特征在于：包括MOS管，所述MOS管的柵極通過依次串聯的第一電阻和第二電阻接地，且通過所述第一電阻接入單片機控制信號，所述MOS管的漏極連接負載并通過第一電容連接于第一電阻和第二電阻之間，所述MOS管的源極接入工作電源并通過...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王庭一，潘紅章，魏志勇，
申請(專利權)人：深圳市長進通信技術有限公司，
類型：新型
國別省市：