一種精細掩膜版制造技術

本公開提供一種精細掩膜版，該精細掩膜版包括本體，本體上設有掩模圖形；本體包括：硅基襯底；位于硅基襯底之上的無機膜層，無機膜層具有壓應力；及位于硅基襯底之上的應力調整層，應力調整層具有張應力，張應力與壓應力的應力性質相反且相互抵消。本發明專利技術實施例提供的精細掩膜版能夠減少精細掩膜版的翹曲下垂等不平整現象。不平整現象。不平整現象。

【技術實現步驟摘要】
一種精細掩膜版


[0001]本專利技術涉及顯示
，尤其涉及一種精細掩膜版。

技術介紹

[0002]基于有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)技術的硅基OLED微顯示器(OLED on Silicon，OLEDoS)具有廣色域、高對比度、超輕薄、能耗低、柔性等優點，能夠為便攜式設備、游戲平臺及可穿戴設備等產品提供高畫質的視頻顯示，特別適合應用于頭盔顯示器、立體顯示鏡以及眼睛式顯示器等，在民用、工業、軍事等領域具有廣闊的應用空間。

技術實現思路

[0003]本專利技術實施例提供了一種精細掩膜版，能夠減少精細掩膜版的翹曲下垂等不平整現象。
[0004]本專利技術實施例所提供的技術方案如下：
[0005]本專利技術實施例提供了一種精細掩膜版，包括本體，所述本體上設有掩模圖形；所述本體包括：
[0006]硅基襯底；
[0007]位于所述硅基襯底之上的無機膜層，所述無機膜層具有壓應力；及
[0008]位于所述硅基襯底之上的應力調整層，所述應力調整層具有張應力，所述張應力與所述壓應力的應力性質相反且相互抵消。
[0009]示例性的，所述本體包括第一區域和第二區域，所述無機膜層在所述第一區域的壓應力大于在所述第二區域的壓應力，所述應力調整層在所述第一區域的張應力大與在所述第二區域的張應力。
[0010]示例性的，所述本體包括中間區域和位于所述中間區域外圍的外圍區域，所述掩模圖形設置在所述中間區域，且所述外圍區域包括中部位置、及位于所述中部位置和所述外圍區域之間的邊緣位置，所述第一區域包括所述中部位置，所述第二區域包括所述邊緣位置。
[0011]示例性的，沿著從所述中部位置指向所述邊緣位置的方向，所述無機膜層的壓應力逐漸增大，所述應力調整層的張應力逐漸減大。
[0012]示例性的，所述應力調整層的張應力與其膜層厚度之間呈正性關系，所述應力調整層在所述第一區域處的膜層厚度大于在所述第二區域處的膜層厚度。
[0013]示例性的，所述應力調整層包括氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜和碳氮化硅薄膜中至少一種。
[0014]示例性的，所述應力調整層的張應力與其材料的元素比例呈預定關系，所述應力調整層的材料在所述第一區域與所述第二區域的元素比例不同。
[0015]示例性的，所述應力調整層包括碳氮化硅薄膜，所述碳氮化硅薄膜的張應力與碳
硅比相關，其中所述碳氮化硅薄膜的碳硅比在預定閾值內，所述碳氮化硅薄膜在所述第一區域與所述第二區域的材料碳硅比不同。
[0016]示例性的，所述預定閾值為大于或等于0.45且小于或等于0.6。
[0017]示例性的，所述無機膜層包括至少一層氧化硅和/或至少一層氮化硅。
[0018]示例性的，所述硅基襯底包括相背的第一側和第二側，至少一層所述無機膜層和至少一層應力調整層堆疊至所述第一側。
[0019]示例性的，在所述第一側，
[0020]所述應力調整層堆疊至所述無機膜層的背離所述硅基襯底的一側；或者
[0021]所述應力調整層堆疊至所述無機膜層的靠近所述硅基襯底的一側；或者
[0022]所述無機膜層有多層時，所述應力調整層堆疊至所述無機膜層中任意相鄰兩層之間。
[0023]示例性的，所述硅基襯底的所述第二側還堆疊有至少一層所述無機膜層。
[0024]示例性的，所述硅基襯底包括從所述第二側至所述第一側依次層疊設置的第一硅層、至少一層無機層和第二硅層，所述第一硅層的膜層厚度大于所述第二硅層的膜層厚度。
[0025]示例性的，所述本體包括中間區域和位于所述中間區域外圍的外圍區域；
[0026]所述第一硅層及堆疊至所述第二側的所述無機膜層在對應所述中間區域的位置設開口圖案；
[0027]所述無機層、所述第二硅層及堆疊至所述第一側的所述無機膜層和所述應力調整層在對應所述中間區域的位置設有所述掩模圖形。
[0028]本專利技術實施例所帶來的有益效果如下：
[0029]本專利技術實施例所提供的精細掩膜版，該精細掩膜版基于硅基襯底，在硅基襯底上堆疊無機膜層和應力調整層，無機膜層產生壓應力，應力調整層產生張應力，壓應力與張應力可相互抵消，從而通過這種應力相消的方式，通過應力調整層來對無機膜層導致的硅基精細掩膜版翹曲、下垂進行補償，減少掩模版對制造的顯示器件的品質影響。
附圖說明
[0030]圖1表示本專利技術一些實施例中提供的精細掩膜版的結構示意圖；
[0031]圖2表示圖1所示的精細掩膜版的制造流程示意圖；
[0032]圖3表示本專利技術另一些實施例中提供的精細掩膜版的結構示意圖；
[0033]圖4表示圖3所示的精細掩膜版的制造流程示意圖；
[0034]圖5表示相關技術中精細掩膜版的俯視圖；
[0035]圖6表示圖5所示精細掩膜版從A至B方向、及從A
’
至B
’
方向上的下垂量測試結果，其中圖6中(a)表示從A至B方向的下垂量，橫坐標表示從A至B方向上的位置點坐標，縱坐標表示下垂量，圖6中(b)表示從A
’
至B
’
方向的下垂量，橫坐標表示從A
’
至B
’
方向上的位置點坐標，縱坐標表示下垂量；
[0036]圖7表示碳氮化硅薄膜中不同碳氮比與應力值的關系圖，其中橫坐標表示碳氮比，總坐標表示應力值；
[0037]圖8表示本專利技術實施例中提供的精細掩膜版的俯視圖；
[0038]圖9表示相關技術中精細掩膜版的下垂量模擬結果，其中圖9中(a)表示精細掩膜
版的模擬俯視圖，(b)表示精細掩膜版的模擬側視圖；
[0039]圖10表示本專利技術實施例中精細掩膜版的下垂量模擬結果，其中圖10中(a)表示精細掩膜版的模擬俯視圖，(b)表示精細掩膜版的模擬側視圖；
[0040]圖11表示相關技術中精細掩膜版與本專利技術實施例中精細掩膜版的下垂量實測結果，其中曲線a表示本專利技術實施例的精細掩膜版的下垂量實測結果，曲線b表示相關技術中精細掩膜版的下垂量實測結果。
具體實施方式
[0041]為使本專利技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本專利技術實施例的附圖，對本專利技術實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本公開的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本公開的實施例，本領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本公開保護的范圍。
[0042]除非另外定義，本公開使用的技術術語或者科學術語應當為本公開所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分。同樣，“一個”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數量限制，而是表示存在至少一個。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種精細掩膜版，包括本體，所述本體上設有掩模圖形；其特征在于，所述本體包括：硅基襯底；位于所述硅基襯底之上的無機膜層，所述無機膜層具有壓應力；及位于所述硅基襯底之上的應力調整層，所述應力調整層具有張應力，所述張應力與所述壓應力的應力性質相反且相互抵消。2.根據權利要求1所述的精細掩膜版，其特征在于，所述本體包括第一區域和第二區域，所述無機膜層在所述第一區域的壓應力大于在所述第二區域的壓應力，所述應力調整層在所述第一區域的張應力大與在所述第二區域的張應力。3.根據權利要求2所述的精細掩膜版，其特征在于，所述本體包括中間區域和位于所述中間區域外圍的外圍區域，所述掩模圖形設置在所述中間區域，且所述外圍區域包括中部位置、及位于所述中部位置和所述外圍區域之間的邊緣位置，所述第一區域包括所述中部位置，所述第二區域包括所述邊緣位置。4.根據權利要求3所述的精細掩膜版，其特征在于，沿著從所述中部位置指向所述邊緣位置的方向，所述無機膜層的壓應力逐漸增大，所述應力調整層的張應力逐漸減大。5.根據權利要求2所述的精細掩膜版，其特征在于，所述應力調整層的張應力與其膜層厚度之間呈正性關系，所述應力調整層在所述第一區域處的膜層厚度大于在所述第二區域處的膜層厚度。6.根據權利要求5所述的精細掩膜版，其特征在于，所述應力調整層包括氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜和碳氮化硅薄膜中至少一種。7.根據權利要求2所述的精細掩膜版，其特征在于，所述應力調整層的張應力與其材料的元素比例呈預定關系，所述應力調整層的材料在所述第一區域與所述第二區域的元素比例不同。8.根據權利要求7所述的精細掩膜版，其特征在于，所述應力...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉文祺，王偉杰，張粲，孫中元，焦志強，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：