硅基顯示面板及其蒸鍍層的制備方法、掩膜版技術

本發明專利技術公開了一種硅基顯示面板及其蒸鍍層的制備方法、掩膜版，該掩膜版用于制備硅基顯示面板的蒸鍍層，包括：至少一個開口部和圍繞各開口部的遮擋部；遮擋部的第一表面設置有支撐結構；在平行于遮擋部的第一表面的方向上，支撐結構的尺寸小于遮擋部的尺寸；在采用掩膜版蒸鍍蒸鍍層時，支撐結構與硅基顯示面板的硅基襯底接觸。本發明專利技術的技術方案通過在遮擋部的第一表面設置支撐結構，且在平行于遮擋部的第一表面的方向上，支撐結構的尺寸小于遮擋部的尺寸，使采用該掩膜版蒸鍍硅基顯示面板的蒸鍍層時，僅支撐結構與硅基顯示面板的硅基襯底接觸，從而可以減少掩膜版上附著的粉塵微粒轉移到硅基襯底，進而提高硅基襯底的潔凈度，提高產品性能。提高產品性能。提高產品性能。

【技術實現步驟摘要】
硅基顯示面板及其蒸鍍層的制備方法、掩膜版


[0001]本專利技術涉及顯示
，尤其涉及一種硅基顯示面板及其蒸鍍層的制備方法、掩膜版。

技術介紹

[0002]真空蒸鍍是OLED面板生產過程中的關鍵環節，而作為蒸鍍有機材料、金屬材料等蒸鍍層的掩膜版為其關鍵結構部件。相對于大尺寸的OLED面板，硅基微顯示面板由于尺寸小、像素單元小，所以對粉塵顆粒大小和數量的要求更嚴格。
[0003]現有技術中，在蒸鍍硅基微顯示面板中蒸鍍層時，掩膜版與硅基襯底表面緊緊貼住，蒸發材料透過特定圖案的掩膜版開口，沉積在硅基襯底表面。但是，掩膜版與硅基襯底貼合后，掩膜版上的粉塵微粒會轉移到硅基襯底上，從而導致硅基襯底表面粉塵微粒的增加，會影響OLED器件封裝效果，造成器件失效，產生黑點，影響產品性能。

技術實現思路

[0004]本專利技術提供了一種硅基顯示面板及其蒸鍍層的制備方法、掩膜版，以解決現有技術存在的問題，提高硅基襯底的潔凈度，從而提高產品性能。
[0005]第一方面，本專利技術提供了一種掩膜版，用于制備硅基顯示面板的蒸鍍層，包括：至少一個開口部和圍繞各所述開口部的遮擋部；
[0006]所述遮擋部的第一表面設置有支撐結構；在平行于所述遮擋部的所述第一表面的方向上，所述支撐結構的尺寸小于所述遮擋部的尺寸；
[0007]在采用所述掩膜版蒸鍍所述蒸鍍層時，所述支撐結構與所述硅基顯示面板的硅基襯底接觸。
[0008]可選的，在垂直于所述遮擋部的所述第一表面的方向上，所述支撐結構的高度H的取值范圍為：40μm＜H＜80μm。
[0009]可選的，所述支撐結構包括分散設置的多個支撐柱。
[0010]可選的，當所述掩膜版包括多個所述開口部時，多個所述開口部陣列排布；所述支撐柱位于相鄰兩行和/或相鄰兩列所述開口部之間。
[0011]可選的，在所述開口部的行方向上，所述支撐柱與所述開口部不交疊；和/或，在所述開口部的列方向上，所述支撐柱與所述開口部不交疊。
[0012]可選的，每個所述支撐柱與所述硅基襯底的接觸面的接觸面積S的取值范圍為：0＜S＜1mm2。
[0013]可選的，所述支撐結構包括環繞所有所述開口結構的支撐環。
[0014]可選的，所述掩膜版的材料包括弱磁性材料。
[0015]第二方面，本專利技術提供一種硅基顯示面板中蒸鍍層的制備方法，包括：
[0016]提供硅基襯底；
[0017]將上述任一所述的掩膜版放置于所述硅基襯底的一側；所述掩膜版的支撐結構與
所述硅基襯底接觸；
[0018]將蒸鍍材料通過所述掩膜版的開口部蒸鍍至所述硅基襯底靠近所述掩膜版的一側，以形成所述硅基顯示面板的蒸鍍層。
[0019]第三方面，本專利技術提供一種硅基顯示面板，采用上述任一所述的掩膜版制備。
[0020]本專利技術提供的技術方案，通過在遮擋部的第一表面設置支撐結構，且在平行于遮擋部的第一表面的方向上，支撐結構的尺寸小于遮擋部的尺寸，使采用該掩膜版蒸鍍硅基顯示面板的蒸鍍層時，僅支撐結構與硅基顯示面板的硅基襯底接觸，減小了蒸鍍時掩膜版與硅基襯底的接觸面積，從而可以減少掩膜版上附著的粉塵微粒轉移到硅基襯底上，進而提高硅基襯底的潔凈度，提高封裝效果以及提高產品性能。
[0021]應當理解，本部分所描述的內容并非旨在標識本專利技術的實施例的關鍵或重要特征，也不用于限制本專利技術的范圍。本專利技術的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。
附圖說明
[0022]為了更清楚地說明本專利技術實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1為本專利技術實施例提供的一種掩膜版的俯視圖；
[0024]圖2為本專利技術實施例提供的一種掩膜版沿直徑方向的剖面圖；
[0025]圖3為本專利技術實施例提供的一種硅基顯示面板中蒸鍍層的制備方法的流程圖。
具體實施方式
[0026]為了使本
的人員更好地理解本專利技術方案，下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分的實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本專利技術保護的范圍。
[0027]需要說明的是，本專利技術的說明書和權利要求書及上述附圖中的術語“第一”、“第二”等是用于區別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應該理解這樣使用的數據在適當情況下可以互換，以便這里描述的本專利技術的實施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序實施。
[0028]本專利技術實施例提供一種掩膜版，用于制備硅基顯示面板的蒸鍍層，圖1為本專利技術實施例提供的一種掩膜版的俯視圖；圖2為本專利技術實施例提供的一種掩膜版沿直徑方向的剖面圖。參考圖1和圖2所示，該掩膜版100包括至少一個開口部10和圍繞各開口部10的遮擋部20；遮擋部20的第一表面設置有支撐結構21；在平行于遮擋部20的第一表面的方向上，支撐結構21的尺寸小于遮擋部20的尺寸；在采用掩膜版100蒸鍍蒸鍍層時，支撐結構21與硅基顯示面板的硅基襯底1接觸。
[0029]其中，在采用掩膜版100蒸鍍硅基顯示面板的蒸鍍層時，蒸鍍材料通過開口部10蒸鍍至硅基顯示面板的硅基襯底1上，以形成蒸鍍層；需要說明的是，圖1僅示例性示出了掩膜
版100包括陣列排布的12個開口部10的情況，實際上，開口部10的形狀、開口部10的數量以及開口部10的排列方式可以根據硅基顯示面板的設計方案設置，本專利技術實施例對此不做任何限制。在采用掩膜版100蒸鍍硅基顯示面板的蒸鍍層時，遮擋部20能夠將硅基襯底1上不需要蒸鍍的位置遮擋，從而使遮擋部20遮擋的位置處不形成蒸鍍層。遮擋部20的第一表面設置有支撐結構21，該支撐結構21在平行于遮擋部20的第一表面的方向上的橫截面可以為圓形、三角形、梯形、長方形或異形等，本專利技術實施例對該支撐結構21在平行于遮擋部20的第一表面的方向上的橫截面的形狀不做任何限制，只要能夠實現在采用掩膜版100蒸鍍時，支撐結構21與硅基顯示面板的硅基襯底1接觸，而掩膜版100的其他部分不與硅基顯示面板接觸即可。該支撐結構21的尺寸小于遮擋部20的尺寸，從而在采用掩膜版100蒸鍍硅基顯示面板的蒸鍍層時，通過該支撐結構21與硅基顯示面板的硅基襯底1接觸，以減小掩膜版100與硅基襯底1的接觸面積。
[0030]在一可選的實施例中，遮擋部20與支撐結構21可以為一體結構，即遮擋部20與支撐結構21采用相同的材料制得，其可以為通過對具有一定厚度的掩膜版片材進行化學腐蝕，其中，遮擋部20設置支撐結構21的位置不進行化學腐蝕，將掩膜版100的其他位置化學腐蝕一定深度，從而使支撐結構21相對于掩膜版100的其他位置在垂直于第一表面的本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種掩膜版，用于制備硅基顯示面板的蒸鍍層，其特征在于，包括：至少一個開口部和圍繞各所述開口部的遮擋部；所述遮擋部的第一表面設置有支撐結構；在平行于所述遮擋部的所述第一表面的方向上，所述支撐結構的尺寸小于所述遮擋部的尺寸；在采用所述掩膜版蒸鍍所述蒸鍍層時，所述支撐結構與所述硅基顯示面板的硅基襯底接觸。2.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，在垂直于所述遮擋部的所述第一表面的方向上，所述支撐結構的高度H的取值范圍為：40μm＜H＜80μm。3.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述支撐結構包括分散設置的多個支撐柱。4.根據權利要求3所述的掩膜版，其特征在于，當所述掩膜版包括多個所述開口部時，多個所述開口部陣列排布；所述支撐柱位于相鄰兩行和/或相鄰兩列所述開口部之間。5.根據權利要求4所述的掩膜版，其特征在于，在所述開口部的行方向上，所述支撐柱與所述開口部不交疊...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉志文，季淵，
申請(專利權)人：南京昀光科技有限公司，
類型：發明
國別省市：