一種掩膜版、OLED顯示屏及其制備方法技術

本發明專利技術涉及一種掩膜版，掩膜版上設有對應于顯示面板AA區的第一區域和位于第一區域外圍的第二區域，掩膜版上設有鏤空區，鏤空區用于在顯示面板上蒸鍍陰極材料形成陰極層，鏤空區包括位于第一區域的第一鏤空區、位于第二區域的第二鏤空區和第三鏤空區，第一鏤空區對應于顯示面板上的OLED區域，第二鏤空區和第三鏤空區對應于顯示面板上的陰極信號走線區，第二鏤空區、第三鏤空區在第二區域上組合形成半包圍圖形，半包圍圖形圍繞第一鏤空區，第二鏤空區連通第一鏤空區。本發明專利技術對掩膜版上的鏤空區進行設計，使得顯示面板上形成的陰極層僅覆蓋OLED區域和陰極信號走線區，有效地減小了陰極層的覆蓋面積，減輕了陰極層對光線的阻擋，提升了顯示屏的出光率。升了顯示屏的出光率。升了顯示屏的出光率。

【技術實現步驟摘要】
一種掩膜版、OLED顯示屏及其制備方法


[0001]本專利技術涉及顯示
，特別是涉及一種掩膜版、OLED顯示屏及其制備方法。

技術介紹

[0002]全面屏手機憑借其超高的屏占比和極好的用戶體驗感，成為時下最熱門的技術之一，但是對于全面屏來說，全面屏的設計需要整屏布線，因此，受整屏布線的影響，屏下攝像頭或者指紋解鎖位置的透光效果(如光透率)勢必會降低，這會直接影響到拍照效果或者指紋解鎖成功度。
[0003]在現有技術下，目前市場上的多款手機為了提升光的透過率采取了各種不同的方法，比如改變攝像頭位置的像素排列，降低攝像頭位置的PPI(Pixels Per Inch一英寸內的像素數量)，采用透明電極布線等等，但是目前這些辦法仍有其不足，具體地，采用改變攝像頭位置的像素排列，降低攝像頭位置的PPI的方法，由于PPI降低會影響顯示質量，因此在攝像頭位置會出現清晰度不足、畫質粗糙的情況，并與其他位置的顯示質量形成明顯的對比；而采用透明電極布線的方法需要在現有工藝上再新增至少三層膜層，這不僅增加了生產成本還增加了工藝流程，工藝流程越多，產品良率降低的概率就越大。
[0004]對于AMOLED(Active Matrix Organic Light
?
Emitting Diode有源矩陣有機發光二極管)顯示屏而言，除了整屏布線的影響，陰極層更是影響顯示屏出光率的重要因素。陰極層的面積以及材料均會影響顯示屏出光率，具體地，包括：1.采用目前的掩膜版制得的陰極層，其覆蓋面積一般包括整個AA(Ative Area，有效顯示區域)區以及AA區外圍至陰極信號走線區的區域，陰極層覆蓋面積大降低了顯示屏出光率；2.目前使用的陰極材料(一般為Al、Ca、Li與Mg等金屬及其復合金屬)的光透率僅在40％左右，該陰極材料降低了顯示屏的出光率。對此，可從陰極層覆蓋面積以及陰極材料兩個角度進行改進以改善顯示屏的出光率，相對于陰極材料的改進，對陰極層覆蓋面積的改進成本更低，對陰極層進行圖案化設計是目前常用的一種改進陰極層覆蓋面積的方式。

技術實現思路

[0005]針對現有技術中存在的技術問題，第一個方面，本專利技術提供一種掩膜版，所述掩膜版上設有對應于顯示面板AA區的第一區域和位于所述第一區域外圍的第二區域，所述掩膜版上設有鏤空區，所述鏤空區用于在所述顯示面板上蒸鍍陰極材料形成陰極層，所述鏤空區包括位于所述第一區域的第一鏤空區、位于所述第二區域的第二鏤空區和第三鏤空區，所述第一鏤空區對應于所述顯示面板上的OLED區域，所述第二鏤空區和所述第三鏤空區對應于所述顯示面板上的陰極信號走線區，所述第二鏤空區、所述第三鏤空區在所述第二區域上組合形成半包圍圖形，所述半包圍圖形圍繞所述第一鏤空區，所述第二鏤空區連通所述第一鏤空區。
[0006]在一實施例中，所述第一鏤空區呈排分布，在所述第二區域上與每排所述第一鏤空區相對應的區域均設有所述第二鏤空區。
[0007]在一實施例中，每排所述第一鏤空區包括第一圖形和第二圖形，所述第一圖形等間距分布，相鄰兩個所述第一圖形之間通過所述第二圖形連接。
[0008]在一實施例中，每排所述第一鏤空區包括若干個圖形單元，所述圖形單元之間相互連通，所述圖形單元為橢圓形、圓形、多邊形中的任一種。
[0009]在一實施例中，所述半包圍圖形呈鏡像分布。
[0010]第二個方面，本專利技術提供一種OLED顯示屏，包括顯示面板，所述顯示面板包括基板和蓋板，在所述基板和所述蓋板之間設有功能層，從所述基板往所述蓋板方向上所述功能層依次包括底板像素電路層、OLED陽極層、RGB發光材料層和陰極層，所述陰極層通過上述掩膜版制作而成，所述陰極層僅覆蓋所述顯示面板上的OLED區域以及陰極信號走線區，所述陰極信號走線區在所述顯示面板上呈半包圍圖形，所述OLED區域置于所述半包圍圖形內。
[0011]在一實施例中，所述陰極層包括第一陰極層、第二陰極層、第三陰極層，所述第一陰極層覆蓋所述顯示面板上的OLED區域，所述第二陰極層和所述第三陰極層組合形成半包圍圖形覆蓋所述陰極信號走線區。
[0012]在一實施例中，所述第一陰極層呈排分布，所述第二陰極層設置在每排所述第一陰極層的延長方向上，所述第二陰極層連通所述第一陰極層。第二陰極層連通第一陰極層，使得第二陰極層與陰極信號走線區接觸時，陰極信號通過第二陰極層傳遞至第一陰極層。
[0013]在一實施例中，每排所述第一陰極層包括若干個等間距分布的陰極單元，所述陰極單元之間相互連通。陰極單元相連通使得陰極信號能在整個第一陰極層之間傳遞。
[0014]第三個方面，本專利技術提供一種OLED顯示屏的制備方法，所述OLED顯示屏包括顯示面板，采用上述掩膜版在所述顯示面板上蒸鍍形成陰極層，所述掩膜版上的鏤空區對應于所述陰極層。
[0015]在一實施例中，所述顯示面板包括基板、設置在所述基板上的功能層、蓋板，從所述基板往所述蓋板方向上，在所述基板上依次形成底板像素電路層、OLED陽極層、RGB發光材料層和所述陰極層。
[0016]相比于現有技術，本專利技術的技術方案至少存在以下有益效果：本專利技術提供了一種掩膜版，對掩膜版上的用于形成陰極層的鏤空區進行了設計，使得顯示面板上形成的陰極層僅覆蓋OLED區域和陰極信號走線區，這有效地減小了陰極層的覆蓋面積，節省了陰極材料，從而減輕了陰極層對光線的阻擋，提升了顯示屏的出光率；同時，相對于現有技術中用于提高手機顯示屏光透率的方法，例如改變攝像頭位置的像素排列，降低攝像頭位置的PPI的方法以及采用透明電極布線的方法，本專利技術所采用的通過掩膜版改變陰極層圖案的方法不會影響顯示屏的顯示質量，也不需要額外新增設膜層，并且通過掩膜版蒸鍍形成陰極層為成熟工藝，可有效地確保產品的良率。
附圖說明
[0017]附圖對本專利技術作進一步說明，但附圖中的實施例不構成對本專利技術的任何限制。
[0018]圖1為本專利技術所采用的顯示面板的示意圖；
[0019]圖2為現有技術中陰極層在顯示面板中的結構示意圖；
[0020]圖3為一實施例提供的掩膜版的示意圖；
[0021]圖4為通過圖3所提供的掩膜版蒸鍍制得的陰極層的示意圖；
[0022]圖5為圖4的陰極層與顯示面板的對應關系圖；
[0023]圖6為圖4的陰極層在顯示面板中的結構示意圖；
[0024]圖7為另一實施例提供的掩膜版的示意圖；
[0025]圖8為通過圖7所提供的掩膜版蒸鍍制得的陰極層的示意圖；
[0026]圖9為圖8的陰極層與顯示面板的對應關系圖；
[0027]圖10為依次使用圖3、圖7所提供的掩膜版蒸鍍制得的陰極層的示意圖；
[0028]附圖標記說明：10
?
顯示面板、110
?
AA區、120
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陰極信號走線區、130
?
陰極層覆蓋區、101
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基板、102
?
底板像素電路層、1本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種掩膜版，所述掩膜版上設有對應于顯示面板AA區的第一區域和位于所述第一區域外圍的第二區域，所述掩膜版上設有鏤空區，所述鏤空區用于在所述顯示面板上蒸鍍陰極材料形成陰極層，其特征在于，所述鏤空區包括位于所述第一區域的第一鏤空區、位于所述第二區域的第二鏤空區和第三鏤空區，所述第一鏤空區對應于所述顯示面板上的OLED區域，所述第二鏤空區和所述第三鏤空區對應于所述顯示面板上的陰極信號走線區，所述第二鏤空區、所述第三鏤空區在所述第二區域上組合形成半包圍圖形，所述半包圍圖形圍繞所述第一鏤空區，所述第二鏤空區連通所述第一鏤空區。2.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一鏤空區呈排分布，在所述第二區域上與每排所述第一鏤空區相對應的區域均設有所述第二鏤空區。3.根據權利要求2所述的掩膜版，其特征在于，每排所述第一鏤空區包括第一圖形和第二圖形，所述第一圖形等間距分布，相鄰兩個所述第一圖形之間通過所述第二圖形連接。4.根據權利要求2所述的掩膜版，其特征在于，每排所述第一鏤空區包括若干個圖形單元，所述圖形單元之間相互連通，所述圖形單元為橢圓形、圓形、多邊形中的任一種。5.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半包圍圖形呈鏡像分布。6.一種OLED顯示屏，包括顯示面板，所述顯示面板包括基板和蓋板，在所述基板和所述蓋板之間設有功能層，其特征在于，從所述基板往所述蓋板方向上所述功能層依...

【專利技術屬性】
技術研發人員：安北燕，羅錦釗，胡君文，
申請(專利權)人：信利惠州智能顯示有限公司，
類型：發明
國別省市：