本申請實施例提供一種掩膜板、顯示背板、顯示裝置以及掩膜板，其中，掩膜板包括：掩膜框；掩膜條，連接于掩膜框，掩膜條朝向蒸鍍基板的一側具有支撐面，支撐面設有開孔區域；掩膜片，連接于支撐面朝向蒸鍍基板的一側，掩膜片的朝向蒸鍍基板的表面設有減薄區域，減薄區域沿遠離蒸鍍基板的方向凹陷形成，減薄區域設有多個蒸鍍通孔，多個蒸鍍通孔與蒸鍍基板上的多個第一目標子像素一一對應，且蒸鍍通孔的形狀與第一目標子像素的預設形狀對應；其中，多個開孔區域與多個減薄區域一一對應且正對設置，開孔區域的正投影面積大于減薄區域的正投影面積。根據本申請的技術，有利于減小掩膜片與蒸鍍基板之間的間隙，降低了蒸鍍工藝中的蒸鍍陰影效應。陰影效應。陰影效應。
【技術實現步驟摘要】
掩膜板、顯示背板、顯示裝置以及掩膜板的制備方法
[0001]本申請涉及顯示設備
，尤其涉及一種掩膜板、顯示背板、顯示裝置以及掩膜板的制備方法。
技術介紹
[0002]現如今對于OLED(Organic Light
?
Emitting Diode，有機發光二極管)產品的PPI(Pixels Per Inch，像素密度)要求越來越高，AR(Augmented Reality，增強現實)或者VR(Virtual Reality，虛擬實境)產品的PPI已經達到了4000以上，達到了傳統FMM技術的極限。如果使用高精度掩膜板制作超高PPI的硅基RGB OLED，則需要使用硅基高精度掩膜板。硅基高精度掩膜板使用硅片作為掩膜片，在硅片上制作精細的圖形開孔。由于硅片本身比較脆弱易碎，通常需要將硅片掩膜板和金屬框架組合在一起，以增加掩膜板的強度。
[0003]相關技術中，采用硅基掩膜板和金屬框架相組合的方式，通常存在掩膜板與蒸鍍基板之間間隙較大的問題，由于硅基微顯示OLED需要的分辨率極高，蒸鍍工藝對掩膜板和蒸鍍基板之間的間隙非常敏感，即便再小的間隙也會造成嚴重的蒸鍍陰影效應，蒸鍍陰影效應會使蒸鍍圖形的膜層厚度不均一，并且蒸鍍圖形外擴，引發蒸鍍混色等不良現象。
技術實現思路
[0004]本申請實施例提供一種掩膜板、顯示背板、顯示裝置以及掩膜板，以解決或緩解現有技術中的一項或更多項技術問題。
[0005]第一方面，本申請實施例提供了一種掩膜板，包括：
[0006]掩膜框；<br/>[0007]掩膜條，連接于掩膜框，掩膜條朝向蒸鍍基板的一側具有支撐面，支撐面設有開孔區域；
[0008]掩膜片，連接于支撐面朝向蒸鍍基板的一側，掩膜片的朝向蒸鍍基板的表面設有減薄區域，減薄區域沿遠離蒸鍍基板的方向凹陷形成，減薄區域設有多個蒸鍍通孔，多個蒸鍍通孔與蒸鍍基板上的多個第一目標子像素一一對應，且蒸鍍通孔的形狀與第一目標子像素的預設形狀對應；
[0009]其中，多個開孔區域與多個減薄區域一一對應且正對設置，開孔區域的正投影面積大于減薄區域的正投影面積。
[0010]在一種實施方式中，支撐面還設有與開孔區域相間隔的凹槽區域，凹槽區域包括貫穿掩膜條的多個透光孔；其中，凹槽區域用于容納光敏膠，透光孔用于供紫外光線穿過并照射光敏膠以使光敏膠固化，掩膜條和掩膜片通過固化的光敏膠粘接相連。
[0011]可選地，掩膜條的厚度為50至100微米，凹槽區域的深度與掩膜條的厚度之間的比值為1/3至1/2。
[0012]可選地，透光孔的直徑為100至200微米。
[0013]在一種實施方式中，掩膜條的材質為因瓦合金，掩膜條與蒸鍍設備的磁性件之間
產生磁力吸附作用，以使掩膜片與蒸鍍基板相貼合；和/或，掩膜框的材質為不銹鋼或者因瓦合金。
[0014]在一種實施方式中，減薄區域還設有與蒸鍍通孔間隔設置的非蒸鍍凹槽，非蒸鍍凹槽與蒸鍍通孔間隔設置，多個非蒸鍍凹槽與蒸鍍基板上的多個第二目標子像素一一對應，且非蒸鍍凹槽的形狀與第二目標子像素的預設形狀相同，其中，多個非蒸鍍凹槽與多個蒸鍍通孔在減薄區域內的排列方式與蒸鍍基板上的目標發光單元預設的像素排列方式相同。
[0015]可選地，非蒸鍍凹槽與蒸鍍通孔的形狀相同，且非蒸鍍凹槽的正投影面積小于蒸鍍通孔的正投影面積，非蒸鍍凹槽的深度與掩膜片的厚度之間的比值為1/5至1/3。
[0016]可選地，相鄰的蒸鍍通孔和非蒸鍍凹槽之間的間距小于對應的第一目標子像素和第二目標子像素之間的預設間距。
[0017]在一種實施方式中，掩膜片的材質為單晶硅。
[0018]在一種實施方式中，掩膜片在減薄區域的厚度為10至20微米，蒸鍍通孔的孔徑為4至6微米。
[0019]第二方面，本申請實施例提供了一種顯示背板，包括：
[0020]基板；以及，
[0021]形成于基板上的目標發光單元，目標發光單元采用本申請上述實施例的掩膜板加工而成。
[0022]第三方面，本申請實施例提供了一種顯示裝置，其特征在于，包括本申請上述實施例的顯示背板。
[0023]第四方面，本申請實施例提供了一種掩膜板的制備方法，包括：
[0024]在掩膜條上形成開孔區域和凹槽區域，凹槽區域設有透光孔；以及，在掩膜片上形成減薄區域，減薄區域與開孔區域對應設置，且減薄區域設有蒸鍍通孔和非蒸鍍凹槽；
[0025]將掩膜條漲緊于掩膜框，并將掩膜條與掩膜框焊接相連；
[0026]在掩膜條的凹槽區域注入光敏膠；
[0027]將掩膜片與掩膜條正對設置，并將掩膜片貼設于掩膜條；
[0028]將紫外光線穿過掩膜條的透光孔并照射光敏膠，以使光敏膠固化，掩膜片和掩膜條通過固化的光敏膠粘接相連。
[0029]根據本申請實施例的技術，通過設置連接于掩膜框的掩膜條，以對掩膜片起到支撐和固定的作用，避免了相關技術中將掩膜片直接粘接于掩膜框導致掩膜片的表面平整度差的情況發生，由此，不僅提高了對于掩膜片的支撐和定位作用，減小了因硅片自身重力作用產生的下垂現象，還改善了掩膜片的表面平整度，從而降低了掩膜片與蒸鍍基板之間產生間隙的概率，降低了蒸鍍工藝中的蒸鍍陰影效應，提升了蒸鍍圖形的均一性，避免了因蒸鍍圖形外擴引發蒸鍍混色等不良現象，提高了采用本申請實施例的掩膜板制備而成的發光單元的良品率。
[0030]上述概述僅僅是為了說明書的目的，并不意圖以任何方式進行限制。除上述描述的示意性的方面、實施方式和特征之外，通過參考附圖和以下的詳細描述，本申請進一步的方面、實施方式和特征將會是容易明白的。
附圖說明
[0031]在附圖中，除非另外規定，否則貫穿多個附圖相同的附圖標記表示相同或相似的部件或元素。這些附圖不一定是按照比例繪制的。應該理解，這些附圖僅描繪了根據本申請公開的一些實施方式，而不應將其視為是對本申請范圍的限制。
[0032]圖1示出根據本申請實施例的掩膜板的示意圖；
[0033]圖2示出根據本申請實施例的掩膜板的掩膜條和掩膜框的連接示意圖；
[0034]圖3示出根據本申請實施例的掩膜板的掩膜片的示意圖；
[0035]圖4示出根據本申請實施例的掩膜板的掩膜條的凹槽區域的俯視圖；
[0036]圖5示出根據本申請實施例的掩膜板的剖面圖；
[0037]圖6示出根據本申請實施例的掩膜片的減薄區域的俯視圖；
[0038]圖7示出根據本申請實施例的掩膜片的減薄區域的剖面圖；
[0039]圖8示出利用本申請實施例的掩膜片在蒸鍍基板上形成第一目標子像素的示意圖；
[0040]圖9示出根據本申請實施例的掩膜板的制備方法的流程圖；
[0041]圖10至圖12示出根據本申請實施例的掩膜板的制備方法的制備過程示意圖。
具體實施方式
[0042]在下文中，僅簡單地描述了某些示例性實施例。正如本領域技術人員可認識到的那樣，在不脫離本本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種掩膜板，其特征在于，包括：掩膜框；掩膜條，連接于所述掩膜框，所述掩膜條朝向蒸鍍基板的一側具有支撐面，所述支撐面設有開孔區域；掩膜片，連接于所述支撐面朝向所述蒸鍍基板的一側，所述掩膜片朝向所述蒸鍍基板的表面設有減薄區域，所述減薄區域沿遠離所述蒸鍍基板的方向凹陷形成，所述減薄區域設有多個蒸鍍通孔，多個所述蒸鍍通孔與所述蒸鍍基板上的多個第一目標子像素一一對應，且所述蒸鍍通孔的形狀與所述第一目標子像素的預設形狀對應；其中，多個所述開孔區域與多個所述減薄區域一一對應且正對設置，所述開孔區域的正投影面積大于所述減薄區域的正投影面積。2.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述支撐面還設有與所述開孔區域相間隔的凹槽區域，所述凹槽區域包括貫穿所述掩膜條的多個透光孔；其中，所述凹槽區域用于容納光敏膠，所述透光孔用于供紫外光線穿過并照射所述光敏膠以使所述光敏膠固化，所述掩膜條和所述掩膜片通過固化的光敏膠粘接相連。3.根據權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜條的厚度為50至100微米，所述凹槽區域的深度與所述掩膜條的厚度之間的比值為1/3至1/2。4.根據權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述透光孔的直徑為100至200微米。5.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜條的材質為因瓦合金，所述掩膜條與蒸鍍設備的磁性件之間產生磁力吸附作用，以使所述掩膜片與所述蒸鍍基板相貼合；和/或，所述掩膜框的材質為不銹鋼或者因瓦合金。6.根據權利要求1至5任一項所述的掩膜板，其特征在于，所述減薄區域還設有與所述蒸鍍通孔間隔設置的非蒸鍍凹槽，所述非蒸鍍凹槽與所述蒸鍍通孔間隔設置，多個所述非蒸鍍凹槽與所述蒸鍍基板上的多個第二目標子像素一一對應，且所述非蒸鍍凹槽...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張峰杰，王路，王偉杰，孫中元，薛金祥，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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