一種蒸鍍掩膜版及其制作方法、蒸鍍設備技術

本發明專利技術公開了一種蒸鍍掩膜版及其制作方法、蒸鍍設備，該蒸鍍掩膜版包括：掩膜本體，所述掩膜本體具有貫穿厚度方向的多個通孔，一個通孔對應一個顯示面板，所述掩膜本體與所述顯示面板的襯底基板具有相同的熱形變特性；限定掩膜層，設置在所述掩膜本體的一側，所述限定層掩膜用于形成所述顯示面板所需的蒸鍍圖形；所述襯底基板位于所述限定掩膜層遠離所述掩膜本體的一側，所述掩膜本體的厚度遠大于所述限定掩膜層的厚度。限定掩膜層的厚度。限定掩膜層的厚度。

【技術實現步驟摘要】
一種蒸鍍掩膜版及其制作方法、蒸鍍設備


[0001]本專利技術涉及顯示領域，尤其涉及一種蒸鍍掩膜版及其制作方法、蒸鍍設備。

技術介紹

[0002]有源矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)顯示面板的發光器件中的各材料層，通常是采用真空蒸鍍工藝制備而成的。
[0003]蒸鍍工藝是在真空條件下，將有機材料放置于坩堝中，通過高溫加熱使鍍膜材料蒸發或升華為氣態粒子，氣化的材料粒子通過蒸鍍掩膜上限定的圖形開孔沉積到基板上，并在基板表面相應的位置形成預設圖形。由于基板與蒸鍍掩膜在蒸鍍機內受到坩堝熱源輻射熱及蒸鍍材料的沉積熱影響，會發生熱膨脹變形，從而導致基板及掩膜開孔圖形的位置偏差，發光材料蒸鍍位置偏移，進而引起屏幕混色不良，邊框處發生脫落不良，限制屏幕邊框減小等問題。
[0004]鑒于此，如何減小蒸鍍掩膜的工藝變形，成為一個亟待解決的技術問題。

技術實現思路

[0005]本專利技術實施例提供一種蒸鍍掩膜版及其制作方法、蒸鍍設備，用以解決現有技術中存在的上述問題。
[0006]第一方面，為解決上述技術問題，本專利技術實施例提供一種蒸鍍掩膜版，包括：
[0007]掩膜本體，所述掩膜本體具有貫穿厚度方向的多個通孔，一個通孔對應一個顯示面板，所述掩膜本體與所述顯示面板的襯底基板具有相同的熱形變特性；
[0008]限定掩膜層，設置在所述掩膜本體的一側，所述限定層掩膜用于形成所述顯示面板所需的蒸鍍圖形；所述襯底基板位于所述限定掩膜層遠離所述掩膜本體的一側，所述掩膜本體的厚度遠大于所述限定掩膜層的厚度。
[0009]一種可能的實施方式，所述通孔的橫截面在所述厚度方向上逐漸增大。
[0010]一種可能的實施方式，所述掩膜本體具有平行的第一表面和第二表面；
[0011]所述通孔，包括：相對設置的第一開口和第二開口，所述第一開口位于所述第一表面，所述第二開口位于所述第二表面，所述第一開口的面積大于所述第二開口的面積；所述限定掩膜層位于所述第二表面。
[0012]一種可能的實施方式，所述第二開口完全覆蓋所述襯底基板的有效顯示區。
[0013]一種可能的實施方式，所述第一開口和所述第二開口在所述第一表面的正投影的邊緣間距大于2mm。
[0014]一種可能的實施方式，所述限定掩膜層，包括：
[0015]多個掩膜單元，所述掩膜單元與至少一個通孔對應；
[0016]多個間隙，所述間隙位于相鄰的兩個掩膜單元之間。
[0017]一種可能的實施方式，所述掩膜單元包括呈陣列排布的多個像素開口，或與所述襯底基板的有效顯示區對應的顯示開口。
[0018]一種可能的實施方式，還包括：
[0019]多個支撐結構，所述多個支撐結構圍繞所述多個掩膜單元。
[0020]一種可能的實施方式，還包括：
[0021]至少一個間隔結構，所述間隔結構位于至少部分相鄰兩個掩膜單元之間。
[0022]一種可能的實施方式，所述通孔的形狀，包括：
[0023]長方形、正方形、圓形、異形。
[0024]一種可能的實施方式，不同形狀的通孔設置在于不同區域。
[0025]一種可能的實施方式，所述限定掩膜層的材料，包括：
[0026]金屬材料或聚酰亞胺。
[0027]一種可能的實施方式，所述限定掩膜層的材料為所述金屬材料時，所述蒸鍍掩膜版還包括：
[0028]導電層，位于所述掩膜本體與所述限定掩膜層之間，所述導電層與所述限定掩膜層的圖形一致。
[0029]一種可能的實施方式，所述限定掩膜層完全覆蓋所述導電層。
[0030]一種可能的實施方式，所述限定掩膜層的邊緣為弧面。
[0031]一種可能的實施方式，所述金屬材料，包括：
[0032]鐵、鎳、鈷中的任一個或任意組合；所述導電層的材料，包括：
[0033]氧化銦錫、鈦、鉑、銀中的任一個。
[0034]一種可能的實施方式，所述掩膜本體的厚度與所述襯底基板的厚度相同；
[0035]所述掩膜本體與所述襯底基板采用的材料相同。
[0036]一種可能的實施方式，所述限定掩膜層的厚度范圍為5um～30um。
[0037]第二方面，本專利技術實施例提供了一種基于第一方面的蒸鍍掩膜版的制作方法，包括：
[0038]提供一掩膜體；
[0039]對所述掩膜體進行圖案化，形成掩膜本體，所述掩膜本體具有貫穿厚度方向的多個通孔，一個通孔對應一個顯示面板，所述掩膜本體與所述顯示面板的襯底基板具有相同的熱形變特性；
[0040]在所述掩膜本體的一通孔中形成一層填充層；所述填充層至少填平所述多個通孔，使所述掩膜本體表面平整；
[0041]在所述填充層的一側，形成限定掩膜層；其中，所述限定掩膜層用于形成所述顯示面板所需的蒸鍍圖形，所述限定掩膜層的厚度遠小于所述掩膜本體的厚度；
[0042]剝離所述填充層。
[0043]一種可能的實施方式，在所述填充層的一側，形成所述限定掩膜層，包括：
[0044]在所述掩膜本體的第二表面所在側，沉積金屬層；所述第二表面為所述通孔開口面積最小的一面；
[0045]對所述金屬層進行圖案化，形成與所述蒸鍍圖形一致的導電層；
[0046]在所述導電層遠離所述掩膜本體的一側表面，電沉積形成所述限定掩膜層。
[0047]一種可能的實施方式，在所述填充層一側，形成所述限定掩膜層，包括：
[0048]在所述掩膜本體的第二表面所在側，涂覆一層聚酰亞胺層；所述第二表面為所述
通孔開口面積最小的一面；
[0049]對所述聚酰亞胺層進行固化；
[0050]對固化后的聚酰亞胺層進行圖案化，獲得所述限定掩膜層。
[0051]第三方面，本專利技術實施例提供了一種蒸鍍設備，包括如第一方面所述的蒸鍍掩膜版。
附圖說明
[0052]圖1為相關技術中OLED發光器件的膜層結構示意圖；
[0053]圖2為相關技術中一種蒸鍍金屬掩膜版的俯視圖；
[0054]圖3為圖2中AA
’
方向的截面圖；
[0055]圖4為相關技術中金屬掩膜與顯示面板的襯底基板下垂量的對比示意圖；
[0056]圖5為相關技術中在襯底基板上沉積發光材料與襯底基板顯示區的偏移對比示意圖；
[0057]圖6為本專利技術實施例提供的一種蒸鍍掩膜版的俯視示意圖；
[0058]圖7為本專利技術實施例提供的一種圖6中BB
’
的截面圖；
[0059]圖8為本專利技術實施例提供的一種圖6中掩膜本體在BB
’
的截面圖；
[0060]圖9為本專利技術實施例提供的另一種圖6中掩膜本體在BB
’
的截面圖；
[0061]圖10為本專利技術實施例提供的一種蒸鍍掩膜版的結構示意圖；
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【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種蒸鍍掩膜版，其特征在于，包括：掩膜本體，所述掩膜本體具有貫穿厚度方向的多個通孔，一個通孔對應一個顯示面板，所述掩膜本體與所述顯示面板的襯底基板具有相同的熱形變特性；限定掩膜層，設置在所述掩膜本體的一側，所述限定層掩膜用于形成所述顯示面板所需的蒸鍍圖形；所述襯底基板位于所述限定掩膜層遠離所述掩膜本體的一側，所述掩膜本體的厚度遠大于所述限定掩膜層的厚度。2.如權利要求1所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述通孔的橫截面在所述厚度方向上逐漸增大。3.如權利要求2所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述掩膜本體具有平行的第一表面和第二表面；所述通孔，包括：相對設置的第一開口和第二開口，所述第一開口位于所述第一表面，所述第二開口位于所述第二表面，所述第一開口的面積大于所述第二開口的面積；所述限定掩膜層位于所述第二表面。4.如權利要求3所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述第二開口完全覆蓋所述襯底基板的有效顯示區。5.如權利要求3所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述第一開口和所述第二開口在所述第一表面的正投影的邊緣間距大于2mm。6.如權利要求1所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述限定掩膜層，包括：多個掩膜單元，所述掩膜單元與至少一個通孔對應；多個間隙，所述間隙位于相鄰的兩個掩膜單元之間。7.如權利要求6所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述掩膜單元包括呈陣列排布的多個像素開口，或與所述襯底基板的有效顯示區對應的顯示開口。8.如權利要求6所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，還包括：多個支撐結構，所述多個支撐結構圍繞所述多個掩膜單元。9.如權利要求8所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，還包括：至少一個間隔結構，所述間隔結構位于至少部分相鄰兩個掩膜單元之間。10.如權利要求1
?
9任一項所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述通孔的形狀，包括：長方形、正方形、圓形、異形。11.如權利要求10所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，不同形狀的通孔設置在于不同區域。12.如權利要求1
?
9任一項所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述限定掩膜層的材料，包括：金屬材料或聚酰亞胺。13.如權利要求12所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述限定掩膜層的材料為所述金屬材料時，所述蒸鍍掩膜...

【專利技術屬性】
技術研發人員：白珊珊，李彥松，劉華猛，關新興，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：