一種用于MPCVD的緊湊型升降機構制造技術

本實用新型專利技術公開了一種用于MPCVD的緊湊型升降機構，包括用于與樣品臺連接的樣品臺支撐柱和用于與沉積腔底板連接的底板支撐柱；底板支撐柱用于滑動安裝在MPCVD的真空腔內，樣品臺支撐柱連接有第一驅動機構，底板支撐柱連接有第二驅動機構；樣品臺支撐柱位于底板支撐柱內部且滑動密封連接，第一驅動機構用于驅動樣品臺支撐柱在底板支撐柱內部移動，第二驅動機構用于驅動板支撐柱在MPCVD的真空腔內移動。本實用新型專利技術極大的縮減了裝置的體積，在滿足升降的基礎上，能夠大幅度減少MPCVD裝置的結構成本；同時，底板支撐柱與樣品臺之間設置有滑動電磁屏蔽密封結構，通過滑動電磁屏蔽密封結構來實現底板支撐柱與樣品臺之間的滑動電氣密封，減少并抑制了微波泄漏。減少并抑制了微波泄漏。減少并抑制了微波泄漏。

【技術實現步驟摘要】
一種用于MPCVD的緊湊型升降機構


[0001]本技術涉及微波等離子體化學氣相沉積
，具體涉及一種用于MPCVD的緊湊型升降機構。

技術介紹

[0002]微波等離子化學氣相沉積技術(MPCVD),通過等離子增加前驅體的反應速率，降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態好的高質量硬質薄膜和晶體。
[0003]微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)單晶金剛石生長技術由于其微波能量無污染、氣體原料純凈等優勢而在眾多單晶金剛石制備方法中脫穎而出，成為制備大尺寸、高品質單晶金剛石最有發展前景的技術之一。目前，微波等離子體CVD被認為是一種理想的沉積金剛石的方法。其原理為：在微波能量的作用下，將沉積氣體激發成等離子體狀態，在由微波產生的電磁場的作用下，腔內的電子相互碰撞并產生劇烈的振蕩，促進了諧振腔內其他的原子、基團及分子之間的相互碰撞，從而有效地提高反應氣體的離化程度，產生更高密度的等離子體的產生。在反應過程中原料氣體電離化程度達到10％以上，使得腔體中充滿過飽和原子氫和含碳基團，從而有效地提高了沉積速率并且使得金剛石的沉積質量得到改善。
[0004]申請號為：CN202123196520.9，公開號為：CN216427483U的技術公開了MPCVD用三層升降平臺，包括箱體，所述箱體的頂部設置有反應器體，所述箱體內的底部設置有底板，所述底板上設置有第一升降件，所述第一升降件上設置有移動板，所述移動板的上表面設置有第一安裝圓盤，所述第一安裝圓盤的中部設置有第一套筒，所述第一套筒內設置有第二套筒，所述移動板的中部開設有第二通孔，所述第二套筒的下端穿過所述移動板的底部向下延伸，所述第二套筒的底部設置有第二安裝圓盤，所述箱體內設置有第二升降件；該技術第一電機驅動第一主動輪轉動，通過第一同步帶帶動四個第一從動輪轉動，通過第一從動輪帶動第一螺桿轉動，從而實現第一套筒、第二套筒和樣品臺的上升，通過第一套筒閉合反應器體，再通過真空泵將反應器體抽至真空，第二電機驅動第二主動輪帶動三個第二從動輪轉動，通過三個第二從動輪帶動三根第二螺桿轉動，從而帶動第二套筒和樣品臺上下移動。上述MPCVD用三層升降平臺復雜而體積龐大。

技術實現思路

[0005]本技術的目的在于提供一種用于MPCVD的緊湊型升降機構，其目的在于解決上述問題，提供一種簡單緊湊的升降機構裝置，本技術極大的縮減了裝置的體積，在滿足升降的基礎上，能夠大幅度減少MPCVD裝置的結構成本。
[0006]為解決上述技術問題，本技術所采用的技術方案是：
[0007]一種用于MPCVD的緊湊型升降機構，包括用于與樣品臺連接的樣品臺支撐柱和用于與沉積腔底板連接的底板支撐柱；底板支撐柱用于滑動安裝在MPCVD的真空腔內，樣品臺支撐柱連接有第一驅動機構，底板支撐柱連接有第二驅動機構；
[0008]其中，樣品臺支撐柱位于底板支撐柱內部且滑動密封連接，第一驅動機構用于驅動樣品臺支撐柱在底板支撐柱內部移動，第二驅動機構用于驅動板支撐柱在MPCVD的真空腔內移動，底板支撐柱與樣品臺之間設置有滑動電磁屏蔽密封結構；通過設置的電磁屏蔽密封結構保證滑動面的兩個器件電接觸，防止微波泄漏以及滑動面放電打火現象。
[0009]其中，樣品臺支撐柱呈管狀結構，樣品臺支撐柱上端與樣品臺的底板焊接呈一體式結構；
[0010]底板支撐柱呈T型管狀結構，大端用于與沉積腔底板焊接在一起，小端與樣品臺滑動密封連接。
[0011]進一步優化，底板支撐柱內側設置有凹槽，凹槽內設置有銅制電磁屏蔽密封圈，底板支撐柱與樣品臺通過銅制電磁屏蔽密封圈實現滑動電氣密封。
[0012]其中，凹槽為燕尾槽，銅制電磁屏蔽密封圈嵌裝在燕尾槽內。
[0013]進一步限定，第一驅動機構包括波紋管上法蘭、波紋管下法蘭、波紋管、支座、絲杠、絲杠螺母和電機，波紋管上法蘭上端通過一真空腔法蘭與MPCVD的真空腔連接，底板支撐柱通過直線軸承與波紋管上法蘭連接，波紋管上法蘭安裝在支座上，所述絲杠上端轉動安裝在波紋管上法蘭上，下端轉動安裝在支座上，電機安裝在支座上后與絲杠連接，所述絲杠螺母安裝在絲杠上，樣品臺支撐柱下端與波紋管下法蘭通過一密封堵頭連接，波紋管下法蘭與絲杠螺母連接，波紋管上法蘭與波紋管下法蘭之間通過所述波紋管連接。
[0014]其中，支座上設置有加強筋。
[0015]進一步優化，第二驅動機構包括齒輪、齒條和傳動軸，齒條固定安裝在底板支撐柱上，傳動軸用于轉動密封安裝在MPCVD的真空腔上，齒輪位于MPCVD的真空腔內并與所述齒條嚙合，傳動軸上遠離齒輪一端連接有減速機和驅動電機。
[0016]其中，所述電機為步進電機。
[0017]與現有技術相比，本技術具有以下有益效果：
[0018]本技術主要由樣品臺支撐柱、底板支撐柱、第一驅動機構及第二驅動機構組成，通過設置單獨的第一驅動機構和第二驅動機構來實現對樣品臺支撐柱和底板支撐柱的驅動，同時將樣品臺支撐柱位于底板支撐柱內部且滑動密封連接，極大的縮減了裝置的體積，在滿足升降的基礎上，能夠大幅度減少MPCVD裝置的結構成本；同時，底板支撐柱與樣品臺之間設置有滑動電磁屏蔽密封結構，通過滑動電磁屏蔽密封結構來實現底板支撐柱與樣品臺之間的滑動電氣密封，減少并抑制了微波泄漏。
附圖說明
[0019]為了更清楚地說明本技術實施方式的技術方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應當理解，以下附圖僅示出了本技術的某些實施例，因此不應被看作是對范圍的限定，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他相關的附圖。
[0020]圖1為本技術整體結構示意圖。
[0021]圖2為本技術圖1的剖視圖。
[0022]圖3為本技術與真空腔的連接關系示意圖。
[0023]附圖標記：
[0024]1?
樣品臺，2
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樣品臺支撐柱，3
?
沉積腔底板，4
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底板支撐柱，5
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燕尾槽，6
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齒輪，7
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齒條，8
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軸承，9
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波紋管，10
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絲杠，11
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支座，12
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加強筋，13
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電機，14
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絲杠螺母，15
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真空腔，16
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傳動軸，17
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銅制電磁屏蔽密封圈，18
?
波紋管上法蘭，19
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波紋管下法蘭，20
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第一驅動機構，21
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第二驅動機構，22
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真空腔法蘭，23軸承座，24電機座，25聯軸器。
具體實施方式
[0025]在下文中，僅簡單地描述了某些示例性實施例。正如本領域技術本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種用于MPCVD的緊湊型升降機構，包括用于與樣品臺連接的樣品臺支撐柱和用于與沉積腔底板連接的底板支撐柱；其特征在于：底板支撐柱用于滑動安裝在MPCVD的真空腔內，樣品臺支撐柱連接有第一驅動機構，底板支撐柱連接有第二驅動機構；其中，樣品臺支撐柱位于底板支撐柱內部且滑動密封連接，第一驅動機構用于驅動樣品臺支撐柱在底板支撐柱內部移動，第二驅動機構用于驅動板支撐柱在MPCVD的真空腔內移動；底板支撐柱與樣品臺之間設置有滑動電磁屏蔽密封結構。2.根據權利要求1所述的一種用于MPCVD的緊湊型升降機構，其特征在于：樣品臺支撐柱呈管狀結構，樣品臺支撐柱上端與樣品臺的底板焊接呈一體式結構；底板支撐柱呈T型管狀結構，大端用于與沉積腔底板焊接在一起，小端與樣品臺滑動密封連接。3.根據權利要求2所述的一種用于MPCVD的緊湊型升降機構，其特征在于：底板支撐柱內側設置有凹槽，凹槽內設置有銅制電磁屏蔽密封圈，底板支撐柱與樣品臺通過銅制電磁屏蔽密封圈實現滑動電氣密封。4.根據權利要求3所述的一種用于MPCVD的緊湊型升降機構，其特征在于：凹槽為燕尾槽，銅制電磁屏蔽密封圈嵌裝在燕尾槽內，防止銅制電磁屏蔽密封...

【專利技術屬性】
技術研發人員：唐挺，劉藝昭，王曙光，
申請(專利權)人：成都歐拉微波元器件有限公司，
類型：新型
國別省市：