半導(dǎo)體器件制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底，包括溝槽隔離結(jié)構(gòu)圍成的有源區(qū)，源極區(qū)和漏極區(qū)分別形成于所述有源區(qū)中；柵極層，包括主柵和與所述主柵連接的擴(kuò)展柵，所述主柵形成于所述有源區(qū)上，所述擴(kuò)展柵形成于所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)上；源/漏導(dǎo)電插塞，形成于所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)上上；柵極導(dǎo)電插塞，形成于所述擴(kuò)展柵上，所述柵極導(dǎo)電插塞的橫截面積大于所述源/漏導(dǎo)電插塞的橫截面積。本實(shí)用新型專利技術(shù)的技術(shù)方案使得在器件尺寸減小的同時(shí)，還能避免低噪聲放大器的噪聲增大。噪聲放大器的噪聲增大。噪聲放大器的噪聲增大。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
半導(dǎo)體器件


[0001]本技術(shù)涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件。

技術(shù)介紹

[0002]噪聲是低噪聲放大器的一個(gè)重要參數(shù)。在低噪聲放大器LNA(Low Noise Amplifier)中，柵極層包括主柵和擴(kuò)展柵，主柵位于有源區(qū)上，擴(kuò)展柵位于溝槽隔離結(jié)構(gòu)上，有源區(qū)中形成有源極區(qū)和漏極區(qū)；每個(gè)擴(kuò)展柵上形成有至少兩個(gè)柵極導(dǎo)電插塞，有源區(qū)上也形成多個(gè)源/漏導(dǎo)電插塞，且擴(kuò)展柵和有源區(qū)上的每個(gè)導(dǎo)電插塞的橫截面積和形狀相同。其中，隨著器件尺寸做得越來(lái)越小，要求柵極層的尺寸減小，那么，擴(kuò)展柵的尺寸也要減小，導(dǎo)致擴(kuò)展柵上形成的導(dǎo)電插塞的數(shù)量需要減少，進(jìn)而導(dǎo)致柵電阻增大，從而導(dǎo)致低噪聲放大器的噪聲增大。
[0003]因此，如何在器件尺寸減小的同時(shí)，還能避免低噪聲放大器的噪聲增大是目前亟需解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

[0004]本技術(shù)的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件，使得在器件尺寸減小的同時(shí)，還能避免低噪聲放大器的噪聲增大。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：
[0006]襯底，包括溝槽隔離結(jié)構(gòu)圍成的有源區(qū)，源極區(qū)和漏極區(qū)分別形成于所述有源區(qū)中；
[0007]柵極層，包括主柵和與所述主柵連接的擴(kuò)展柵，所述主柵形成于所述有源區(qū)上，所述擴(kuò)展柵形成于所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)上；
[0008]源/漏導(dǎo)電插塞，形成于所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)上；
[0009]柵極導(dǎo)電插塞，形成于所述擴(kuò)展柵上，所述柵極導(dǎo)電插塞的橫截面積大于所述源/漏導(dǎo)電插塞的橫截面積。
>[0010]可選地，所述源/漏導(dǎo)電插塞為多個(gè)，所述柵極導(dǎo)電插塞為至少一個(gè)，每個(gè)所述柵極導(dǎo)電插塞的橫截面積大于每個(gè)所述源/漏導(dǎo)電插塞的橫截面積。
[0011]可選地，所述柵極層的俯視面的形狀為長(zhǎng)方形。
[0012]可選地，所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)的頂面與所述襯底的頂面齊平或高于所述襯底的頂面。
[0013]可選地，所述源/漏導(dǎo)電插塞與所述柵極導(dǎo)電插塞的橫截面形狀不同。
[0014]可選地，所述柵極層包括至少兩個(gè)所述主柵和至少一個(gè)所述擴(kuò)展柵，所述主柵和所述擴(kuò)展柵交替連接，以形成俯視面形狀為蛇形的所述柵極層；或者，所述柵極層的俯視面的形狀為工字形、T形或L形，工字形、T形和L形的“|”部位位于所述有源區(qū)上的部分為所述主柵，工字形、T形和L形的“|”部位位于所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)上的部分為所述擴(kuò)展柵。
[0015]可選地，所述柵極導(dǎo)電插塞在垂直于所述襯底表面方向上的投影位于所述擴(kuò)展柵
內(nèi)。
[0016]可選地，所述源/漏導(dǎo)電插塞的橫截面形狀為圓形或正方形。
[0017]可選地，所述柵極導(dǎo)電插塞的橫截面形狀為橢圓形或長(zhǎng)方形。
[0018]可選地，所述半導(dǎo)體器件用于形成低噪聲放大器。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)的半導(dǎo)體器件，由于包括：襯底，包括溝槽隔離結(jié)構(gòu)圍成的有源區(qū)，源極區(qū)和漏極區(qū)分別形成于所述有源區(qū)中；柵極層，包括主柵和與所述主柵連接的擴(kuò)展柵，所述主柵形成于所述有源區(qū)上，所述擴(kuò)展柵形成于所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)上；源/漏導(dǎo)電插塞，形成于所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)上；柵極導(dǎo)電插塞，形成于所述擴(kuò)展柵上，所述柵極導(dǎo)電插塞的橫截面積大于所述源/漏導(dǎo)電插塞的橫截面積，使得在器件尺寸減小的同時(shí)，還能避免低噪聲放大器的噪聲增大。
附圖說(shuō)明
[0020]圖1～圖5是本技術(shù)具體實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的俯視示意圖。
[0021]其中，附圖1～圖5的附圖標(biāo)記說(shuō)明如下：
[0022]11
?
有源區(qū)；12
?
柵極層；121
?
主柵；122
?
擴(kuò)展柵；1221
?
第一部分；1222
?
第二部分；13
?
源/漏導(dǎo)電插塞；14
?
柵極導(dǎo)電插塞。
具體實(shí)施方式
[0023]為使本技術(shù)的目的、優(yōu)點(diǎn)和特征更加清楚，以下結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)提出的半導(dǎo)體器件作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本技術(shù)實(shí)施例的目的。下文中所述“多個(gè)”意味著大于或等于2個(gè)。
[0024]本技術(shù)一實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：襯底，包括溝槽隔離結(jié)構(gòu)圍成的有源區(qū)，源極區(qū)和漏極區(qū)分別形成于所述有源區(qū)中；柵極層，包括主柵和與所述主柵連接的擴(kuò)展柵，所述主柵形成于所述有源區(qū)上，所述擴(kuò)展柵形成于所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)上；源/漏導(dǎo)電插塞，形成于所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)上；柵極導(dǎo)電插塞，形成于所述擴(kuò)展柵上，所述柵極導(dǎo)電插塞的橫截面積大于所述源/漏導(dǎo)電插塞的橫截面積。
[0025]在這些實(shí)施例中，橫截面指的是導(dǎo)電插塞的俯視面，橫截面積指的是導(dǎo)電插塞俯視面的面積。
[0026]下面參閱圖1～圖5詳細(xì)描述本實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件。
[0027]所述襯底包括溝槽隔離結(jié)構(gòu)(未圖示)圍成的有源區(qū)11，源極區(qū)(未圖示)和漏極區(qū)(未圖示)分別形成于所述有源區(qū)11中。所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)起隔離作用，所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)的頂面與所述襯底的頂面齊平或高于所述襯底的頂面。
[0028]所述柵極層12包括主柵121和與所述主柵121連接的擴(kuò)展柵122，所述主柵121形成于所述有源區(qū)11上，所述擴(kuò)展柵122形成于所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)上。
[0029]所述主柵121與所述襯底之間還形成有柵氧層(未圖示)。
[0030]所述柵極層12可以包括至少一個(gè)所述主柵121和至少一個(gè)所述擴(kuò)展柵122。
[0031]所述擴(kuò)展柵122可以包括延伸方向與所述主柵121相同的第一部分1221以及延伸方向與所述主柵121垂直的第二部分1222，所述第一部分1221與所述主柵121接觸。
[0032]所述柵極層12包括至少兩個(gè)所述主柵121和至少一個(gè)所述擴(kuò)展柵122，所述主柵121和所述擴(kuò)展柵122交替連接，以形成俯視面形狀為蛇形的所述柵極層12；或者，所述柵極層12的俯視面的形狀為工字形、T形或L形，工字形、T形和L形的“|”部位位于所述有源區(qū)11上的部分為所述主柵121，工字形、T形和L形的“|”部位位于所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)上的部分為所述擴(kuò)展柵122。
[0033]其中，如圖1所示，所述柵極層12包括至少兩個(gè)所述主柵121和至少一個(gè)所述擴(kuò)展柵122，所述主柵121和所述擴(kuò)展柵122交替連接，以形成俯視面形狀為蛇形的所述柵極層12；或者，如圖2所示，所述柵極層12包括一個(gè)所述主柵121以及形成于所述主柵121兩端的所述擴(kuò)展柵122，所述柵極層12的俯視面的形狀為工字形，工字形的“|”部位位于所述有源區(qū)11上的部分為所述主柵121，工字形的“|”部位位于所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)上的部分為所述第一部分1221，工字形的“—”部位為所述第二部分1222；或者，如圖3所示，所述柵極層12包括一個(gè)所述主柵121以及形成于所述主柵121一端的所述擴(kuò)展柵122，所述柵極層1本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：襯底，包括溝槽隔離結(jié)構(gòu)圍成的有源區(qū)，源極區(qū)和漏極區(qū)分別形成于所述有源區(qū)中；柵極層，包括主柵和與所述主柵連接的擴(kuò)展柵，所述主柵形成于所述有源區(qū)上，所述擴(kuò)展柵形成于所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)上；源/漏導(dǎo)電插塞，形成于所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)上；柵極導(dǎo)電插塞，形成于所述擴(kuò)展柵上，所述柵極導(dǎo)電插塞的橫截面積大于所述源/漏導(dǎo)電插塞的橫截面積。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述源/漏導(dǎo)電插塞為多個(gè)，所述柵極導(dǎo)電插塞為至少一個(gè)，每個(gè)所述柵極導(dǎo)電插塞的橫截面積大于每個(gè)所述源/漏導(dǎo)電插塞的橫截面積。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柵極層的俯視面的形狀為長(zhǎng)方形。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)的頂面與所述襯底的頂面齊平或高于所述襯底的頂面。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述源/漏導(dǎo)電插塞與所述柵極導(dǎo)電插塞...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李樂(lè)，周俊，楊道虹，薛廣杰，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：武漢新芯集成電路制造有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：