端接多個表面安裝元件的方法和制造多個表面安裝元件的方法技術

制造超小長度、寬度和高度的表面安裝電容器（１０）。例如，可制造０４０２規格和更小的電容器，其具有小于現有技術中電容器的高度。元件在各自的端部具有Ｌ形端子（１６，１８），提供下臺肩（２８，３０）用于安裝于電路板上。多數情況下，元件具有很小尺寸的上臺肩（３２，２４），以在元件表面上兩端子間提供較大間隙。某些實施例中，上表面還可以包括設于其上的取向標記。本發明專利技術還提供端接電容器或其它表面安裝元件的改進技術。（*該技術在2018年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本專利技術一般涉及適于表面安裝于較大電路板上的小型電子元件。更具體說，本專利技術涉及一種具有多種應用的表面安裝電容器件。
技術介紹
根據工業的實際情況，表面安裝元件的尺寸一般表示為數字“XXYY ”，其中XX和YY分別是長度和寬度，一般為百分之一英寸。在電子器件小型化趨勢的推動下，近些年來，人們付出了很多努力，以提供更小尺寸的表面安裝元件。例如，目前市場上能夠提供小到0402那么大的表面安裝RF/微波電容器。然而，不管已具有的小型化如何，仍需要器件更小。例如，希望提供高度小于目前市售產品的0402規格的電容器。此外，更小寬-長尺寸的RF/微波電容器也是很有用的。
技術實現思路
本專利技術認識到了現有技術結構和方法的種種缺點。因此，本專利技術的目的是提供一種新穎的表面安裝元件。本專利技術的特定目的是提供非常小的表面安裝電容器件。本專利技術再一特定目的是提供具有改進端接結構的非常小的表面安裝電容器件。本專利技術還有一目的是提供制造表面安裝電子元件的新技術。借助于包括其上設置有基本為L形端子的器件主體的表面安裝電容器件可以實現這些目的中的某些目的。器件主體包括例如釉面氧化鋁等具有上下表面的絕緣襯底。第一電容極板形式的第一導電圖形限定于襯底上表面上。介質層設置于導電圖形的上部。有與所說第一電容極板配準的第二電容極板的第二導電圖形設置于介質層上。蓋層設置于第二電容極板上，并將其密封。借助于端接例如電容器等多個表面安裝元件的改進方法，可以達到本專利技術的其它目的。提供一種可以通過在垂直方向切割得到多個元件的晶片。利用任何合適的技術，例如合適的膠，將晶片安裝于載體上。在將要安裝端子的位置，在第一方向穿過晶片切出一系列平行溝槽。然后安裝端子，而后，在垂直于第一方向的第二方向，穿過晶片制作一系列切口。然后從載體上取下各元器件。由以下將詳細討論的所公開元件的各種組合和再組合及制造它們的方法，提供本專利技術的其它目的、特點和方案。附圖說明對于所屬領域的技術人員來說本專利技術的充分可能的公開，更具體地記載于包括參照附圖的說明書其余部分中，這些公開中包括本專利技術最佳模式，各附圖中圖1是安裝于印刷電路板上時本專利技術表面安裝電容器件的透視圖；圖2是圖1所示表面安裝電容器件的放大透視圖；圖3是沿圖2中的線3-3取的剖面圖；圖4是與圖3類似的現有技術電容器件的剖面圖；圖5A至5D示意性地示出了根據本專利技術端接多個表面安裝元器件的各步驟；及圖6是根據本專利技術用于端接多個表面安裝元器件的孔板(shadow mask)的一部分的放大示圖。本說明書和附圖中，重復使用各參考標記，用于表示本專利技術的相同或類似特征或構件。具體實施例方式所屬領域的技術人員應理解，本公開只是對例示實施例的介紹，并不想限制本專利技術的更寬方案，本專利技術的更寬方案隱含于例示結構中。與現有技術相比，本專利技術提供具有各種有益特征的表面安裝元器件。例如，與過去提供的器件相比，薄膜電容器件可以制作得更小，高度也更小。此外，本專利技術器件的尺寸一致性很好。用于例示實施例的L形端接結構可以減少其它情況下會發生于表面安裝工藝期間的短路。現參見圖1，該圖示出了電容器10，在表面安裝于印刷電路板12上時，該電容器可以顯露出來。電容器10包括器件主體14，其上具有安裝于其相對端上的端子16和18。這些端子在各自的安裝焊盤例如焊盤20處固定于電路板12上。可以利用公知微帶技術，在電路板12的上表面上限定例如線條22等導電條。如圖所示，導電條從各安裝焊盤伸出，提供與其它電路的電連接。如圖2所示，器件主體14一般是矩形，限定了較長的長度尺寸和較短的寬度尺寸。器件主體14較好是還具有小于其寬度的高度尺寸。可以看出，端子16和18不圍繞器件主體14的橫向側邊延伸。結合圖3更容易介紹電容器10的端子結構和各種其它方案。如圖所示，端子16和18具有位于器件主體14端面上的各自的主臺肩(1and)24和26。安裝時，如圖所示，電容器10放置在于器件主體14“下”整體延伸的各安裝(或“底部”)臺肩28和30上。“上”臺肩32和34是制造工藝期間焊料的爬行造成的，一般寬度不超過0.05mm。因此，上臺肩一般可以忽略不計。制造工藝期間，電容器10按與典型安裝方向相反的取向制成。所以，器件主體14包括氧化鋁等構成的剛性基層36等。在這些實施例中，可以鄰接基層36設置釉層38，以形成基片基底。第一電極40鄰接釉層38形成。第二電極42鄰接中間介質層44與第一電極40相對形成。可以看出，第一電極40延伸到端子18，而第二電極42延伸到端子16。最好由氧化鋁等剛性材料構成的“蓋”層46，通過環氧層48或其它合適粘合劑設置于所得到的結構上。除上述各層外，電容器10最好包括釉層38和電極40間的第一鈍化層，以加強它們間的粘合。也可以在電極42和膠層48間設置第二鈍化層。最好用氧氮化硅或氧化硅形成這些鈍化層。在優選實施例中，電極40和42可以是鋁，介質層44是氧化硅或氧氮化硅。圖4示出了用于現有技術的小型電容器制造中的結構。可以看出，電容器50包括電容器主體52，主體52上具有設置于每端上的U形端子54和56。電容器主體52包括玻璃基片58，其上設置有第一鋁電極60。第二鋁電極62設置于氧化硅或氧氮化硅構成的中間介質層64上。然后，可以在電極62上設置氧氮化硅鈍化層(未示出)。最后，施加環氧層66，以固定玻璃蓋68。為了比較，以下的表I示出了圖3所示本專利技術例示0402電容器中和圖4所示現有技術0603電容器中各層的厚度。表I 一般說，本專利技術的電容器件將是利用薄膜技術制造的較大晶片所制造的許多器件中的一個。例如，在制造晶片時，可利用光刻技術形成各電極。授予Ritchie等人的美國專利4453199中介紹了制造這種晶片的薄膜技術，這里引用該文獻。由于根據本專利技術制造的晶片的固有剛性，可以研磨完成的晶片，以得到希望的最終厚度。該研磨步驟最后形成的電容器，其高度小于過去制造的相同元件尺寸的其它電容器的高度。例如，許多現有技術0402規格的薄膜電容器的高度高達約0.55mm、根據本專利技術，可以制造同樣規格但標稱高度只有約0.40mm(一般為0.40±0.05mm)的電容器。可以制造0201規格但只有約0.16mm(一般為0.16±0.02mm)或更小的超小高度的電容器。由于圖4所示現有技術的電容器采用的U形端接結構的緣故，在載帶和卷軸封裝工藝中對高-寬取向有要求。除高-寬取向外，本專利技術的L形端子還要求上-下取向。因此，各電容器的“上”部包括取向標記，例如可以是通過在晶片的該面上印刷形成的標記。本專利技術還提供一種在晶片的各電容器上安裝端子的方法。參見圖5A，首先將這樣一個晶片70固定于可以是玻璃片的較大載體72上。晶片70最好是利用例如UV光固化的膠等臨時性膠74粘附于載體72上。可以看出，晶片的取向使得例如標記76等“上部”取向標記在安裝端子期間是倒置的。然后，如圖5B所示，在第一方向，穿過晶片70，利用常規技術，限定一系列平行切口。結果，在載體72上形成了例如條帶80等一系列電容器陣列條。然后，可以例如利用噴砂法粗糙化陣列條間的溝槽78，以改進端子與主臺肩區(即，溝槽壁)的粘附性，然后通過化學處理進行清洗。現參見圖5C，然后，在安裝于載體72上的一系列陣列條上設置孔板。從圖6本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種端接多個表面安裝元件的方法，所說方法包括以下步驟：（ａ）提供通過在第一和第二方向切割可以產生多個所說元件的晶片；（ｂ）將所說晶片安裝于載體上；（ｃ）在將要安裝端子的位置，在所說第一方向，穿過晶片切割一系列平行溝槽 ；（ｄ）在所說平行溝槽中施加端子材料，以形成端子；及（ｅ）在所說第二方向上形成穿過晶片的一系列切口。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：蓋納迪雷特塞普特，
申請(專利權)人：阿維科斯公司，
類型：發明
國別省市：US[美國]