電子電路組件制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種適于小型化且輸出調(diào)整更為簡(jiǎn)單的電子電路組件。本電子電路組件是在氧化鋁基板上以薄膜形式形成電路元件和連接這些電路元件的導(dǎo)電圖樣Ｐ，其中電路元件包括電容Ｃ１－Ｃ７，電阻Ｒ１－Ｒ３以及電感元件Ｌ１－Ｌ３等，把二極管Ｄ１和晶體管Ｔｒ１的半導(dǎo)體裸芯片引線接合到導(dǎo)電圖樣Ｐ的連接區(qū)上，而且，只調(diào)整晶體管Ｔｒ１的基極偏壓用分壓電阻Ｒ１、Ｒ２和發(fā)射極電阻Ｒ３中的發(fā)射極電阻Ｒ３而調(diào)整輸出。（*該技術(shù)在2021年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及一種平面安裝型電子電路組件。一般來(lái)說(shuō)，這種平面安裝型電子電路組件按如下構(gòu)成，即把各種電路部件軟釬焊到設(shè)計(jì)在基板上的導(dǎo)電圖樣的軟釬焊接區(qū)上，再用密封蓋覆蓋這些電路部件。在基板側(cè)面上設(shè)置端面電極，把電子電路組件平面安裝到母基板上時(shí)，端面電極被軟釬焊到母基板的軟釬焊接區(qū)上。應(yīng)該根據(jù)調(diào)諧電路或共振電路或放大電路等所需電路構(gòu)成使用電路部件，例如放大電路用的電路部件可以使用晶體管、單片電阻、單片電容以及電感等，這些電路部件通過(guò)導(dǎo)電圖樣相互連接。然而，近幾年來(lái)，都在大力發(fā)展單片部件和晶體管等電路部件的小型化技術(shù)，例如使得外形尺寸0.6×0.3mm大小的超小型單片電阻和單片電容實(shí)用化。然而，如果在上述現(xiàn)有電子電路組件上也使用這種小型的單片部件或晶體管等，這些部件以相互極小的間隔被安裝到基板上，則可使電子電路組件小到某種程度。但是，因?yàn)閱纹考途w管等的電路部件的小型化是有限度的，而且，在把多個(gè)電路部件安裝到基板上時(shí)，各電路部件的軟釬焊部件必然會(huì)發(fā)生短路現(xiàn)象，所以部件間的間隙也是有一定限度的，這些因素成為妨礙電子電路組件更小型化的主要原因。當(dāng)這種電子電路組件具有如放大電路時(shí)，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，雖然放大電路所需要的全部電阻使用被預(yù)先調(diào)整到期望電阻值的通用的單片電阻，但是當(dāng)裝上的單片電阻中存在電阻值偏差時(shí)，晶體管的集電極電流就會(huì)出現(xiàn)偏差，導(dǎo)致以后的輸出調(diào)整非常麻煩。鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的實(shí)際問題，本專利技術(shù)的目的在于提供一種既可實(shí)現(xiàn)小型化，又能簡(jiǎn)單地進(jìn)行輸出調(diào)整的電子電路組件。為了達(dá)到上述目的，本專利技術(shù)的電子電路組件具備電路元件，該電路元件包括以薄膜形式形成在氧化鋁基板上的電容、電阻及電感元件和引線接合到上述氧化鋁基板上的晶體管的半導(dǎo)體裸芯片，上述晶體管具有至少一個(gè)第1晶體管，只調(diào)整該第1晶體管的基極偏壓用分壓電阻和發(fā)射極電阻中的發(fā)射極電阻，而設(shè)定上述第1晶體管的電流值。根據(jù)上述構(gòu)成，因?yàn)槔帽∧ぜ夹g(shù)高精度地形成包括電容、電阻以及電感的電路元件，而且，晶體管的半導(dǎo)體元件引線接合裸芯片，所以能夠把需要的電路部件高密度地安裝在氧化鋁基板上，使平面安裝型電子電路組件更加小型化。即使薄膜形式形成在氧化鋁基板上的基極偏壓用分壓電阻的每個(gè)電阻值存在偏差，因?yàn)橹灰{(diào)整發(fā)射極電阻，就可改變晶體管的集電極電流值，所以只在一個(gè)地方就能夠進(jìn)行輸出調(diào)整所需要的電阻值的調(diào)整。對(duì)于上述構(gòu)成，在晶體管具有相互串聯(lián)的第1晶體管和第2晶體管的情況下，最好是只調(diào)整這些第1及第2晶體管的基極偏壓用分壓電阻和發(fā)射極電阻中的第1晶體管的發(fā)射極電阻來(lái)設(shè)定兩晶體管的電流值，若作這樣的設(shè)定，僅僅調(diào)整第1晶體管的發(fā)射極電阻，就能夠省略全部基極偏壓用分壓電阻的調(diào)整。本專利技術(shù)的電子電路組件具備電路元件，該電路元件包括以薄膜形式形成在氧化鋁基板上的電容、電阻及電感元件和引線接合到上述氧化鋁基板上的晶體管的半導(dǎo)體裸芯片，上述晶體管具有至少一個(gè)第1晶體管，把向該第1晶體管基極施加電壓的基極偏壓用分壓電阻相互靠近地以薄膜形式形成在上述氧化鋁基板上。根據(jù)上述構(gòu)成，因?yàn)槔帽∧ぜ夹g(shù)高精度地形成包括電容、電阻以及電感元件的電路元件，而且，晶體管的半導(dǎo)體元件引線接合裸芯片，所以能夠把需要的電路部件高密度地安裝在氧化鋁基板上，使電子電路組件小型化。雖然，以薄膜狀形成在氧化鋁基板上的電阻的絕對(duì)值具有一定程度的偏差，但因?yàn)榘咽┘拥骄w管上的多個(gè)基極偏壓用分壓電阻相互接近地以薄膜方式形成，所以這些電阻的偏差比率基本上相同，從而能夠省略電阻值的調(diào)整。在晶體管具有相互串聯(lián)的第1晶體管和第2晶體管的情況下，最好是在氧化鋁基板上相互靠近地以薄膜形式形成第1及第2晶體管的基極偏壓用分壓電阻，如果這樣處理，則能夠省略全部基極偏壓用分壓電阻的調(diào)整。對(duì)于上述構(gòu)成，最好把多個(gè)基極偏壓用分壓電阻的一部分或全部并排成多列，如果這樣布置，則可在氧化鋁基板上有限的空間內(nèi)更有效地配置基極偏壓用分壓電阻。在氧化鋁基板上以薄膜形式形成包括電容、電阻及電感元件的電路元件的同時(shí)，引線接合晶體管半導(dǎo)體裸芯片，且只調(diào)整該晶體管的基極偏壓用分壓電阻和發(fā)射極電阻中的發(fā)射極電阻，所以不僅能夠把需要的電路部件高密度地安裝在氧化鋁基板上，使電子電路組件小型化，而且，即使薄膜形式形成在氧化鋁基板上的基極偏壓用分壓電阻的每個(gè)電阻值存在偏差，因?yàn)橹灰{(diào)整發(fā)射極電阻，就可改變晶體管的集電極電流值，所以能夠省略基極偏壓用分壓電阻的調(diào)整工作。在氧化鋁基板上以薄膜形式形成包括電容、電阻及電感元件的電路元件的同時(shí)，引線接合晶體管半導(dǎo)體裸芯片，以薄膜形式形成該晶體管的基極偏壓用分壓電阻并使兩者相互靠近，所以不僅能夠把需要的電路部件高密度地安裝在氧化鋁基板上，使電子電路組件小型化，而且，即使每個(gè)分壓電阻相對(duì)于期望值產(chǎn)生偏差，由于分壓電阻整體的偏差比率幾乎不變，因此，省略了相對(duì)于晶體管基極偏壓用分壓電阻的電阻值的調(diào)整，就能夠簡(jiǎn)單地進(jìn)行輸出調(diào)整。下面參照附圖對(duì)本專利技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。附圖說(shuō)明圖1是本專利技術(shù)實(shí)施例涉及的電子電路組件的透視圖。圖2是示出電路構(gòu)成布局的氧化鋁基板的平面圖。圖3是氧化鋁基板的內(nèi)表面圖。圖4是電路構(gòu)成的說(shuō)明圖。圖5是示出端面電極的透視圖。圖6是端面電極的截面圖。圖7A和圖7B是表示半導(dǎo)體裸芯片和連接區(qū)的關(guān)系的說(shuō)明圖。圖8A至圖8J是表示電子電路組件制造步驟的說(shuō)明圖。圖9是其它電路構(gòu)成的說(shuō)明圖。圖10是示出其它電路構(gòu)成布局的氧化鋁基板的平面圖。本實(shí)施例是頻率同步型升壓放大器的適用例，該頻率同步型升壓放大器，為了提高攜帶式視頻儀的信號(hào)接受性能(特別是信號(hào)接受靈敏度和抗干擾特性)而與圖未示出的超高頻(UHF)調(diào)諧器組合使用，并具有選擇所希望頻率的電視(TV)信號(hào)，且放大所選的電視信號(hào)后，輸入到超高頻調(diào)諧器內(nèi)的功能。圖1示出所述頻率同步型升壓放大器(電子電路組件)的外觀，如該圖所示，該頻率同步型升壓放大器由以下部件構(gòu)成，即由裝載了后述的電路構(gòu)成元件的氧化鋁基板1和安裝在該氧化鋁基板1上的密封蓋2構(gòu)成，成為被軟釬焊到圖未示出的母基板上的平面安裝部件。氧化鋁基板1呈方形的平板，是把大版基板分割成長(zhǎng)方形分割片后，通過(guò)對(duì)該分割片進(jìn)一步細(xì)分割而得到。密封蓋2是把金屬板彎折成箱形后加工而成的，因此，該密封蓋2覆蓋了氧化鋁基板1上的電路構(gòu)成元件。如圖2所示，在氧化鋁基板1的表面上設(shè)計(jì)了電路構(gòu)成構(gòu)件和與這些元件連接的導(dǎo)電圖樣，另外，如圖3所示，作為背面電極的導(dǎo)電圖樣設(shè)置在氧化鋁基板1的內(nèi)表面上。本實(shí)施例的頻率同步型升壓放大器為了選擇和放大電視信號(hào)而具有調(diào)諧電路和放大電路，構(gòu)成了如圖4所示的電路。對(duì)圖2示出的各電路構(gòu)成元件標(biāo)以與圖4的電路圖對(duì)應(yīng)的符號(hào)。但是，圖4是示出電路構(gòu)成的一例，本專利技術(shù)還可適用于具備除此以外電路構(gòu)成的電子電路組件。如圖4所示，頻率同步型升壓放大器具有作為調(diào)諧電路及放大電路的電路構(gòu)成元件的電容C1-C7、電阻R1-R3、電感L1-L3、二極管D1、晶體管Tr1、電路S1、S2等，這些電路構(gòu)成元件和與它們連接的導(dǎo)電圖樣被設(shè)在氧化鋁基板1的表面上。該導(dǎo)電圖樣是利用噴濺如Cr或Cu等薄膜技術(shù)而形成，圖2中，標(biāo)以符號(hào)P，用剖面線來(lái)表示。下面，簡(jiǎn)單說(shuō)明頻率同步型升壓放大器的電路構(gòu)成，為了選擇和放大所希望頻率的電視信號(hào)，由調(diào)諧電路和放大電路構(gòu)成，其中本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種電子電路組件，其具備：電路元件，該電路元件包括以薄膜形式形成在氧化鋁基板上的電容、電阻及電感元件和引線接合到上述氧化鋁基板上的晶體管的半導(dǎo)體裸芯片，上述晶體管具有至少一個(gè)第１晶體管，只調(diào)整該第１晶體管的基極偏壓用分壓電阻和發(fā)射極電阻中的發(fā)射極電阻，就可設(shè)定上述第１晶體管的電流值。

【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：善里彰之，植田和彥，五十嵐康博，井上明彥，佐久間博，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：阿爾卑斯電氣株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：JP[日本]