端子電鍍用電鍍引線結構制造技術

本發(fā)明專利技術提供一種能減小配線面積及噪聲的存儲器模塊多層印刷電路板的端子電鍍用電鍍引線結構。從正反面的各端子２１引出的配線，是以通過各ＢＴＨ１０連接于中層并從中層引出的配線１２作為電鍍引線而連接的。（*該技術在2016年保護過期，可自由使用*）

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及存儲器模塊多層印刷電路板的端子電鍍用電鍍引線的結構。隨著存儲器IC的小型化、薄型化，安裝存儲器IC的存儲器模塊的小型化、薄型化正在取得進展。作為該存儲器模塊的小型化來說，目前，引人注目的是DIMM(DualInline Memory Module)(雙列直插式存儲器模塊)。所謂DIMM，與以往SIMM(SingleInline Memory Module)(單列直插式存儲器模塊)正反面鄰接的外部端子通過通孔導通連接不同，其正反面鄰接的外部端子具有不同的信號。但是，上述SIMM或DIMM，如圖2(a-1)所示，如果端子2電鍍時所需的電鍍引線從電路板端面引出，則如圖2(a-2)所示，在進行根部清理加工時，電鍍引線將變成卷絲4，有可能導致鄰接的端子2的短路。圖中，1表示通孔，5表示根部清理加工的側面。因此，如圖2(b)所示，在SIMM的情況下，有一種從端子的通孔7引出中層引線的方法，但在DIMM的情況下，因正反面鄰接的端子不同，所以如圖2(c)所示，要從各端子鉆出電鍍用通孔。如采用這種結構，則因在與SIMM相同面積的范圍需集中2倍密度的通孔，所以存在使配線設計的難度增加，或不可能實現(xiàn)迂回連接的問題。本專利技術的目的是提供一種能夠解決上述問題、并能減小配線面積及噪聲的存儲器模塊多層印刷電路板的端子電鍍用電鍍引線結構。為達到上述目的，本專利技術(1)在存儲器模塊多層印刷電路板上，設有分別配置在正反面的端子、從該端子引出的配線、及連接該配線和中間層的暗穿孔。因此，即使是象DIMM那樣的正反面端子具有不同信號的模塊，也能采用BTH(暗穿孔)得到電鍍引線，與采用通孔時相比，通孔面積減小一半，可達到減小配線面積的目的。(2)在存儲器模塊多層印刷電路板上，設有通過暗穿孔以中層連接在一起進行電鍍用的配線、及在該配線電鍍后通過進行開孔加工(NC加工)將該配線斷開、配置在端子下的中層部分的GND(接地)區(qū)。這樣，用中層將鄰接的BTH進行連接配線，可整體地得到電鍍引線，所以可在端子下的中層設置GND圖形的空間。利用該端子下的中層GND圖形，能使互相受到信號復雜影向的端子部分的阻抗保持恒定，從而能減小噪聲。(3)在存儲器模塊多層印刷電路板上，設有以表層連接鄰接端子進行電鍍用的配線、及在電鍍后通過在該配線上進行開孔加工(NC加工)將該配線斷開、配置在端子下的中層部分的GND區(qū)。因此，除了與上述(2)同樣地能使端子部分的阻抗保持恒定、從而能減小噪聲之外，由于不需要BTH，所以能以現(xiàn)有的簡易技術實現(xiàn)，另外，由于是用表層進行配線、斷線的加工，所以在目視檢查時易于進行修改。圖1是表示本專利技術第1實施例的DIMM的端子電鍍用電鍍引線結構的斜視圖。圖2是表示現(xiàn)有的DIMM的端子電鍍用電鍍引線存在問題的圖。圖3是表示本專利技術第2實施例的DIMM的端子電鍍用電鍍引線結構的斜視圖。圖4是表示本專利技術第3實施例的存儲器模塊多層印刷電路板的端子電鍍用電鍍引線結構的斜視圖。符號說明10 BTH11 絕緣層12、13、22配線14、23開孔(NC加工)15 GND圖形21 端子以下，參照附圖說明本專利技術的實施形態(tài)。首先，說明本專利技術的第1實施例。圖1是表示本專利技術第1實施例的DIMM的端子電鍍用電鍍引線結構的斜視圖。在本實施例中，為得到DIMM的端子電鍍用電鍍引線，采用了BTH(暗穿孔)。BTH是采用僅將通孔鉆開必要部分(層間通孔)的方法、作為對高密度配線的一種有效技術而使用的。如圖1所示，上下2個BTH10具有不同的信號，但在各個BTH10之間備有絕緣層11，所以即使是在同一位置，也不會發(fā)生信號混線。這里，從正反面的各端子21引出的配線，是以通過各BTH10連接于中層并從中層引出的配線12作為電鍍引線連接的。如上所述，按照第1實施例，即使是象DIMM那樣的正反面端子具有不同信號的模塊，由于能采用BTH得到電鍍引線，所以與采用通孔時相比，通孔面積減小一半，可達到減小配線面積的目的。圖3是表示本專利技術第2實施例的存儲器模塊多層印刷電路板的端子電鍍用電鍍引線結構的斜視圖。在第1實施例中示出了采用BTH從端子下的中層得到電鍍引線的方法，但在本實施例中，如圖3(a)所示的那樣，從表層通過BTH10連接于中層并用中層連接鄰接的BTH10而構成配線13，將配線13匯總連接而從電路板側面得到引線。在進行電鍍后，如圖3(b)所示，從進行了配線連接的配線13的上部進行NC加工，形成開孔14，將鄰接的信號連接斷開。圖3(c)是中層的圖形(從上部透視)。這里，由于是將鄰接的BTH橫向配線，所以端子下的中層部分是空的。可將GND圖形15配置在該中層的空的部分。如上所述，按照第2實施例，用中層連接鄰接的BTH進行配線，可整體地得到電鍍引線，所以可在端子21下的中層形成配置GND圖形15的空間。利用該端子21下的中層GND圖形15，能使互相受到信號復雜影響的端子部分的阻抗保持恒定，從而能減小噪聲。圖4是表示本專利技術第3實施例的存儲器模塊多層印刷電路板的端子電鍍用電鍍引線結構的斜視圖。在上述第2實施例中，可通過BTH得到電鍍引線，但在本實施例中，如圖4(a)所示，是用表層將鄰接的端子21連接在一起構成配線22，并用配線22連接而得到電鍍引線。對配線22進行電鍍后，如圖4(b)所示，在配線22上進行NC加工，形成開孔23，將鄰接的信號連接斷開。在這種情況下，也能在端子下的中層配置GND圖形。如上所述，按照第3實施例，除了與第2實施例同樣地能使端子部分的阻抗保持恒定，預期能減小噪聲之外，由于不需要BTH，所以能以現(xiàn)有的簡易技術實現(xiàn)。另外，由于是用表層進行配線、斷線的加工，所以在目視檢查時易于進行修改。本專利技術并不限定于上述實施例，可根據(jù)本專利技術的主旨作各種變形，這些變形均不脫離本專利技術的范圍。如以上所詳細說明的，按照本專利技術，可以獲得如下效果。按照權利要求1所述的專利技術，即使是象DIMM那樣的正反面端子具有不同信號的模塊，也能采用BTH得到電鍍引線，與采用通孔時相比，通孔面積減小一半，可達到減小配線面積的目的。按照權利要求2所述的專利技術，用中層將鄰接的BTH進行連接配線，可整體地得到電鍍引線，所以可在端子下的中層形成設置GND圖形的空間。利用該端子下的中層GND圖形，能使受到信號復雜影向的端子部分的阻抗保持恒定，從而能減小噪聲。按照權利要求3所述的專利技術，除了與上述同樣地能使端子部分的阻抗保持恒定、從而能減小噪聲之外，由于不需要BTH，所以能以現(xiàn)有的簡易技術實現(xiàn)，另外，由于是用表層進行配線、斷線的加工，所以在目視檢查時易于進行修改。權利要求1.一種端子電鍍用的電鍍引線結構，其特征在于在存儲器模塊多層印刷電路板上備有(a)分別配置在正反面的端子；(b)從該端子引出的配線；及(c)連接該配線和中間層的暗穿孔。2.一種端子電鍍用的電鍍引線結構，其特征在于在存儲器模塊多層印刷電路板上備有(a)通過暗穿孔以中層連接鄰接端子一起進行電鍍用的配線；及(b)在該配線電鍍后通過開孔加工將上述配線斷開、配置在端子下的中層部分的GND區(qū)。3.一種端子電鍍用的電鍍引線結構，其特征在于在存儲器模塊多層印刷電路板上備有(a)以表層連接鄰接端子進行電鍍用的配線；及(b)在該配線電鍍后通過進行開孔加工將該配線斷開，配置本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種端子電鍍用的電鍍引線結構，其特征在于：在存儲器模塊多層印刷電路板上備有：（ａ）分別配置在正反面的端子；（ｂ）從該端子引出的配線；及（ｃ）連接該配線和中間層的暗穿孔。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：早見惠子，
申請(專利權)人：沖電氣工業(yè)株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：JP[日本]