本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種復(fù)位電路，具體說是帶電壓回差的低功耗復(fù)位電路。它的特點是包括VDD、VOUT、支路一、支路二和電流鏡。所述VDD與電流鏡適配連接。支路一包括MOS管N2，MOS管N2為耗盡型MOS管，MOS管N2的漏極與所述電流鏡適配連接，MOS管N2的柵極接地，MOS管N2的源極與電阻R1的一端相連，電阻R1的另一端接地。支路二包括MOS管N3，MOS管N3的漏極為A點，MOS管N3的漏極與所述電流鏡適配連接，MOS管N3的源極與MOS管N2的源極相連，MOS管N3的柵極形成基準電壓VREF。A點與倒相器INV1的輸入端相連，倒相器INV1的輸出端與所述VOUT相連。分壓電阻與VDD適配連接形成采樣電壓。分壓電阻連接有回差開關(guān)，回差開關(guān)與所述A點適配相連。該復(fù)位電路的結(jié)構(gòu)簡單，功耗較低。功耗較低。功耗較低。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種帶電壓回差的低功耗復(fù)位電路
[0001]本專利技術(shù)涉及一種復(fù)位電路，具體說是無需額外基準電流電路、可自產(chǎn)生基準電流的帶電壓回差的低功耗復(fù)位電路。
技術(shù)介紹
[0002]在集成電路行業(yè)內(nèi)都知道，芯片中基本都有復(fù)位電路。復(fù)位電路種類很多，比如用電阻電容采樣輸入電壓控制反相器或者施密特觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)給出控制信號，但在電平接近翻轉(zhuǎn)電壓時其電源擾動的抗干擾能力較差，容易反復(fù)震蕩給出誤觸發(fā)信號。要想此功能穩(wěn)定就需要回差開關(guān)電壓，通常用比較器做復(fù)位電路。
[0003]如圖1所示，傳統(tǒng)的帶回差開關(guān)的復(fù)位電路需要一個基準電壓VREF電路、用分壓電阻R1、R2、R3采集VCC的電壓通過比較器U1與VREF進行電壓比較，當VDD電壓較低,FB電壓低于VREF電壓時VOUT輸出為低，INV1輸出為高，NM1導(dǎo)通，R3被短路，由R2、R3串聯(lián)的分壓電阻與R1對VDD的分壓比例變低，所以需要更高的VDD電壓才能使FB端大于VREF，當FB的電壓大于VREF電壓時，VOUT輸出為高，INV1輸出為低，NM1關(guān)斷，R3放開，由R2、R3串聯(lián)的分壓電阻與R1正常對VDD的電壓分壓，F(xiàn)B分壓值小于VREF時輸出為低。然而，這種復(fù)位電路需要額外的VREF和工作電流IB1才能工作，導(dǎo)致整個電路的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，靜態(tài)功耗較大。
技術(shù)實現(xiàn)思路
[0004]本專利技術(shù)要解決的技術(shù)問題是提供一種帶電壓回差的低功耗復(fù)位電路，該復(fù)位電路的結(jié)構(gòu)簡單，功耗較低。
[0005]為解決上述問題，提供以下技術(shù)方案：
[0006]本專利技術(shù)的帶有電壓回差開關(guān)的帶電壓回差的低功耗復(fù)位電路的特點是包括VDD、VOUT、支路一、支路二和電流鏡；所述VDD與電流鏡適配連接，用于為電流鏡提供驅(qū)動電壓。所述支路一包括MOS管N2，MOS管N2為耗盡型MOS管，MOS管N2的漏極與所述電流鏡適配連接，MOS管N2的柵極接地，MOS管N2的源極與電阻R1的一端相連，電阻R1的另一端接地。所述支路二包括MOS管N3，MOS管N3的漏極為A點，MOS管N3的漏極與所述電流鏡適配連接，MOS管N3的源極與MOS管N2的源極相連，MOS管N3的柵極形成基準電壓VREF。所述A點與倒相器INV1的輸入端相連，倒相器INV1的輸出端與所述VOUT相連。所述分壓電阻與VDD適配連接形成采樣電壓，采樣電壓與MOS管N3的柵極相連，采樣電壓與基準電壓VREF比較，當采樣電壓大于基準電壓VREF時，MOS管N3導(dǎo)通，當采樣電壓小于基準電壓VREF時，MOS管N3關(guān)閉。所述分壓電阻連接有回差開關(guān)，回差開關(guān)與所述A點適配相連。
[0007]其中，所述電流鏡包括MOS管P1和MOS管P2，MOS管P1的源極和MOS管P2的源極均與所述VDD相連，MOS管P1的柵極與其漏極和MOS管P2的柵極相連，MOS管P1的漏極與所述MOS管N2的漏極相連，MOS管P2的漏極與所述MOS管N3的漏極相連。
[0008]所述分壓電阻包括電阻R2、電阻R3和電阻R4，所述VDD與電阻R2的一端相連，電阻R2的另一端分別與MOS管N3的柵極和電阻R3的一端相連,電阻R3的另一端與電阻R4的一端
相連，電阻R4的另一端接地。所述回差開關(guān)位于電阻R4的兩端間。與R3相連的R2一端即形成所述采樣電壓。
[0009]所述回差開關(guān)包括MOS管N1，與電阻R3相連的電阻R4一端與MOS管N1的漏極相連，電阻R4的另一端與MOS管N1的源極相連，MOS管N1的柵極與所述A點相連。
[0010]采取以上方案，具有以下優(yōu)點：
[0011]由于本專利技術(shù)的帶電壓回差的低功耗復(fù)位電路的支路一包括MOS管N2，MOS管N2為耗盡型MOS管，MOS管N2的漏極與電流鏡適配連接，MOS管N2的柵極接地，MOS管N2的源極與電阻R1的一端相連，電阻R1的另一端接地，支路二包括MOS管N3，MOS管N3的漏極為A點，MOS管N3的漏極與所述電流鏡適配連接，MOS管N3的源極與MOS管N2的源極相連，MOS管N3的柵極形成基準電壓VREF，A點與倒相器INV1的輸入端相連，倒相器INV1的輸出端與所述VOUT相連，分壓電阻與VDD適配連接形成采樣電壓，采樣電壓與MOS管N3的柵極相連，采樣電壓與基準電壓VREF比較，當采樣電壓大于基準電壓VREF時，MOS管N3導(dǎo)通，當采樣電壓小于基準電壓VREF時，MOS管N3關(guān)閉，分壓電阻連接有回差開關(guān)，回差開關(guān)與所述A點適配相連。這種復(fù)位電路利用耗盡型MOS管N2的柵極接地自偏置產(chǎn)生基準電流IREF，利用VDD與分壓電阻產(chǎn)生基準電壓VREF，從而無需額外的基準電壓VREF和工作電流IB1才能工作,大大簡化了整個電路的結(jié)構(gòu)，且自偏置產(chǎn)生基準電流無需消耗VDD，大大減少了整個電路的功耗。
附圖說明
[0012]圖1是
技術(shù)介紹
中帶回差開關(guān)的復(fù)位電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2是本專利技術(shù)的帶電壓回差的低功耗復(fù)位電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖3是本專利技術(shù)的帶電壓回差的低功耗復(fù)位電路中VDD與VOUT的電壓對比圖；
[0015]圖4是本專利技術(shù)的帶電壓回差的低功耗復(fù)位電路中MOS管N2的GS接地流過DS的電流隨溫度變化波形圖；
[0016]圖5是本專利技術(shù)的帶電壓回差的低功耗復(fù)位電路中MOS管N2、MOS管N3 GD端相連，S端接地單獨給MOS管N2和MOS管N3GD到S端加電流測的VGS隨溫度變化的曲線圖；
[0017]圖6是本專利技術(shù)的帶電壓回差的低功耗復(fù)位電路中VR1的溫度變化曲線圖；
[0018]圖7是本專利技術(shù)的帶電壓回差的低功耗復(fù)位電路的仿真波形圖。
具體實施方式
[0019]以下結(jié)合附圖對本專利技術(shù)作進一步詳細描述。
[0020]如圖2所示，本專利技術(shù)的帶電壓回差的低功耗復(fù)位電路包括VDD、VOUT、支路一、支路二和電流鏡。所述VDD與電流鏡適配連接，用于為電流鏡提供驅(qū)動電壓。所述支路一包括MOS管N2，MOS管N2為耗盡型MOS管，MOS管N2的漏極與所述電流鏡適配連接，MOS管N2的柵極接地，MOS管N2的源極與電阻R1的一端相連，電阻R1的另一端接地。所述支路二包括MOS管N3，MOS管N3的漏極為A點，MOS管N3的漏極與所述電流鏡適配連接，MOS管N3的源極與MOS管N2的源極相連。所述電流鏡包括MOS管P1和MOS管P2，MOS管P1的源極和MOS管P2的源極均與所述VDD相連，MOS管P1的柵極與其漏極和MOS管P2的柵極相連，MOS管P1的漏極與所述MOS管N2的漏極相連，MOS管P2的漏極與所述MOS管N3的漏極相連。利用耗盡型MOS管N2的柵極接地自偏置產(chǎn)生基準電流IREF，電流鏡將基準電流IREF復(fù)制到支路二中。
[0021]所述A點與倒相器INV1的輸入端相連，倒相器INV1的輸出端與所述VOUT相連，形成輸出口。
[0022]所述MOS管N3的柵極形成基準電壓VREF。所述分壓電阻與VDD適配連接形成采樣電壓，采樣電壓與MOS管N3的柵極相連，采樣電壓與基準電壓VREF比較，當采樣電壓大于基本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種帶電壓回差的低功耗復(fù)位電路，其特征在于，包括VDD、VOUT、支路一、支路二和電流鏡；所述VDD與電流鏡適配連接，用于為電流鏡提供驅(qū)動電壓；所述支路一包括MOS管N2，MOS管N2為耗盡型MOS管，MOS管N2的漏極與所述電流鏡適配連接，MOS管N2的柵極接地，MOS管N2的源極與電阻R1的一端相連，電阻R1的另一端接地；所述支路二包括MOS管N3，MOS管N3的漏極為A點，MOS管N3的漏極與所述電流鏡適配連接，MOS管N3的源極與MOS管N2的源極相連，MOS管N3的柵極形成基準電壓VREF；所述A點與倒相器INV1的輸入端相連，倒相器INV1的輸出端與所述VOUT相連；所述分壓電阻與VDD適配連接形成采樣電壓，采樣電壓與MOS管N3的柵極相連，采樣電壓與基準電壓VREF比較，當采樣電壓大于基準電壓VREF時，MOS管N3導(dǎo)通，當采樣電壓小于基準電壓VREF時，MOS管N3關(guān)閉；所述分壓電阻連接有回差開關(guān)，回差開關(guān)與所述A點適配相連。2.如權(quán)利要求...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳俊，張明超，
申請(專利權(quán))人：無錫邁爾斯通集成電路有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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