具有金層的導電膜制造技術

本發明專利技術的課題在于得到一種導電膜，其抑制銅向金層的遷移，抑制金層的經時變色的同時不因彎曲而產生金層的裂紋。進而，能夠得到耐腐蝕性優異的導電膜。其為在絕緣性膜基材的一個面上依次層疊銅層、鎳層、金層而成的導電膜，其特征在于，所述鎳層的厚度為0.05～0.2μm。優選層疊有所述鎳層的一側的所述銅層表面的算術平均粗糙度Ra為0.02μm以下。術平均粗糙度Ra為0.02μm以下。術平均粗糙度Ra為0.02μm以下。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】具有金層的導電膜


[0001]本專利技術涉及一種導電膜。詳細而言，涉及在表面層疊金層且抑制銅向金層遷移的同時改善金層的耐彎曲性、耐腐蝕性的導電膜。

技術介紹

[0002]隨著電子設備的小型化、輕量化，利用在可撓性的膜表面形成有電路的柔性印刷基板。在形成于膜表面的電路中，大多使用導電性高的銅。進而，出于降低由銅構成的電路表面的保護、接觸電阻的目的，在銅表面層疊由金構成的層。在銅的表面直接層疊由金構成的層的情況下，發生由經時的銅的遷移而在金層的表面蓄積銅，存在變色或接觸電阻值增大的問題。
[0003]為了解決該問題，進行設置由鎳、錫等構成的中間層。然而，還提出了如下問題：設置中間層的結果是，因彎曲而在由金構成的層的表面產生裂紋或產生針孔，由此導致耐腐蝕性降低這樣的新問題，正尋求解決這些問題。
[0004]例如，在專利文獻1(日本特開2009
?
176646)中，提出了一種設有中間(鎳)層的箔狀導體，其特征在于，在由金等構成的表面層之下構成表面側區域的金屬的平均結晶粒徑為0.001～0.3μm。由此，表面層的正下方變得平滑，難以在表面層形成針孔，但由于不能使中間層的厚度充分變薄，因此耐彎曲性差。
[0005]現有技術文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1：日本特開2009
?
176646

技術實現思路

[0008]專利技術所要解決的課題
[0009]本專利技術的課題在于解決上述問題，提供抑制銅向由金構成的層的遷移的同時改善由金構成的層的耐彎曲性、耐腐蝕性的導電膜。
[0010]用于解決課題的手段
[0011]本專利技術的導電膜是在絕緣性膜基材的一個面上依次層疊由銅層、鎳層和金層構成的金屬層而成的導電膜，其特征在于，所述鎳層的厚度為0.05～0.2μm。
[0012]由此，能夠得到在抑制銅向金層的遷移的同時即使在彎曲的情況下也未在金層產生裂紋的導電膜。
[0013]在所述銅層中，優選層疊有所述鎳層的一側的銅層表面的算術平均粗糙度Ra為0.02μm以下。由此，能夠提高導電膜的耐腐蝕性。
[0014]所述金層表面的算術平均粗糙度Ra優選為0.03μm以下。由此，能夠進一步提高導電膜的耐腐蝕性。
[0015]所述銅層的厚度優選為1～5μm。
[0016]優選在所述絕緣性膜的與設置有金屬層的面相反的面上設置有伸長率為200～
2000％的樹脂層。
[0017]優選在所述金層的表面形成有包含選自雜環式化合物、硫醇類化合物和胺類化合物中的至少一種的有機類封孔處理劑的膜。由此，優選將無法目視確認的微小的針孔密封。
[0018]所述絕緣性膜基材優選包含聚酰亞胺樹脂。由此，能夠得到耐熱性優異的導電膜。
[0019]所述絕緣性膜基材的厚度優選為4～25μm。
[0020]專利技術效果
[0021]根據本專利技術，能夠得到抑制經時的變色的同時不因彎曲而產生金層的裂紋的導電膜。進而，能夠得到耐腐蝕性優異的導電膜。
附圖說明
[0022]圖1為示出本專利技術的耐彎曲性試驗的方法的概略圖。
具體實施方式
[0023]本專利技術的導電膜在絕緣性膜基材的一個面上，由銅層、鎳層和金層這3層構成的金屬層以銅層、鎳層、金層依次層疊在絕緣性膜基材上。即，本專利技術的導電膜具有“絕緣性膜基材/銅層/鎳層/金層”這樣的層構成，一側的最外層為金層。
[0024]1.絕緣性膜基材
[0025]本專利技術的導電膜以絕緣性膜基材為基底。作為絕緣性膜基材，優選使用包含合成樹脂的膜。作為合成樹脂，沒有特別限定，可以列舉出聚酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚丙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂等。其中，從得到耐熱性優異的導電膜出發，優選為包含聚酰亞胺樹脂的絕緣性膜基材。
[0026]對于所述絕緣性膜基材的厚度沒有特別限制，下限優選為2μm，更優選為3μm，特別優選為4μm。厚度的上限優選為100μm，更優選為50μm，進一步優選為25μm，特別優選為13μm。若所述絕緣性膜基材的厚度在該范圍，則能夠得到具有適度的可撓性的導電膜。期望的是，所述絕緣性膜基材的厚度為4～25μm。
[0027]對于絕緣性膜基材的絕緣性沒有特別限制，優選的電阻值為1
×
10
14
Ω/
□
以上。
[0028]2.銅層
[0029]在所述絕緣性膜基材的一個面上層疊有銅層，銅層與絕緣性膜基材相接。對于所述銅層的厚度沒有特別限制，下限優選為0.5μm，更優選為1μm，特別優選為1.5μm。厚度的上限優選為8μm，更優選為6μm，特別優選為5μm。若所述銅層的厚度在該范圍，則可確保充分的導電性，可獲得可撓性優異的導電膜。期望的是，所述銅層的厚度為1～5μm。
[0030]對于銅層的形成方法沒有特別限制，優選地，可以列舉出在絕緣性膜基材上采用真空蒸鍍法等公知的蒸鍍法形成、或使用濺射法形成、或者采用公知的電鍍銅法形成的方法等。
[0031]銅層也可以由2種以上不同的方法形成的多層構成。例如，作為第一銅層，可以在絕緣性膜基材上具有采用蒸鍍法形成的銅蒸鍍層，作為第二銅層，可以在所述第一銅層上具有采用電鍍銅法形成的銅鍍層。由此，可以高效地得到期望厚度的銅層。
[0032]第一銅層的厚度優選為0.1～2.0μm、第二銅層的厚度優選為0.5～5.0μm、第一銅層和第二銅層合在一起形成為上述銅層厚度即可。另外，所述銅層表面的算術平均粗糙度
Ra在具有第一銅層和第二銅層的情況下，成為與鎳層相接的第二銅層的表面的粗糙度。
[0033]關于所述銅層的表面，其算術平均粗糙度Ra優選為0.02μm以下，更優選為0.01～0.02μm。如果Ra在該范圍內，則形成于其上的鎳層和金層的厚度變得更均勻，能夠抑制表面(金)層的針孔而提高耐腐蝕性。
[0034]算術平均粗糙度Ra可以使用掃描型共焦激光顯微鏡(例如奧林巴斯株式會社制、商品名“LEXT OLS30
?
SU”)等裝置，采用按照JIS B 0601：2001的方法進行測定。
[0035]為了使銅層的算術平均粗糙度Ra成為上述范圍，作為形成銅層的方法，優選采用利用真空蒸鍍法、濺射法、含有光亮劑的電鍍銅的銅膜形成法。
[0036]3.鎳層
[0037]在所述銅層的表面(與絕緣性膜基材相反的一側、銅層與金層之間)層疊有鎳層。重要的是，所述鎳層的厚度為0.05～0.2μm。即，厚度的下限為0.05μm，優選為0.07μm以上。厚度的上限為0.2μm，優選為0.15μm以下，更優選為0.12μm以下。若所述鎳層的厚度在該范圍內，則在抑制銅的遷移的同時，在導電膜彎曲時能夠抑制在后述的金層產生裂紋。
[0038]進而，在本專利技術中，由于鎳層的厚度極薄，因此將銅層表面的算術平均粗糙度抑制得較小的效果，不僅能夠均勻地形成薄的鎳層，還可以均勻地形成薄的金層本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】1.導電膜，是在絕緣性膜基材的一個面上依次層疊由銅層、鎳層和金層構成的金屬層而成的導電膜，其特征在于，所述鎳層的厚度為0.05～0.2μm。2.根據權利要求1所述的導電膜，其特征在于，在所述銅層中，層疊有所述鎳層的一側的銅層表面的算術平均粗糙度Ra為0.02μm以下。3.根據權利要求1或2所述的導電膜，其特征在于，所述金層表面的算術平均粗糙度Ra為0.03μm以下。4.根據權利要求1～3中任一項所述的導電膜，其特征在于，所述銅層的厚度為1～5μm。5.根據權利要求1～4中...

【專利技術屬性】
技術研發人員：野坂敬之，后藤昌利，薩摩英希，
申請(專利權)人：世聯株式會社，
類型：發明
國別省市：