本發明專利技術是一種利用電可擦可編程只讀存儲器的缺陷表制造存儲器模塊的方法，通過焊接部份良好動態隨機存取存儲器芯片于存儲器模塊基板以制造存儲器模塊。部份良好動態隨機存取存儲器芯片具有數量低于檢測閾值（例如１０％）的缺陷存儲器單元。已封裝動態隨機存取存儲器芯片經過隨意地預先篩選后，當發現缺陷的數目少于前述檢測閾值時，則視為通過檢測。在檢測期間，產生缺陷表并將其寫入至存儲器模塊上的串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器。于開機時，借助目標系統檢測器讀取缺陷表，存儲器模塊于目標系統檢測器上做最后檢測，并將存儲器存取缺陷表所識別的缺陷存儲器位置重新導向。存儲器可通過燒制或于不同溫度及電壓下檢測以增加可靠性。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術大體而言涉及存儲器模塊的制造。更具體而言，本專利技術涉及通過部份良好存儲器芯片制造存儲器模塊。
技術介紹
存儲器模塊廣泛地應用于各種電子系統，特別是應用于個人計算機中。存儲器模 塊是遵照工業標準制定的規則所構建，以確保廣大潛在的市場。高容量生產及競爭已大幅 地降低模塊的成本，因而使各種電子系統的購買者受益。 存儲器模塊可制造成多種不同的尺寸及容量，例如舊型30支接腳(pin)及72支 接腳的單列存儲器模i央(single-inline memory module, SIMM)以及新型168支接腳、184 支接腳及240支接腳的雙列存儲器模塊(dual inline memory module, DIMM)。這些接腳是 自模塊邊緣所延伸的原始接腳，具有金屬觸板或引線，如今，大多數的模塊是無引線的。小 尺寸的模塊的長約為3至5英寸，高約為1至1. 5英寸。 模塊包含小型印刷電路板(printed-circuit board, PCB)基板，尤其是指具 有玻璃纖維絕熱體(fiberglass insulation)及鋁箔的交互迭層或金屬互連層的多層 板(multi-layer board)。模塊表面上安裝的組件，例如動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)芯片及電容，是被焊接于基板的其中一表面或雙面。 圖1描繪出全緩沖存儲器模塊。存儲器模塊10包含基板，例如多層印刷電路板， 基板的前表面或側邊則安裝表面貼裝動態隨機存取存儲器芯片22，如圖1所示，較多的動 態隨機存取存儲器芯片22，則被安裝至機板的后側或后表面(圖未繪示)。存儲器模塊10 可為全緩沖雙列存儲器模塊(fully-bufferd dual-inlinememory module,FB-DI匪)，通過 存儲器模塊10上的先進存儲器緩沖(AdvancedMemory Buffer, AMB)芯片(圖未繪示)來 達到全緩沖。先進存儲器緩沖芯片使用差分信號及數據包來達到高速率傳輸數據。 同樣地，不具有先進存儲器緩沖芯片的存儲器模塊也會被制造。這種不具有緩沖 的存儲器模塊通過觸板12直接將地址、數據及控制信號從母板傳遞至動態隨機存取存儲 器芯片22。有些存儲器模塊使用簡單緩沖來緩沖或鎖存部份信號，而不使用全緩沖雙列存 儲器模塊中較為復雜的串行數據包接口。 金屬觸板12沿著模塊前后兩面的底部邊緣安置，金屬觸板12與模塊插座相抵觸， 使得模塊電氣連接至個人計算機的母板。孔16會出現在某些種類的模塊上，以確保模塊正 確地被安置在插座內。缺口 14也用于確保模塊正確地插入。安裝于基板表面的電容或其 它分離的組件則用于過濾來自于動態隨機存取存儲器芯片22的雜訊。 某些存儲器模塊在存儲器模塊基板上包含串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲 器(serial-presence-detect electrically-erasable programmable read-onlymemory， SPD-EEPROM)。用于存儲器模塊的配置信息存儲于串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器 130中，例如速率、深度及存儲器模塊上的存儲器配置。 動態隨機存取存儲器芯片可具有較大的容量，例如512百萬位(Mbits)或一半的 10億位(giga-bit)。大量的存儲器單元、個別存儲單元的小型化及整體大.面積的動態隨 機存取存儲器芯片(die)導致某些常見的制造缺陷。動態隨機存取存儲器芯片在未切割及 封裝前，于晶片上檢測，但晶片揀選檢測無法發現全部的缺陷。使用探針卡接觸晶片上的各 個芯片則會使檢測環境相當嘈雜。因此晶片揀選檢測限制住檢測速度，而阻礙發現更多缺 陷的較詳盡檢測。 如此一來，某些已封裝動態隨機存取存儲器芯片是含有缺陷的。成本有效地快速 執行進一步檢測已封裝動態隨機存取存儲器芯片，將可在已封裝動態隨機存取存儲器芯片 中識別出缺陷動態隨機存取存儲器芯片并丟棄。然而，丟棄已封裝動態隨機存取存儲器芯 片是有點浪費的，因為通常只有一個單獨的缺陷出現。例如一個缺陷可能只會導致五億分 之一個存儲器單元失效。幾乎五億個存儲器單元正確地工作于具有一缺陷的動態隨機存取 存儲器芯片上，然而此芯片通常是被丟棄的。 某些動態隨機存取存儲器芯片是可修復的。于晶片揀選檢測期間，芯片上的熔絲 可通過激光熔化或其它方法。嘗試并執行這種修復，以決定哪個動態隨機存取存儲器芯片 是良好的以及哪個是不良的，且修復可以是一個分離的步驟。當修復成功時，通常使存儲器 全部面積得以作用。例如修復512百萬位動態隨機存取存儲器上不良的存儲器單元可讓 整個512Mbit得以作用，這是因為不良的存儲器單元于修復期間被多余的存儲器單元所取 代。 除了修復芯片，某些芯片制造業者會降低動態隨機存取存儲器芯片的容量，例如 可將部份良好、已封裝且具有缺陷的10億位動態隨機存取存儲器芯片作為512百萬位動態 隨機存取存儲器售出。 存儲器模塊的制造業者可以購買經過多種層次檢測的已封裝動態隨機存取存儲 器。成本將因購買未經過全面檢測已封裝動態隨機存取存儲器而降低。存儲器模塊的制造 業者可將這些購入的動態隨機存取存儲器芯片做更完整的檢測，以移除具有單一缺陷的動 態隨機存取存儲器芯片。 圖2A-圖2B呈現位于部份良好動態隨機存取存儲器芯片上的缺陷。圖2A中，動 態隨機存取存儲器芯片具有高地址位A13，高地址位A13將存儲器分為二個半等份Hl， H2。 二個半等份Hl， H2可為邏輯上的二等份而非動態隨機存取存儲器芯片上的分離實體陣列。 當地址A13二 1時，半等份H2被選定，而當A13二0時，半等份H1被選定。當A13 = 1時， 缺陷56出現且位于H2半等份552。因為當A13 = 0時，所有位皆是良好的，故Hl半等份 554是可用于存儲器模塊的良好等分。 有時候會有二個或更多的缺陷出現。當缺陷出現在二個半等份552,554時，二個 半等分皆不能使用。然而，動態隨機存取存儲器芯片可更進一步分成四個象限。圖2B中， 高地址位A12， A13具有新增的四等份562，564，566，568的四個可能值，并標記Q4， Q3， Q2， Ql。舉例來說，當存儲器單元地址為A13 = 1且A12 = O，則Q3象限564被選定。 當缺陷出現在四個象限中的其中的二個象限，剩余的二個象限可組合成一半大小 的動態隨機存取存儲器。舉例來說，當缺陷出現在Q3及Q2象限564，566，剩余的Q4及Ql 象限562,568可作為一半大小的存儲器使用。 圖3描繪出先前技術在制造存儲器模塊的芯片制程流程。動態隨機存取存儲器芯片在工廠或晶片制程廠制造，且檢測及封裝成動態隨機存取存儲器芯片22。某些晶片揀選 檢測可被執行，以決定哪個芯片需封裝以及決定哪個芯片需丟棄。 已封裝動態隨機存取存儲器芯片22被放入檢測插座用以初步檢測，檢測插座連 接至自動檢測設備(automated-test-equipment,ATE)的自動檢測設備檢測頭(head) 102。 自動檢測設備相當昂貴，通常是百萬美元的機器。于自動檢測設備檢測頭102上通過檢測 的動態隨機存取存儲器芯片22插入至存儲器芯片預燒板106上的檢測插座。當本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種通過部份良好存儲器芯片制造部份良好存儲器模塊的制造方法，其特征在于包含：接收部份已檢測存儲器芯片，其中所述部份已檢測存儲器芯片是未經過全面檢測探測出全部缺陷的封裝片；通過運用于所述部份已檢測存儲器芯片的初步檢測模式，預先檢測所述部份已檢測存儲器芯片，其中所述初步檢試模式是用于檢測缺陷存儲塊；計數于預先檢測時通過初步檢測模式探測出的缺陷存儲塊數量；丟棄預先檢測時缺陷存儲塊數量大于檢測閾值的存儲器芯片；將預先檢測時缺陷存儲塊數量小于檢測閾值的存儲器芯片視為部份良好存儲器芯片；對于所述部份良好存儲器芯片，將所述部份良好存儲器芯片焊接至存儲器模塊基板上，形成部份良好存儲器模塊；將非揮發性存儲器芯片焊接至所述部份良好存儲器模塊；通過模塊檢測模式檢測所述部份良好存儲器模塊定位缺陷存儲器位置；創建缺陷表，所述缺陷表用于表示通過模塊檢測模式由所述部份良好存儲器模塊中定位的缺陷存儲器位置；將所述缺陷表編程到所述非揮發性存儲器芯片，形成已編程部份良好存儲器模塊；將所述已編程部份良好存儲器模塊插入到目標檢測系統上的模塊檢測插座；以及通過將所述非揮發性存儲器芯片的缺陷表初步復制到所述目標檢測系統及通過于所述目標檢測系統上初步執行檢測程序，所述目標系統檢測所述可編程部份良好存儲器模塊，所述檢測程序于所述非揮發性存儲器芯片產生存取訪問，所述目標檢測系統重新導向存取訪問，以通過所述缺陷表識別所述缺陷存儲器位置；藉此，部份良好存儲器芯片組成所述部份良好存儲器模塊，目標系統從所述部份良好存儲器模塊上的非揮發性存儲器芯片讀取所述缺陷表。...
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：RS柯，M陳，D孫，
申請(專利權)人：金士頓科技上海有限公司，
類型：發明
國別省市：31[中國|上海]
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