發光二極管封裝結構制造技術

本發明專利技術公開了一種發光二極管封裝結構，包含一支撐基板、一發光二極管芯片、一擋膠結構以及一熒光膠。發光二極管芯片設置于支撐基板上并與支撐基板電性連接，且發光二極管芯片具有一基材及一設置于基材上的發光層。擋膠結構設置于發光二極管芯片的基材上且環設發光層，而熒光膠充填于擋膠結構、基材及發光層所形成的一區域內。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及發光二極管封裝結構。還具體而言，本專利技術關于改善熒光粉分布的發 光二極管封裝結構。
技術介紹
由于發光二極管(LED)具有高亮度、低耗電等特性，使得LED在照明、顯示器等應 用方面，已迅速取代傳統的光源。作為照明使用的光源，往往需要有高亮度的白光，因此，業 界已投注大量的心力在白光LED的研發上。目前，已知可使用熒光粉搭配藍光芯片(例如GaN)，獲得高亮度的白光發光二極 管。芯片所發出的藍光，會激發熒光粉而產生另一波長的光線(例如為黃光)，通過藍光及 黃光兩種光線的混合，以獲得期望的白光光色。其中，通常以點膠及表面涂布的方式，進行 發光二極管的封裝。以點膠及表面涂布的方式，進行發光二極管的封裝，其優點是工藝簡單，但是在點 膠過程中，由于膠量的控制不易，極易造成色度不均勻的狀況。例如，參照圖1，說明現有技術的發光二極管封裝結構的問題。于圖1中，現有的發 光二極管封裝結構10，包含支撐基板11，支撐基板11上設有配墊13 ；基板15 ；發光層17 ； 電極18 ；導線20，將電極18連接至支撐基板11上的配墊13 ；以及含有熒光粉的一熒光封 裝膠體22，供將配墊13、基板15、發光層17、電極18及導線20密封于支撐基板11上。含有熒光粉的熒光封裝膠體22，在點膠及表面涂布的過程中，自然會形成具有弧 度的半球型。即使熒光粉均勻分散于膠體中，由于發光層上方的膠體厚度不相同，從發光層 的不同區域發出的光，會經過不同數量的熒光粉，使發光二極管最終發出的光色隨著膠體 的厚度而改變。現有的發光二極管封裝結構受限于結構，無法有效地使熒光粉均勻地分散，因此 需要有一種改良的發光二極管封裝結構，能夠克服前述難題，以期達到較佳的色均勻度、較 快速的制造程序、以及較高的良率。
技術實現思路
為解決前述及現有技術的問題，本專利技術的一目的是通過形成擋膠結構，阻擋住熒 光膠的溢流，使熒光膠均勻覆蓋于發光層上，以改善發光二極管光色不均勻的問題。本專利技術提出一種發光二極管封裝結構，包含一支撐基板、一發光二極管芯片、一擋 膠結構以及一熒光膠。發光二極管設置于支撐基板上并與支撐基板電性連接，且發光二極 管芯片具有一基材及一設置于基材上的發光層。擋膠結構設置于發光二極管芯片的基材上 且環設發光層，而熒光膠充填于擋膠結構、基材及發光層所形成的一區域內。在本專利技術一實施例中，發光二極管封裝結構還包含一封裝膠體，配置于支撐基板 上，并覆蓋發光二極管芯片。在本專利技術一實施例中，擋膠結構包括一第一金屬層及一形成于第一金屬層上的第■~iM^^· O在本專利技術一實施例中，擋膠結構選自包含下列的族群金(Au)、鉻(Cr)、銅(Cu)、 銀(Ag)、鉬(Pt)、鈦(Ti)、鋁(Al)、及其合金。在本專利技術一實施例中，發光二極管芯片還包括一第一電極及一第二電極，第一電 極設置于發光二極管芯片的基材的一側并與支撐基板連接，而第二電極設置于發光二極管 芯片上。在本專利技術一實施例中，第一電極與發光二極管芯片的基材電性連接，而第二電極 與一支撐基板上的配墊電性連接。第二電極通過一導線與支撐基板上的配墊電性連接。在本專利技術一實施例中，發光二極管芯片還包括一第一電極及一第二電極，第一電極與第二電極相對設置于發光二極管芯片的發光層上。第一電極及第二電極分別通過一導 線與一支撐基板上的配墊電性連接。在本專利技術一實施例中，熒光膠包括至少一種熒光粉。附圖說明圖1為現有技術的發光二極管封裝結構示意圖；圖2為依據本專利技術的一實施例的一種發光二極管封裝結構剖面示意圖；圖3為本專利技術的另一實施例的一種發光二極管封裝結構結構剖面示意圖。主要元件符號說明10發光二極管封裝結構11支撐基板13配墊15基材17發光層18電極20導線22熒光封裝膠體110支撐基板120第一電極130配墊132配墊150基材170發光層180第二電極190擋膠結構192第一金屬層194第二金屬層200導線202導線210熒光膠212 膠體214 熒光粉220 封裝膠體具體實施例方式雖然將以多個較佳實施例來闡述本專利技術，但本領域中具有通常技藝者所了解的其它實施例(包含并未提供此文中所提及的所有優點及特征的實施例)亦落在本專利技術的范疇 中。因此，本專利技術的范疇是僅參考隨附的申請專利范圍及其均等范圍所定義。本專利技術的目的、功能、特征、和優點能因下文中本專利技術的較佳的實施例，配合所附圖式，而得到進一步的了解。請參考圖2，為本專利技術一實施例的發光二極管封裝結構的剖面示意圖。本專利技術的發光二極管封裝結構，包含一支撐基板110、一發光二極管芯片及一熒光膠210，熒光膠210由 至少一熒光粉214與一膠體212混合而成。詳細而言，發光二極管芯片設置于支撐基板110上并與支撐基板110電性連接，發 光二極管芯片具有一基材150、發光層170及一擋膠結構190，其中發光層170設置基材150 上，發光層例如是包含銦的化合物或是包含鋁的氮化物，依據發光顏色使用不同的化合物。 發光層170發出具有一特定波長的光線，且所發出的光線會激發熒光膠210產生另一波長 的光線，通過兩種光線的混合，以獲得期望的光色。值得注意的是，本專利技術的發光二極管封裝結構形成一擋膠結構190于發光二極管 芯片的基材150上且環設發光層170，擋膠結構190包括一第一金屬層192及一形成于第一 金屬層192上的第二金屬層194。要說明的是，由于電鍍方式可以使膜厚較為快速地增加， 擋膠結構190先以蒸鍍方式形成第一金屬層192上，之后，再利用電鍍方式使厚度增厚形成 第二金屬層194，如此一來，可以有效地減少工藝所需的時間。在本實施例中，第一金屬層 192的厚度為0. 3 μ m至2 μ m，第二金屬層194的厚度為200 μ m至300 μ m。此外，擋膠結構 190選自包含下列的族群金(Au)、鉻(Cr)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鈦(Ti)、鋁(Al)及 其合金。由于本專利技術的發光二極管封裝結構具有擋膠結構190，因此，在充填熒光膠210的 過程中，形成于發光層170周圍的擋膠結構190會阻擋住熒光膠210的溢流，使熒光膠210 均勻覆蓋于發光層170上，以改善發光二極管光色不均勻的問題。此外，在本專利技術一實施例中，發光二極管封裝結構還包含一封裝膠體220配置于 支撐基板110上，并覆蓋發光二極管芯片。本專利技術的發光二極管封裝結構具有一第一電極120及一第二電極180，第一電極 120及第二電極180有不同的設置位置。在一實施例中，第一電極120形成于發光二極管的 基材150的一側并與支撐基板110連接，而第二電極180形成于發光二極管芯片的發光層 180上，而形成垂直導通式的發光二極管封裝結構。其中第一電極120與發光二極管的基材 150電性連接，而第二電極180通過一導線200與支撐基板上的配墊130電性連接。當然， 第一電極120及第二電極180可以同時設置在發光二極管芯片的發光層上，如圖3所繪示， 而第一電極120及第二電極180通過導線202，200分別與支撐基板上的配墊132，130連接。通過在本專利技術的發光二極管封裝結構中，新穎結構，由于具有擋膠結構190設置在發光二極管芯片上，因此，可以有效阻擋避免施添加熒光膠210時產生的溢流的現象，使 熒光膠210及其中所含的本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種發光二極管封裝結構，其特征在于包含：一支撐基板；一發光二極管芯片，設置于該支撐基板上并與該支撐基板電性連接，該發光二極管芯片具有一基材及一設置于該基材上的發光層；一擋膠結構，設置于該發光二極管芯片的基材上且環設該發光層；以及一熒光膠，充填于該擋膠結構、該基材及該發光層所形成的一區域內。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：翁思淵，
申請(專利權)人：億光電子工業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：71[中國|臺灣]