本揭露提供一種電子裝置的復合層電路結構的制造方法，包括以下步驟。首先，在載板上形成第一導電層。接著，在第一導電層上形成第一光致抗蝕劑層，其中第一光致抗蝕劑層包括暴露出部分的第一導電層的多個第一開口。再來，在多個第一開口中形成第一電鍍層。然后，移除第一光致抗蝕劑層。之后，在第一導電層上形成第一絕緣層，其中第一絕緣層包括暴露出部分的第一電鍍層的多個第二開口。在上述的步驟中，在第一導電層上形成第一絕緣層之前，對第一電鍍層進行至少一熱處理工藝，其中在進行至少一熱處理工藝時的溫度為大于或等于40℃且小于或等于300℃。本揭露實施例的復合層電路結構的制造方法制造出的復合層電路結構可具有經提升的可靠度和/或電性。升的可靠度和/或電性。升的可靠度和/或電性。
【技術實現步驟摘要】
電子裝置的復合層電路結構的制造方法
[0001]本揭露涉及一種電子裝置的制造方法，尤其涉及一種電子裝置的復合層電路結構的制造方法。
技術介紹
[0002]電子裝置通過導電層導電或傳送信號等，因此導電層品質攸關電子裝置的可靠度。例如在面板級封裝中，導電層的物理性質對于電路結構的可靠度以及電性至關重要，舉例而言，電路結構因內應力不均而在過程中產生翹曲、電路結構針孔(pinhole)缺陷或者制造出的電路結構與其余電子元件接合后變形等情況。該些缺陷將易導致電路結構短路和/或信號傳輸異常，將使得制造出的電路結構的可靠度以及電性下降。
技術實現思路
[0003]本揭露提供一種電子裝置的復合層電路結構的制造方法，其制造出的復合層電路結構可具有經提升的可靠度和/或電性。
[0004]根據本揭露的實施例提供的復合層電路結構的制造方法，其包括以下步驟。首先，在載板上形成第一導電層。接著，在第一導電層上形成第一光致抗蝕劑層，其中第一光致抗蝕劑層包括暴露出部分的第一導電層的多個第一開口。再來，在多個第一開口中形成第一電鍍層。然后，移除第一光致抗蝕劑層。之后，在第一導電層上形成第一絕緣層，其中第一絕緣層包括暴露出部分的第一電鍍層的多個第二開口。在上述的步驟中，在第一導電層上形成第一絕緣層之前，對第一電鍍層進行至少一熱處理工藝，其中在進行至少一熱處理工藝時的溫度為大于或等于40℃且小于或等于300℃，且進行至少一熱處理工藝時的時間為小于或等于1小時。
[0005]為讓本揭露的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。
附圖說明
[0006]包含附圖以便進一步理解本揭露，且附圖并入本說明書中并構成本說明書的一部分。附圖說明本揭露的實施例，并與描述一起用于解釋本揭露的原理。
[0007]圖1A至圖1M為本揭露第一實施例的復合層電路結構的制造方法的局部剖面示意圖；
[0008]圖2為本揭露第一實施例的復合層電路結構的制造方法的流程圖；
[0009]圖3為本揭露一實施例的復合層電路結構的局部剖面示意圖；
[0010]圖4為本揭露第二實施例的復合層電路結構的制造方法的流程圖；
[0011]圖5為本揭露第三實施例的復合層電路結構的制造方法的流程圖；
[0012]圖6為本揭露一實施例的復合層電路結構應用于半導體封裝類型的電子裝置的局部剖面示意圖。
具體實施方式
[0013]通過參考以下的詳細描述并同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易了解及附圖的簡潔，本揭露中的多張附圖只繪出電子裝置的一部分，且附圖中的特定元件并非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，并非用來限制本揭露的范圍。
[0014]本揭露通篇說明書與后附的權利要求中會使用某些詞匯來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子裝置制造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文并不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與權利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為“含有但不限定為
…”
之意。因此，當本揭露的描述中使用術語“包括”、“含有”和/或“具有”時，其指定了相應的特征、區域、步驟、操作和/或構件的存在，但不排除一個或多個相應的特征、區域、步驟、操作和/或構件的存在。
[0015]本文中所提到的方向用語，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而并非用來限制本揭露。在附圖中，各附圖示出的是特定實施例中所使用的方法、結構和/或材料的通常性特征。然而，這些附圖不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的范圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域和/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
[0016]當相應的構件(例如膜層或區域)被稱為“在另一個構件上”時，它可以直接在另一個構件上，或者兩者之間可存在有其他構件。另一方面，當構件被稱為“直接在另一個構件上”時，則兩者之間不存在任何構件。另外，當一構件被稱為“在另一個構件上”時，兩者在俯視方向上有上下關系，而此構件可在另一個構件的上方或下方，而此上下關系取決于裝置的取向(orientation)。
[0017]術語“大約”、“等于”、“相等”或“相同”、“實質上”或“大致上”一般解釋為在所給定的值或范圍的20％以內，或解釋為在所給定的值或范圍的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以內。
[0018]說明書與權利要求中所使用的序數例如“第一”、“第二”等的用詞用以修飾元件，其本身并不意含及代表該(或該些)元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是制造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。權利要求與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在權利要求中可能為第二構件。
[0019]須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特征進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特征只要不違背專利技術精神或相沖突，均可任意混合搭配使用。
[0020]本揭露中所敘述的電性連接或耦接，皆可以指直接連接或間接連接，于直接連接的情況下，兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而于間接連接的情況下，兩電路上元件的端點之間具有開關、二極管、電容、電感、其他適合的元件，或上述元件的組合，但不限于此。
[0021]在本揭露中，厚度、長度與寬度的測量方式可以是采用光學顯微鏡測量而得，厚度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像測量而得，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。若第一值等于第二值，其隱含著第一值與第二值之間可存在
著約10％的誤差；若第一方向垂直于第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介于80度至100度之間；若第一方向平行于第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介于0度至10度之間。
[0022]電子裝置可具有本揭露實施例的復合層電路結構。本揭露的電子裝置可包括顯示、天線(例如液晶天線)、發光、感測、觸控、拼接、其他適合的功能、或上述功能的組合，但不以此為限。電子裝置包括可卷曲或可撓式電子裝置，但不以此為限。電子裝置可例如包括液晶(liquid crystal)、發光二極管(light emitting diode，LED)、量子點(quantum dot，QD)、熒光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他適合的材料或上述的組合。發光二極管可例如包括有機發光二極管(organic light emitting diode，OLED)、微型發光二極管(micro
?
LED、mini
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LED)或量子點發光二極管(QLED、QDLED)，但不以此為限。下文將以顯示裝置或拼接裝置作為電子裝置以說明本揭露內容，但本揭本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種電子裝置的復合層電路結構的制造方法，其特征在于，包括：在載板上形成第一導電層；在所述第一導電層上形成第一光致抗蝕劑層，其中所述第一光致抗蝕劑層包括暴露出部分的所述第一導電層的多個第一開口；在所述多個第一開口中形成第一電鍍層；移除所述第一光致抗蝕劑層；以及在所述第一導電層上形成第一絕緣層，其中所述第一絕緣層包括暴露出部分的所述第一電鍍層的多個第二開口，其中在所述第一導電層上形成所述第一絕緣層之前，對所述第一電鍍層進行至少一熱處理工藝，其中在進行所述至少一熱處理工藝時的溫度為大于或等于40℃且小于或等于300℃，且進行至少一熱處理工藝時的時間為小于或等于3小時。2.根據權利要求1所述的電子裝置的復合層電路結構的制造方法，其特征在于，在對所述第一電鍍層進行所述至少一熱處理工藝的步驟中，包括在移除所述第一光致抗蝕劑層之前對所述第一電鍍層進行第一熱處理工藝，其中在進行所述第一熱處理工藝時的溫度為大于或等于40℃且小于或等于80℃，且進行所述第一熱處理工藝時的時間為小于或等于3小時。3.根據權利要求1所述的電子裝置的復合層電路結構的制造方法，其特征在于，在對所述第一電鍍層進行所述至少一熱處理工藝的步驟中，包括在移除所述第一光致抗蝕劑層之后對所述第一電鍍層進行第二熱處理工藝，其中在進行所述第二熱處理工藝時的溫度為大于或等于40℃且小于或等于300℃，且在惰性氣體的氣氛下進行所述第二熱處理工藝，且進行所述第二熱處理工藝時的時間為小于或等于3小時。4.根據權利要求3所述的電子裝置的復合層電路結構的制造方法，其特征在于，所述惰性氣體包括氮氣。5.根據權利要求1所述的電子裝置的復合層電路結構的制造方法，其特征在于，在所述第一導電層上形成所述第一絕緣層之后，還包括進行以下步驟：在所述第一絕緣層與所述第一電鍍層上形成導電材料層；在所述導電材料層上形成第二光致抗蝕劑層，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張又仁，陳清煒，邱姿嫣，曾弘毅，范俊欽，
申請(專利權)人：群創光電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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