發(fā)光結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

一種發(fā)光結(jié)構(gòu)包含承載單元、發(fā)光單元以及透光單元。發(fā)光單元設(shè)置于承載單元之上，且包含出光面。透光單元直接地接觸發(fā)光單元，且包含彼此相對的第一面以及第二面。第一面覆設(shè)于至少部分出光面之上，且第二面直接地接觸氣體。體。體。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
發(fā)光結(jié)構(gòu)


[0001]本技術(shù)有關(guān)一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，尤指可加強(qiáng)紅光輸出強(qiáng)度的一種發(fā)光結(jié)構(gòu)。

技術(shù)介紹

[0002]發(fā)光二極管(light
?
emitting diode,LED)為一種半導(dǎo)體元件，主要通過半導(dǎo)體化合物將電能轉(zhuǎn)換為光能以達(dá)到發(fā)光效果，因其具有壽命長、穩(wěn)定性高及耗電量小等優(yōu)點(diǎn)，所以目前已被廣泛地應(yīng)用于照明。隨著藍(lán)、綠光芯片技術(shù)相對成熟，效率持續(xù)提升，為了能夠適配到專業(yè)照明的應(yīng)用領(lǐng)域(例如，舞臺劇場、藝術(shù)展覽或醫(yī)療器材應(yīng)用等)，考量到RGB混光應(yīng)用與演色性指數(shù)(color rendering index,CRI)需求，紅光的輸出強(qiáng)度則相對來說較為重要。
[0003]傳統(tǒng)技術(shù)多以膠材覆蓋封裝之上，除了可以達(dá)到保護(hù)芯片、金線不被外力破壞而失效外，還可用來改變發(fā)光角度與提升芯片亮度。
[0004]然而，隨著封裝技術(shù)進(jìn)步、瓦數(shù)需求提高、封裝體積縮小與多晶多色等的應(yīng)用，發(fā)展出嶄新的封裝型式。傳統(tǒng)早期的LED封裝形式，如插件式(lamp)、PLCC支架式、或是SMD樣式，都會有膠材覆蓋于芯片之上，其用意為：(1)保護(hù)芯片、金線不被外力破壞而失效；(2)提升芯片亮度；(3)改變發(fā)光角度。然而無論傳統(tǒng)技術(shù)哪一種封裝，除藍(lán)光芯片+熒光粉轉(zhuǎn)換成白光LED外，單色光芯片上頭均不再做任何處理。此時(shí)，LED封裝亮度(lm ormW)即為裸晶本身的亮度。這樣的亮度依據(jù)波長的不同，一般約略會損失20～30％。
[0005]為此，如何設(shè)計(jì)出一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，能夠提升亮度并不影響光學(xué)，來解決前述的技術(shù)問題，乃為本案創(chuàng)作人所研究的重要課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

[0006]本技術(shù)的其中一目的在于提供一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，其可提升嶄新封裝型式的紅光亮度，達(dá)到結(jié)構(gòu)簡單、容易生產(chǎn)且低生產(chǎn)成本的目的。
[0007]為達(dá)成前揭目的，本技術(shù)所提出的一種發(fā)光結(jié)構(gòu)包含承載單元、發(fā)光單元以及透光單元。發(fā)光單元設(shè)置于承載單元之上，且包含出光面。透光單元直接地接觸發(fā)光單元，且包含彼此相對的第一面以及第二面。第一面覆設(shè)于至少部分出光面之上，且第二面直接地接觸氣體。
[0008]在某些實(shí)施例中，透光單元覆設(shè)于發(fā)光單元的面積介于出光面的面積的0.8倍至1.2倍。
[0009]在某些實(shí)施例中，所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)更包含反射單元，反射單元設(shè)置于承載單元之上，且環(huán)設(shè)于發(fā)光單元的周緣
[0010]在某些實(shí)施例中，反射單元包含白色膠體，且白色膠體環(huán)設(shè)于透光單元的周緣。
[0011]在某些實(shí)施例中，透光單元的第二面形成為平面或依表面張力形成為弧面。
[0012]在某些實(shí)施例中，所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)更包含透明罩體，透明罩體設(shè)置于承載單元之上，且罩設(shè)于發(fā)光單元以及透光單元之外。
[0013]在某些實(shí)施例中，透明罩體鄰近承載單元的周緣包含至少一透氣孔。
[0014]在某些實(shí)施例中，氣體包含惰性氣體或大氣。
[0015]在某些實(shí)施例中，承載單元包含基板或引線框架。
[0016]在某些實(shí)施例中，發(fā)光單元的峰值發(fā)射波長大于或等于600納米，且透光單元的折射率大于或等于1.3。
[0017]綜上所述，本技術(shù)的發(fā)光結(jié)構(gòu)借由與發(fā)光單元直接接觸的透光單元，使得能量較低的紅光波長得以被捕獲且積聚于其中，且讓自透光單元輸出的紅光具有一定程度的光強(qiáng)度。進(jìn)一步而言，對于能量較低的紅光波長而言，相對于直接入射至大氣的傳統(tǒng)方案，透光單元更提供了一個(gè)折射率變異較低的光學(xué)腔，從而避免了紅光的輸出能量的損失，且可以不需要針對熒光粉或熒光層進(jìn)行配置，降低了生產(chǎn)難度與成本。
[0018]為此，本技術(shù)所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)可提升嶄新封裝型式中紅光的輸出強(qiáng)度的技術(shù)問題，達(dá)到結(jié)構(gòu)簡單、容易生產(chǎn)且低生產(chǎn)成本的目的。
[0019]值得一提的是，這種在發(fā)光二極管的出光方向上不接觸封裝膠材而接觸氣體的形式可稱之為“air
?
type”的架構(gòu)，此專利價(jià)值主要是為“air
?
type”做封裝技術(shù)以提升光效(例如，紅光增亮)。
[0020]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本技術(shù)的限定。
附圖說明
[0021]圖1A及圖1B為本技術(shù)第一實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0022]圖2為本技術(shù)第二實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0023]圖3為本技術(shù)第三實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0024]圖4為本技術(shù)第三實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；
[0025]圖5為本技術(shù)第四實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0026]圖6為本技術(shù)第五實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；以及
[0027]圖7為本技術(shù)發(fā)光結(jié)構(gòu)的亮度比例與透光單元厚度的關(guān)系圖。
[0028]其中，附圖標(biāo)記：
[0029]1～5：發(fā)光結(jié)構(gòu)
[0030]10、10a：承載單元
[0031]20：發(fā)光單元
[0032]21：出光面
[0033]30：透光單元
[0034]31：第一面
[0035]32：第二面
[0036]40：透明罩體
[0037]41：透氣孔
[0038]50：反射單元
[0039]60：蓋板
[0040]100：氣體
[0041]200：空間
[0042]A：實(shí)驗(yàn)值
[0043]B：趨勢線
具體實(shí)施方式
[0044]下面結(jié)合附圖對本技術(shù)的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述：
[0045]圖1A及圖1B為本技術(shù)第一實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)1的剖面示意圖。
[0046]如圖1A及圖1B所示，本技術(shù)所提出的第一實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)1包含承載單元10、發(fā)光單元20以及透光單元30。
[0047]承載單元10系用以承載發(fā)光單元20以及透光單元30。
[0048]在某些實(shí)施例中，承載單元10可包含氮化鋁、氧化鋁、聚對苯二甲酸乙二酯(positron emissiontomography,PET)、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂(bismaleimide triazine，亦可稱之為BT樹脂)或陶瓷等材料，然其非限制性。
[0049]在某些實(shí)施例中，所述承載單元10可以是印刷電路板(printed circuitboard,PCB)、具線路化的陶瓷基板(ceramic substrate)、或引線框架(leadframe)等。進(jìn)一步而言，如圖1A所示的的第一實(shí)施例中，承載單元10系呈平板狀的一基板，(亦可有碗杯的leadframe形式)然其非限制性。
[0050]發(fā)光單元20設(shè)置于承載單元10之上，且包含出光面21。
[0051]在某些實(shí)施例中，發(fā)光單元20系自承載單元10汲取電力并發(fā)光，例如借由鋁、銀、銅、鎳、鈀、金等材料制成的導(dǎo)電線路汲取電力，亦可以借由呈透明的導(dǎo)電材料(例如，氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)等本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：一承載單元；一發(fā)光單元，設(shè)置于該承載單元之上，且包含一出光面；以及一透光單元，直接地接觸該發(fā)光單元，且包含彼此相對的一第一面以及一第二面；其中，該第一面覆設(shè)于至少部分該出光面之上，且該第二面直接地接觸一氣體。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中，該透光單元覆設(shè)于該發(fā)光單元的面積介于該出光面的面積的0.8倍至1.2倍。3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包含：一反射單元，設(shè)置于該承載單元之上，且環(huán)設(shè)于該發(fā)光單元的周緣。4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中，該反射單元包含一白色膠體，且該白色膠體環(huán)設(shè)于該透光單元的周緣。5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：邢陳震侖，洪榮豪，楊詠鈞，
申請(專利權(quán))人：葳天科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：