【技術實現步驟摘要】
存儲器元件及其制備方法
[0001]本申請案主張美國第17/552,882號及第17/552,736號專利申請案的優先權(即優先權日為“2021年12月16日”)，其內容以全文引用之方式并入本文中。
[0002]本公開關于一種存儲器元件及其制備造方法，特別是關于一種具有減少泄漏的字元線的存儲器元件及其制備方法。
技術介紹
[0003]動態隨機存取存儲器(DRAM)是一種半導體配置，用于將數據位元存儲在集成電路(IC)內的獨立電容中。DRAM通常被形成為溝槽式電容DRAM單元。一種制備埋入式柵極電極的先進方法涉及在包括淺溝隔離(STI)結構的主動區(AA)的溝槽中構建晶體管的柵極和字元線。
[0004]在過去的幾十年里，隨著半導體制造技術的不斷提升，電子元件的尺寸也相應地縮小。當單元晶體管的尺寸減少到幾納米的長度時，可能會發生電流泄漏。而漏電流可能導致單元晶體管的性能大幅下降。因此，期望開發出能解決相關制造難題的改進措施。
[0005]上文的“先前技術”說明僅是提供
技術介紹
，并未承認上文的“先前技術”說明揭示本公開的標的，不構成本公開的先前技術，且上文的“先前技術”的任何說明均不應作為本案的任一部分。
技術實現思路
[0006]本公開的一個實施例提供一種存儲器元件。該存儲器元件包括一半導體基底，其定義有一主動區并包括延伸至該半導體基底中的一凹槽；以及設置在該凹槽內的一字元線，其中該字元線包括設置在該凹槽內的一絕緣層、由該絕緣層包圍的一導電層，以及由該導電層包圍的一導電構件，并且該...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種存儲器元件，包括：一半導體基底，其定義有一主動區并包括延伸至該半導體基底中的一凹槽；以及一字元線，設置在該凹槽內；其中該字元線包括設置在該凹槽內的一絕緣層、由該絕緣層包圍的一導電層，以及由該導電層包圍的一導電構件，并且該絕緣層包括與該凹槽共形的一襯層部分和設置在該導電層上方的一突出部分。2.如權利要求1所述的存儲器元件，其中該襯層部分的一頂面和該突出部分的一頂面通過該半導體基底曝露。3.如權利要求1所述的存儲器元件，其中該突出部分與該導電層的一頂面接觸。4.如權利要求1所述的存儲器元件，其中該突出部分設置在該導電構件之上。5.如權利要求1所述的存儲器元件，其中該襯層部分和該突出部分是整體形成，并且該襯層部分和該突出部分包括一相同材料。6.如權利要求1所述的存儲器元件，其中該絕緣層包括氧化物。7.如權利要求1所述的存儲器元件，其中該導電層包括氮化鈦(TiN)或該導電構件包括鎢(W)。8.如權利要求1所述的存儲器元件，其中該字元線包括設置在該導電層和該導電構件上方的一功函數構件，以及設置在該功函數構件上方的一柵極絕緣構件。9.如權利要求8所述的存儲器元件，其中該功函數構件和該柵極絕緣構件由該絕緣層包圍。10.如權利要求8所述的存儲器元件，其中該功函數構件和該柵極絕緣構件與該突出部分接觸。11.如權利要求8所述的存儲器元件，其中該導電層和該導電構件的一總寬度實質上等于該突出部分和該功函數構件的一總寬度。12.如權利要求8所述的存儲器元件，其中該導電層和該導電構件的一總寬度實質上等于該突出部分和該柵極絕緣構件的一總寬度。13.如權利要求8所述的存儲器元件，其中該功函數構件包括多晶硅，而柵極絕緣構件包括氮化物。14.一種存儲器元件，包括：一半導體基底，其定義有一主動區并包括延伸至該半導體基底中的一第一凹槽；以及一字元線，設置在該第一凹槽內；其中該字元線包括設置在該第一凹槽內的一第一絕緣層、由該第一絕緣層包圍的一第一導電層，以及由該第一導電層包圍的一第一導電構件，并且該第一絕緣層至少部分地設置在該第一導電層之上。15.如權利要求14所述的存儲器元件，其中該第一絕緣層與該第一導電層的一頂面接觸。16.如權利要求14所述的存儲器元件，其中該第一導電層之上的該第一絕緣層的一寬度實質上大于該第一導電層和該第一導電構件周圍的該第一絕緣層的一寬度。17.如權利要求14所述的存儲器元件，更包括與該字元線相鄰并延伸至該半導體基底中的一隔離結構、由該隔離結構包圍的一第二導電層，以及由該第二導電層包圍的一第二
導電構件。18.如權利要求17所述的存儲器元件，其中該第二導電層之上的該隔離結構的一寬度實質上大于圍繞該第二導電層和該第二導電構件的該隔離結構的一寬度。19.如權利要求17所述的存儲器元件，其中該第二導電層包括氮化鈦(TiN)或鎢(W)。20.如權利要求17所述的存儲器元件，其中該第一導電層和該第二導電層包括一相同材料。21.一種存儲器元件的制備方法，包括：提供一半導體基底，其定義有一主動區并...
【專利技術屬性】
技術研發人員：蕭釧林，
申請(專利權)人：南亞科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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