本實用新型專利技術涉及輝光放電質譜儀測試設備技術領域,具體涉及一種輝光放電質譜儀測試輔助進樣箔片。為解決低熔點金屬如銦、鎵在GDMS測試過程受熱,易融化導致短路,使測試終止的問題。所述箔片布置在輝光放電質譜儀的樣品夾上,測試樣品放置在所述箔片上部,所述箔片俯視圖為圓環狀,其內徑為12
【技術實現步驟摘要】
一種輝光放電質譜儀測試輔助進樣箔片
[0001]本技術涉及輝光放電質譜儀測試設備
,尤其涉及一種輝光放電質譜儀測試輔助進樣箔片。
技術介紹
[0002]GDMS是輝光放電質譜法的簡稱,具有高靈敏度(E10cps以上)、低檢出限(亞ppb級)、廣泛的元素分析范圍(可測試74種元素)等優點。ELEMENTGD是美國賽默飛世爾公司研發的一種輝光放電質譜儀,ELEMENTGD采用的是Grimm離子源,這種離子源的特點之一是陽極帽和樣品(即陰極)靠的特別近,兩者間距約200μm,這種設計可以使濺射區域被嚴格限制在特定范圍,獲得好的濺射形貌。但是劣勢在于受樣品表面平整度影響大,如果樣品表面有凸起,或者濺射過程中有較多的反沉積,會導致樣品和陽極帽短接,即產生短路。短路會嚴重影響GDMS的測試效率,需要重新制樣進樣。ELEMENTGD應用中遇到的最多問題就是短路,這限制了該儀器的進一步推廣使用。尤其是低熔點金屬如銦、鎵,在GDMS測試過程中受熱易融化,導致短路,進而使測試終止。
技術實現思路
[0003]有鑒于此,本技術的目的在于提出一種輝光放電質譜儀測試輔助進樣箔片,以解決低熔點金屬如銦、鎵在GDMS測試過程受熱,易融化導致短路,使測試終止的問題。
[0004]基于上述目的,本技術提供了一種輝光放電質譜儀測試輔助進樣箔片,布置在輝光放電質譜儀的樣品夾上,測試樣品放置在所述箔片上部,所述箔片俯視圖為圓環狀,其內徑為12
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18毫米,外徑為20
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40毫米,厚度為0.1
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0.3mm。
[0005]作為本申請的進一步改進,所述箔片的純度在99.99%以上,材質優選為鉭。
[0006]作為本申請的進一步改進,所述箔片內徑為12毫米。
[0007]作為本申請的進一步改進,所述箔片外徑為40毫米。
[0008]作為本申請的進一步改進,所述箔片表面平滑。
[0009]本技術的有益效果:通過箔片的設置,可加大Grimm離子源中陽極帽和測試樣品(陰極)之間的間距,避免短路問題,尤其是針對低熔點樣品。
附圖說明
[0010]為了更清楚地說明本技術或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本技術,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0011]圖1為本技術實施例一種輝光放電質譜儀測試輔助進樣箔片的結構示意圖;
[0012]圖2為本技術實施例一種輝光放電質譜儀測試輔助進樣箔片的與樣品夾配合時的結構示意圖;
[0013]圖3為本技術實施例一種輝光放電質譜儀測試輔助進樣箔片的與測試樣品配合時的結構示意圖;
[0014]圖4為本技術實施例一種輝光放電質譜儀測試輔助進樣箔片的與測試樣品配合時的結構示意圖;
[0015]圖5本技術實施例一種輝光放電質譜儀測試輔助進樣箔片的與測試樣品配合時的結構示意圖。
[0016]圖中標記為:
[0017]1、樣品夾;2、測試樣品;3、箔片。
具體實施方式
[0018]為使本技術的目的、技術方案和優點更加清楚明白,以下結合具體實施例,對本技術進一步詳細說明。
[0019]需要說明的是,除非另外定義,本技術使用的技術術語或者科學術語應當為本技術所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本技術中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性,而只是用來區分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接,而是可以包括電性的連接,不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系,當被描述對象的絕對位置改變后,則該相對位置關系也可能相應地改變。
[0020]實施例一:如圖1
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2所示,一種輝光放電質譜儀測試輔助進樣箔片,布置在輝光放電質譜儀的樣品夾1上,測試樣品2放置在所述箔片3上部,所述箔片3俯視圖為圓環狀,其內徑為12毫米,外徑為40毫米,所述箔片3即加大了陽極帽和陰極之間的間距,又為了避免對測試的信號強度影響,所述箔片3厚度為0.1
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0.3mm。
[0021]如圖2所示,使用時,箔片3對齊樣品夾1容納槽內的檢測孔放入容納槽內,當測試樣品2為鎵塊時,取出預冷的鎵塊,馬上放置于箔片3上方,最后將樣品夾1連同鎵塊一起裝樣放入輝光放電質譜儀測試。鎵塊在測試前需要在
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80℃冰箱或液氮罐中冷卻1小時以上。
[0022]實施例二:如圖3
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4所示,所述箔片3為圓片狀,圓片外徑為6mm,多個所述箔片3分布在測試樣品2的底部,架空測試樣品2,即加大了陽極帽和陰極之間的間距,又進一步避免了對測試的信號強度影響。
[0023]為了避免誤濺射影響檢測數據,所述箔片3的純度在99.99%以上,如此高的純度,有效避免了所述箔片3與測試樣品2反應,材質為鉭。
[0024]作為本申請的進一步改進,如圖5所示,所述箔片3還可以為長方形。
[0025]所屬領域的普通技術人員應當理解:以上任何實施例的討論僅為示例性的,并非旨在暗示本技術的范圍(包括權利要求)被限于這些例子;在本技術的思路下,以上實施例或者不同實施例中的技術特征之間也可以進行組合,步驟可以以任意順序實現,并存在如上所述的本技術的不同方面的許多其它變化,為了簡明它們沒有在細節中提供。
[0026]本技術旨在涵蓋落入所附權利要求的寬泛范圍之內的所有這樣的替換、修改
和變型。因此,凡在本技術的精神和原則之內,所做的任何省略、修改、等同替換、改進等,均應包含在本技術的保護范圍之內。
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【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種輝光放電質譜儀測試輔助進樣箔片,布置在輝光放電質譜儀的樣品夾(1)上,測試樣品(2)放置在所述箔片(3)上部,其特征在于,所述箔片(3)俯視圖為圓環狀,其內徑為12
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18毫米,外徑為20
?
40毫米,厚度為0.1
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0.3mm。2.根據權利要求1所述的輝光放電質譜儀測試輔助...
【專利技術屬性】
技術研發人員:周童,徐國軍,張蛟,蔣明偉,
申請(專利權)人:安徽狄拉克新材料科技有限公司,
類型:新型
國別省市:
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