一種半導體芯片制造技術

本實用新型專利技術提供了一種半導體芯片，包括基板、芯片表面源極、外部源極引腳和鍵合組件，芯片表面源極和外部源極引腳分別設置于基板上的不同位置，芯片表面源極和外部源極引腳通過鍵合組件連接；芯片表面源極上設置有第一鍵合區域，外部源極引腳上設置有第二鍵合區域，鍵合組件包括導電引線，導電引線的第一端通過若干第一鍵合結構與第一鍵合區域鍵合連接，導電引線的第二端通過第二鍵合結構與第二鍵合區域鍵合連接。本實用新型專利技術提供的半導體芯片增加了鍵合結構，增大了導電引線與芯片表面源極的接觸面積，也提高了產品芯片表面的電流匯聚面積，降低了導體電阻的導通內阻參數，使得高功率的半導體芯片產品能夠更好地發揮其高性能。率的半導體芯片產品能夠更好地發揮其高性能。率的半導體芯片產品能夠更好地發揮其高性能。

【技術實現步驟摘要】
一種半導體芯片


[0001]本技術涉及半導體產品
，尤其涉及一種半導體芯片。

技術介紹

[0002]半導體芯片的源極需要鍵合很多條引線，以在芯片源極與外引腳源極之間形成有效電路連接和散熱通道，但外引腳源極區域的大小是一定的，不能無限地放下很多條引線。由于芯片表面源極與鋁絲接觸面積偏小，容易在芯片表面形成電流急聚過沖甚至早期失效的現象，不利于充分發揮大功率半導體芯片如金屬
?
氧化物半導體場效應晶體管(Metal
?
Oxide
?
Semiconductor Field
?
Effect Transistor，MOSFET)的高性能。
[0003]因此，有必要提供一種半導體芯片以解決上述的現有技術中存在的問題。

技術實現思路

[0004]本技術的目的在于提供一種半導體芯片，以解決芯片表面源極與鋁絲接觸面積偏小，容易在芯片表面形成電流急聚過沖甚至早期失效的問題。
[0005]為實現上述目的，本技術提供的所述半導體芯片，包括基板、芯片表面源極、外部源極引腳和鍵合組件，所述芯片表面源極和所述外部源極引腳分別設置于所述基板上的不同位置，所述芯片表面源極和所述外部源極引腳通過所述鍵合組件連接；
[0006]所述芯片表面源極上設置有第一鍵合區域，所述外部源極引腳上設置有第二鍵合區域，所述鍵合組件包括導電引線，所述導電引線的第一端通過若干第一鍵合結構與所述第一鍵合區域鍵合連接，所述導電引線的第二端通過第二鍵合結構與所述第二鍵合區域鍵合連接。
[0007]優選地，所述第一鍵合區域上設置有兩個第一焊點，兩個所述第一焊點之間的距離不超過所述第一鍵合區域的最大尺寸。
[0008]優選地，所述第一鍵合結構的數量為兩個，兩個所述第一鍵合結構分別設置于兩個所述第一焊點上。
[0009]優選地，所述第二鍵合區域上設置有第二焊點，所述第二鍵合結構設置于所述第二焊點上。
[0010]優選地，所述導電引線的數量為一條或若干條，所述導電引線的材質為鋁。
[0011]本技術的半導體芯片有益效果在于：
[0012]本技術通過若干第一鍵合結構與第一鍵合區域鍵合連接，并通過第二鍵合結構與第二鍵合區域鍵合連接，使得導電引線很好地連接芯片表面源極和外部源極引腳，相對于傳統的導電引線與芯片表面源極通過單個焊點鍵合連接增加了鍵合結構，從而在不增加導電引線的情況下，增大了導電引線與芯片表面源極的接觸面積，也提高了產品芯片表面的電流匯聚面積。提高了導電引線與芯片表面源極的結合牢固度，降低了導體電阻的導通內阻參數。使得高功率的半導體芯片產品能夠更好地發揮其高性能，解決了芯片表面源極與鋁絲接觸面積偏小，容易在芯片表面形成電流急聚過沖甚至早期失效的問題。
附圖說明
[0013]圖1為本技術實施例提供的半導體芯片的結構示意圖。
[0014]附圖標記：
[0015]1?
基板；2
?
芯片表面源極；20
?
第一鍵合區域；3
?
外部源極引腳；30
?
第二鍵合區域；4
?
導電引線；5
?
第一鍵合結構；6
?
第二鍵合結構。
具體實施方式
[0016]為使本技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒炯夹g中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。除非另外定義，此處使用的技術術語或者科學術語應當為本技術所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本文中使用的“包括”等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
[0017]針對現有技術存在的問題，本技術實施例提供了一種半導體芯片。
[0018]參照圖1，本技術實施例提供的半導體芯片包括基板1、芯片表面源極2、外部源極引腳3和鍵合組件，芯片表面源極2和外部源極引腳3分別設置于基板1上的不同位置，芯片表面源極2和外部源極引腳3通過鍵合組件連接；
[0019]芯片表面源極2上設置有第一鍵合區域20，外部源極引腳3上設置有第二鍵合區域30，鍵合組件包括導電引線4，導電引線4的第一端通過若干第一鍵合結構5與第一鍵合區域20鍵合連接，導電引線4的第二端通過第二鍵合結構6與第二鍵合區域30鍵合連接。
[0020]一些實施例中，芯片表面源極2是指芯片內部的源極，外部源極引腳3是指位于封裝后位于半導體芯片外部的源極引腳。
[0021]作為本技術一種優選的實施方式，參照圖1，第一鍵合區域20上設置有兩個第一焊點(圖中未標示)，兩個第一焊點之間的距離不超過第一鍵合區域20的最大尺寸。
[0022]作為本技術一種優選的實施方式，第一鍵合結構5的數量為兩個，兩個第一鍵合結構5分別設置于兩個第一焊點上。
[0023]一些實施例中，通過雙焊點超聲波鍵合工藝使得導電引線4的第一端與兩個第一焊點鍵合連接，在導電引線4與兩個第一焊點鍵合連接的位置分別形成兩個第一鍵合結構5。
[0024]作為本技術一種優選的實施方式，參照圖1，第二鍵合區域30上設置有第二焊點(圖中未標示)，第二鍵合結構6設置于第二焊點上。
[0025]一些實施例中，通過超聲波鍵合工藝使得導電引線4的第二端與第二焊點鍵合連接，在導電引線4與第二焊點鍵合連接的位置形成第二鍵合結構6。
[0026]作為本技術一種優選的實施方式，導電引線4的數量為一個或若干個，導電引線4的材質為鋁。
[0027]一些實施例中，導電引線4的數量為兩個或兩個以上，具體根據半導體芯片的性能需求和其源極區域的大小共同決定。
[0028]一些實施例中，導電引線4的長度大于兩個第一焊點之間的距離和第一焊點與第
二焊點之間的最近距離的距離總和，保證導電引線4與第一焊點和第二焊點均能牢固地鍵合連接。
[0029]一些具體實施例中，本技術通過導電引線4連接芯片表面源極2和外部源極引腳3的步驟如下：
[0030]基于半導體芯片源極鍵合區尺寸在其鍵合區域的長度方向和寬度方向(圖中未標示)受限，需要控制引線的跨度和高度，即根據半導體芯片的鍵合區域尺寸控制拉弧參數；
[0031]選擇鋁絲為導電引線4，根據具體半導體芯片產品的鍵合區域的長度方向和寬度方向的尺寸來決定鋁絲外徑，根據半導體芯片封裝外形的包裝尺寸來決定鋁絲的長度；
[0032]用短點劈刀作為焊接鋁絲的工具，通過超聲波鍵合工藝進行鍵合步驟，具體如下：
[0033]通過雙焊點鍵合工藝首先使鋁絲的一端與芯片表面源極2的第一鍵合區域20上的第本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種半導體芯片，其特征在于，包括基板、芯片表面源極、外部源極引腳和鍵合組件，所述芯片表面源極和所述外部源極引腳分別設置于所述基板上的不同位置，所述芯片表面源極和所述外部源極引腳通過所述鍵合組件連接；所述芯片表面源極上設置有第一鍵合區域，所述外部源極引腳上設置有第二鍵合區域，所述鍵合組件包括導電引線，所述導電引線的第一端通過若干第一鍵合結構與所述第一鍵合區域鍵合連接，所述導電引線的第二端通過第二鍵合結構與所述第二鍵合區域鍵合連接。2.如權利要求1所述的半導體芯片，...

【專利技術屬性】
技術研發人員：田茂康，
申請(專利權)人：南通尚陽通集成電路有限公司，
類型：新型
國別省市：