【技術實現步驟摘要】
一種掩膜版玻璃基底的清洗方法
[0001]本專利技術涉及半導體清洗
，尤其涉及一種掩膜版玻璃基底的清洗方法。
技術介紹
[0002]對于半導體產業而言，隨著半導體器件關鍵尺寸不斷縮小以及新材料的引入，在半導體器件的制造過程中，對半導體基底如晶圓表面、掩膜版及其玻璃基底的潔凈度要求越來越嚴苛。單片清洗能有效防止基底的二次污染，在基底的清洗過程中，新的化學試劑和去離子水不斷地供應到基底的表面，而用過的化學試劑與去離子水直接排出并被回收。通過使用單片清洗可以有效提高100納米及以下工藝的成品率。
[0003]但是單片清洗目前存在一些問題，尤其是在玻璃基底的清洗方面，常規清洗的過程中會用到SPM(硫酸和過氧化氫的混合液)和堿性洗劑，這兩種溶劑很容易在清洗后的玻璃基底上殘留水痕(包括印跡、洗劑殘留)，并且相比于硅片或其他基底，玻璃基底的親水性更強，接觸角更小，更容易產生水痕，而水痕會造成玻璃基底報廢，一些很輕的水痕會留至后工序，造成后工序產品的報廢。
[0004]同時，水痕除了會造成產品報廢外，也會降低鉻膜層與玻璃基底之間的粘附力，短時間使用會導致水痕區域的鉻膜層缺失造成針孔，長時間會導致水痕區域鉻膜層脫落；常規的采用氮氣吹干玻璃基底的方式也容易引入新的大顆粒污染，造成玻璃基底報廢，影響產品質量。
技術實現思路
[0005]鑒于目前單片清洗玻璃基底存在的上述不足，本專利技術提供一種掩膜版玻璃基底的清洗方法，能夠有效提高玻璃基底的生產質量，減少水痕殘留，提高玻璃基底與鉻膜層的粘附力。>[0006]為達到上述目的，本專利技術的實施例采用如下技術方案：
[0007]一種掩膜版玻璃基底的清洗方法，所述清洗方法包括：
[0008]通過SPM清洗去除玻璃基底表面的金屬離子；
[0009]以多種轉速旋轉玻璃基底并進行持續的熱純水沖洗；
[0010]旋轉玻璃基底并進行持續的冷純水沖洗，以去除熱純水和SPM溶劑殘留；
[0011]旋轉玻璃基底并通過毛刷和清洗劑進行刷洗；
[0012]旋轉玻璃基底再次進行冷純水沖洗，以去除清洗劑殘留；
[0013]通過階梯轉速旋轉玻璃基底進行甩干。
[0014]依照本專利技術的一個方面，所述通過階梯轉速旋轉玻璃基底進行甩干，具體為：提高玻璃基底的轉速到第一甩干轉速，并保持旋轉100
?
200s，再繼續提高玻璃基底的轉速到第二甩干轉速，并保持旋轉200
?
300s，隨后將玻璃基底的旋轉方向逆轉，再提高玻璃基底的轉速到第三甩干轉速，并保持旋轉100
?
150s，其中，所述第三甩干轉速大于所述第二甩干轉速。
[0015]依照本專利技術的一個方面，所述第一甩干轉速為300
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400rpm，所述第二甩干轉速為500
?
600rpm，所述第三甩干轉速為500
?
600rpm。
[0016]依照本專利技術的一個方面，所述玻璃基底進行持續的熱純水沖洗具體為：沖洗玻璃基底的正面和背面，沖洗背面的流量大于沖洗正面的流量，沖洗正面的流量大于2.0L/min。
[0017]依照本專利技術的一個方面，所述玻璃基底在進行冷純水沖洗時，玻璃基底以冷沖洗轉速進行旋轉，并保持沖水30
?
180s，所述冷沖洗轉速為30
?
50rpm。
[0018]依照本專利技術的一個方面，所述旋轉玻璃基底并通過毛刷和清洗劑進行刷洗具體為：所述玻璃基底以刷洗轉速進行旋轉，所述毛刷以順時針旋轉方式和逆時針旋轉方式交替旋轉，所述刷洗轉速為100
?
150rpm。
[0019]依照本專利技術的一個方面，所述毛刷以順時針旋轉方式和逆時針旋轉方式交替旋轉具體為：毛刷對玻璃基底進行逆時針旋轉清洗，逆時針旋轉清洗時間為150
?
200s，隨后對玻璃基底進行順時針清洗，順時針旋轉清洗時間為100
?
200s，所述逆時針旋轉清洗時間大于所述順時針旋轉清洗時間，所述毛刷逆時針旋轉的轉速大于毛刷順時針旋轉的轉速。
[0020]依照本專利技術的一個方面，所述以多種轉速旋轉玻璃基底具體為：以第一加速度提高玻璃基底的轉速達到第一熱沖洗轉速，保持沖水50
?
100s，隨后將轉速降至零，再以第二加速度提高玻璃基底的轉速達到第二熱沖洗轉速，保持沖水200
?
300s。
[0021]依照本專利技術的一個方面，所述第一加速度大于第二加速度，所述第一熱沖洗轉速大于第二熱沖洗轉速。
[0022]依照本專利技術的一個方面，所述第一熱沖洗轉速為200rpm，所述第二熱沖洗轉速150
?
200rpm，所述第一加速度為50
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100rpm/s，所述第二加速度為5
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10rpm/s。
[0023]本專利技術實施的優點：本專利技術提供的一種掩膜版玻璃基底的清洗方法，包括對玻璃基底表面進行SPM清洗；對玻璃基底持續進行熱純水沖洗；對玻璃基底進行第一次冷純水沖洗；對玻璃基底進行毛刷洗劑刷洗，毛刷以順時針旋轉方式和逆時針旋轉方式交替旋轉；對玻璃基底進行第二次冷純水沖洗；對玻璃基底進行甩干，包括采用階梯轉速對玻璃基底進行甩干，再將玻璃基底的旋轉方向逆轉，提高玻璃基底的轉速，直至玻璃基底上的水膜被甩干，本專利技術利用熱純水沖洗，有效且高效去除玻璃基底上的SPM殘留液；毛刷刷洗過程中采用順時針旋轉和逆時針旋轉方式交替旋轉刷洗，進一步降低玻璃基底上的SPM殘留液；最后采用階梯轉速甩干的方式去除水膜，以更高的轉速甩干，避免了在常規氮氣吹干過程中引入顆粒污染的風險，有效提高了玻璃基底的生產質量，減少水痕殘留，并提高了玻璃基底與鉻膜層的粘附力，使產品使用壽命得到提升。
附圖說明
[0024]為了更清楚地說明本專利技術實施例中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為本專利技術所述的一種掩膜版玻璃基底的清洗方法流程圖。
具體實施方式
[0026]在本專利技術的描述中，需要理解的是，術語“第一”、“第二”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本專利技術的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。
[0027]下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。
[0028]本專利技術所述的玻璃基底設在清洗設備的轉盤本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種掩膜版玻璃基底的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括：通過SPM清洗去除玻璃基底表面的金屬離子；以多種轉速旋轉玻璃基底并進行持續的熱純水沖洗；旋轉玻璃基底并進行持續的冷純水沖洗，以去除熱純水和SPM溶劑殘留；旋轉玻璃基底并通過毛刷和清洗劑進行刷洗；旋轉玻璃基底再次進行冷純水沖洗，以去除清洗劑殘留；通過階梯轉速旋轉玻璃基底進行甩干。2.根據權利要求1所述的一種掩膜版玻璃基底的清洗方法，其特征在于，所述通過階梯轉速旋轉玻璃基底進行甩干，具體為：提高玻璃基底的轉速到第一甩干轉速，并保持旋轉100
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200s，再繼續提高玻璃基底的轉速到第二甩干轉速，并保持旋轉200
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300s，隨后將玻璃基底的旋轉方向逆轉，再提高玻璃基底的轉速到第三甩干轉速，并保持旋轉100
?
150s，其中，所述第三甩干轉速大于所述第二甩干轉速。3.根據權利要求2所述的一種掩膜版玻璃基底的清洗方法，其特征在于，所述第一甩干轉速為300
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400rpm，所述第二甩干轉速為500
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600rpm，所述第三甩干轉速為500
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600rpm。4.根據權利要求1所述的一種掩膜版玻璃基底的清洗方法，其特征在于，所述玻璃基底進行持續的熱純水沖洗具體為：沖洗玻璃基底的正面和背面，沖洗背面的流量大于沖洗正面的流量，沖洗正面的流量大于2.0L/min。5.根據權利要求1所述的一種掩膜版玻璃基底的清洗方法，其特征在于，所述玻璃基底在進行冷純水沖洗時，玻璃基底以冷沖洗轉速進行旋轉，并保持沖水30
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180s，所述冷沖洗轉速為30
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【專利技術屬性】
技術研發人員：吳云峰，李翼，李偉，周志剛，
申請(專利權)人：湖南普照信息材料有限公司，
類型：發明
國別省市：
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