半導體裝置制造用粘合帶制造方法及圖紙

本發明專利技術的目的在于提供一種芯片部件的剝離性能優異、且能夠抑制向芯片部件的殘膠的半導體裝置制造用粘合帶。本發明專利技術為依次具有基材、燒蝕層、阻隔層和第1粘合劑層的半導體裝置制造用粘合帶。制造用粘合帶。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】半導體裝置制造用粘合帶


[0001]本專利技術涉及半導體裝置制造用粘合帶。

技術介紹

[0002]在半導體器件的制造工序中，有時將配置于粘合劑層上的多個芯片部件轉印至驅動電路基板上。
[0003]例如，微型LED顯示器是如下的顯示裝置：一個個構成像素的芯片為微細的發光二極管(LED，Light Emitting Diode)芯片、該微型LED芯片自發光而顯示圖像的顯示裝置。微型LED顯示器的對比度高、響應速度快，另外，由于不需要液晶顯示器、有機EL顯示器等中使用的濾色器等從而還能夠薄型化，所以作為下一代的顯示裝置而備受關注。在微型LED顯示器中，多個微型LED芯片呈平面狀高密度地鋪滿。
[0004]在這樣的微型LED顯示器等半導體器件的制造工序中，例如，使在粘合劑層上配置有多個芯片部件的轉印用層疊體與驅動電路基板相向，使芯片部件從轉印用層疊體剝離而與驅動電路基板進行電連接(轉印工序)。
[0005]作為從轉印用層疊體剝離芯片部件的方法，例如，已知有從轉印用層疊體的支撐體的背面將焦點對準粘合劑層而照射激光的方法(例如專利文獻1)。這樣的方法也被稱為激光燒蝕(laser ablation)。另外，還已知如下方法：在粘合劑層中配合熱膨脹性粒子、熱膨脹性微囊等，通過轉印用層疊體與驅動電路基板的熱壓接而使熱膨脹性粒子、熱膨脹性微囊等熱膨脹，由此，通過由粘合劑層的變形引起的粘接面積降低而使芯片部件剝離(例如專利文獻2、3)。
[0006]在先技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1：日本特開2019
?
138949號公報
[0009]專利文獻2：日本特開2019
?
15899號公報
[0010]專利文獻3：日本特開2003
?
7986號公報

技術實現思路

[0011]專利技術要解決的課題
[0012]然而，在以往的使芯片部件剝離的方法中，存在由于芯片部件的剝離不良而難以成品率良好地轉印芯片部件的問題。
[0013]另外，在使用以往的粘合劑層進行激光燒蝕的情況下，還存在粘合劑層的殘渣附著于芯片部件的問題。即，例如，雖然能夠通過提高激光的輸出功率等利用激光燒蝕使芯片部件剝離，但有時在芯片部件剝離時粘合劑層破裂，粘合劑層的殘渣附著于芯片部件。
[0014]本專利技術的目的在于，提供一種芯片部件的剝離性能優異、且能夠抑制向芯片部件的殘膠的半導體裝置制造用粘合帶。
[0015]用于解決課題的手段
[0016]本公開1為一種半導體裝置制造用粘合帶，其依次具有基材、燒蝕層、阻隔層和第1粘合劑層。
[0017]本公開2為根據本公開1的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述基材為樹脂膜。
[0018]本公開3為根據本公開2的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述樹脂膜為聚酯膜。
[0019]本公開4為根據本公開1、2或3的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述燒蝕層在波長365nm處的紫外線吸收率為90％以上。
[0020]本公開5為根據本公開1、2、3或4的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述燒蝕層在23℃時的儲能模量G
’
為1
×
104Pa以上且2
×
105Pa以下。
[0021]本公開6為根據本公開1、2、3、4或5的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述阻隔層的厚度為25μm以下。
[0022]本公開7為根據本公開6的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述阻隔層的厚度為6μm以下。
[0023]本公開8為根據本公開1、2、3、4、5、6或7的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述阻隔層為聚酯膜。
[0024]本公開9為根據本公開1、2、3、4、5、6、7或8的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述阻隔層在與上述第1粘合劑層接觸的面具有易粘接樹脂層。
[0025]本公開10為根據本公開1、2、3、4、5、6、7、8或9的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述第1粘合劑層的斷裂強度為1MPa以上。
[0026]本公開11為根據本公開1、2、3、4、5、6、7、8、9或10的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述第1粘合劑層在23℃時的儲能模量G
’
為1
×
104Pa以上且2
×
105Pa以下。
[0027]本公開12為根據本公開1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述第1粘合劑層含有A
?
B
?
A型嵌段共聚物。
[0028]本公開13為根據本公開12的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述A
?
B
?
A型嵌段共聚物中，嵌段A含有來自于芳香族乙烯基單體的結構，嵌段B含有來自于(甲基)丙烯酸系單體的結構。
[0029]本公開14為根據本公開12或13的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述嵌段B具有來自于含交聯性官能團的單體的結構。
[0030]本公開15為根據本公開1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13或14的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述第1粘合劑層的凝膠分率為70重量％以上且95重量％以下。
[0031]本公開16為根據本公開1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14或15的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述第1粘合劑層的厚度為5μm以上且30μm以下。
[0032]本公開17為根據本公開1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15或16的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述半導體裝置制造用粘合帶的滾球初粘力為No.5以上。
[0033]本公開18為根據本公開1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16或17的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述半導體裝置制造用粘合帶的上述第1粘合劑層的面剝離力為1MPa以下。
[0034]本公開19為根據本公開1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17或18的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述基材與上述燒蝕層之間的粘合力為6N/25mm以上。
[0035]本公開20為根據本公開1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18或19
的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述燒蝕層與上述阻隔層之間的粘合力為6N/25mm以上。
[0036]本公開21為根據本公開1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20的半導體裝置制造用粘合帶，其中，上述第1粘合劑層為固化型粘合劑層。
[0037]本公開22為根據本公開1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、1本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】1.一種半導體裝置制造用粘合帶，其特征在于，依次具有基材、燒蝕層、阻隔層和第1粘合劑層。2.根據權利要求1所述的半導體裝置制造用粘合帶，其特征在于，所述基材為樹脂膜。3.根據權利要求2所述的半導體裝置制造用粘合帶，其特征在于，所述樹脂膜為聚酯膜。4.根據權利要求1、2或3所述的半導體裝置制造用粘合帶，其特征在于，所述燒蝕層在波長365nm處的紫外線吸收率為90％以上。5.根據權利要求1、2、3或4所述的半導體裝置制造用粘合帶，其特征在于，所述燒蝕層在23℃時的儲能模量G
’
為1
×
104Pa以上且2
×
105Pa以下。6.根據權利要求1、2、3、4或5所述的半導體裝置制造用粘合帶，其特征在于，所述阻隔層的厚度為25μm以下。7.根據權利要求6所述的半導體裝置制造用粘合帶，其特征在于，所述阻隔層的厚度為6μm以下。8.根據權利要求1、2、3、4、5、6或7所述的半導體裝置制造用粘合帶，其特征在于，所述阻隔層為聚酯膜。9.根據權利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的半導體裝置制造用粘合帶，其特征在于，所述阻隔層在與所述第1粘合劑層接觸的面具有易粘接樹脂層。10.根據權利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9所述的半導體裝置制造用粘合帶，其特征在于，所述第1粘合劑層的斷裂強度為1MPa以上。11.根據權利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9或10所述的半導體裝置制造用粘合帶，其特征在于，所述第1粘合劑層在23℃時的儲能模量G
’
為1
×
104Pa以上且2
×
105Pa以下。12.根據權利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11所述的半導體裝置制造用粘合帶，其特征在于，所述第1粘合劑層含有A
?
B
?
A型嵌段共聚物。13.根據權利要求12所述的半導體裝置制造用粘合帶，其特征在于，所述A
?
B
?
A型嵌段共聚物中，嵌段A含有來自于芳香族乙烯基單體的結構，嵌段B含有來自于(甲基)丙烯酸系單體的結構。14.根據權利要求12或13所述的半導體裝置制造用粘合帶，其特征在于，所述嵌段B...

【專利技術屬性】
技術研發人員：內田德之，后藤琢真，
申請(專利權)人：積水化學工業株式會社，
類型：發明
國別省市：