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    粘合膜、帶支撐片的粘合膜及結(jié)構(gòu)體制造技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):38010840 閱讀:24 留言:0更新日期:2023-06-30 10:31
    本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種粘合膜1,其含有:具有二維晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱性填料(A)、環(huán)氧成分(B)、固化劑(C)及粘結(jié)劑聚合物(D),其中,其中,環(huán)氧成分(B)及固化劑(C)中的至少一者具有π共軛類介晶骨架。該粘合膜1導(dǎo)熱性優(yōu)異。該粘合膜1導(dǎo)熱性優(yōu)異。該粘合膜1導(dǎo)熱性優(yōu)異。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    【國(guó)外來華專利技術(shù)】粘合膜、帶支撐片的粘合膜及結(jié)構(gòu)體


    [0001]本專利技術(shù)涉及導(dǎo)熱性優(yōu)異的粘合膜及其制造方法、帶支撐片的粘合膜、以及結(jié)構(gòu)體及其制造方法。

    技術(shù)介紹

    [0002]以往,在熱電轉(zhuǎn)換器件、光電轉(zhuǎn)換器件、大規(guī)模集成電路等半導(dǎo)體器件等電子器件等中,使用具有導(dǎo)熱性的散熱構(gòu)件以釋放發(fā)熱產(chǎn)生的熱。例如,作為用于將半導(dǎo)體器件所產(chǎn)生的熱有效地散熱到外部的方法,在半導(dǎo)體器件與散熱片的粘合中使用高度填充無機(jī)填料且導(dǎo)熱性優(yōu)異的液態(tài)的導(dǎo)熱性粘合劑,或者在半導(dǎo)體器件與散熱片之間設(shè)置導(dǎo)熱性優(yōu)異的片狀的散熱構(gòu)件(膜、片)。
    [0003]如上所述的膜或片,如專利文獻(xiàn)1所例示的,通過將含有粘著性樹脂、無機(jī)填料、固化劑及溶劑的散熱材料的涂布液涂布在剝離片或基材上并進(jìn)行干燥而制造。作為上述無機(jī)填料,使用了二氧化硅、氧化鋁、玻璃、氧化鈦等。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)
    [0004]專利文獻(xiàn)1:日本特開2015
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    67713號(hào)公報(bào)

    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    本專利技術(shù)要解決的技術(shù)問題
    [0005]但是,以往的含有無機(jī)填料的膜或片有時(shí)并不一定能夠得到所需的導(dǎo)熱性。因此,需要進(jìn)一步使導(dǎo)熱性優(yōu)異。其中,對(duì)于以往的含有無機(jī)填料的膜或片,若為了獲得高導(dǎo)熱性而高度填充無機(jī)填料,則有時(shí)會(huì)產(chǎn)生機(jī)械性變脆、柔軟性下降、使用時(shí)發(fā)生破損屑等工序上的不良。此外,還有因片狀的散熱構(gòu)件的表面粗糙度變大而難以表現(xiàn)出粘性,無法獲得貼附于被粘物時(shí)的臨時(shí)粘著性的情況,或在將片狀的散熱構(gòu)件貼附于被粘物時(shí)容易卷入空氣,在片狀的散熱構(gòu)件與被粘物的粘合界面形成大量的空隙的情況。進(jìn)一步,通過高度填充,在片狀的散熱構(gòu)件的內(nèi)部存在很多無機(jī)填料和其他粘著性樹脂等有機(jī)材料成分的界面,因此存在在該界面產(chǎn)生剝離的情況,及在片狀的散熱構(gòu)件的內(nèi)部形成許多空隙從而使導(dǎo)熱性下降的情況。
    [0006]因此,近年來,在以電子工業(yè)領(lǐng)域、燃料電池領(lǐng)域等為首的廣泛領(lǐng)域中提出摻合具有優(yōu)異的電特性、熱特性及光學(xué)特性的石墨烯(graphene)的復(fù)合樹脂材料以代替以往的無機(jī)填料。將石墨烯分散于樹脂中作為復(fù)合樹脂材料使用時(shí),需要將石墨烯均勻地分散于樹脂中。但是,從石墨烯的凝聚性及與樹脂的親和性的角度出發(fā),難以將石墨烯均勻地分散于樹脂中。若分散不充分,則會(huì)存在導(dǎo)熱性不均的問題,將作為散熱性填料的石墨烯分散于粘結(jié)劑樹脂中的粘合膜尚未達(dá)到實(shí)用化。
    [0007]本專利技術(shù)是鑒于上述狀況而完成的,其目的在于提供導(dǎo)熱性優(yōu)異的粘合膜及其制造方法、帶支撐片的粘合膜、以及結(jié)構(gòu)體及其制造方法。
    解決技術(shù)問題的技術(shù)手段
    [0008]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,第一,本專利技術(shù)提供一種粘合膜,其含有具有二維晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱性填料(A)、環(huán)氧成分(B)、固化劑(C)及粘結(jié)劑聚合物(D),其中,所述環(huán)氧成分(B)及所述固化劑(C)中的至少一者具有π共軛類介晶(mesogen)骨架(專利技術(shù)1)。
    [0009]第二,本專利技術(shù)提供一種粘合膜,其含有具有二維晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱性填料(A)、具有π共軛類介晶骨架的環(huán)氧成分(B)及粘結(jié)劑聚合物(D)(專利技術(shù)2)。
    [0010]在上述專利技術(shù)(專利技術(shù)1、2)的粘合膜中,具有很多π電子的導(dǎo)熱性填料(A)通過相互作用而易于彼此接近,進(jìn)一步因?yàn)槠湫螤疃缺砻娣e大,因此易于彼此接觸。另外,通過導(dǎo)熱性填料(A)所具有的π電子與環(huán)氧成分(B)和/或固化劑(C)所具有的π電子的相互作用,導(dǎo)熱性填料(A)在粘合性樹脂組合物中、進(jìn)而在粘合膜中良好地分散,凝聚、偏析得到抑制。通過這些作用,在所述粘合膜中,易于形成導(dǎo)熱性填料(A)帶來的熱傳導(dǎo)路徑,從而發(fā)揮優(yōu)異的導(dǎo)熱性。
    [0011]在上述專利技術(shù)(專利技術(shù)1、2)中,優(yōu)選所述具有二維晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱性填料(A)的含量為5質(zhì)量%以上且60質(zhì)量%以下(專利技術(shù)3)。
    [0012]在上述專利技術(shù)(專利技術(shù)1~3)中,優(yōu)選所述具有二維晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱性填料(A)為石墨烯(專利技術(shù)4)。
    [0013]在上述專利技術(shù)(專利技術(shù)1~4)中,優(yōu)選通過拉曼測(cè)定而得到的吸收光譜中的波數(shù)1250cm
    ?1附近的D帶的吸收強(qiáng)度峰值(I
    D
    )相對(duì)于波數(shù)1570cm
    ?1附近的G帶的吸收強(qiáng)度峰值(I
    G
    )的比(D/G)為0.5以下(專利技術(shù)5)。
    [0014]在上述專利技術(shù)(專利技術(shù)1~5)中,優(yōu)選所述環(huán)氧成分(B)具有作為所述π共軛類介晶骨架的萘(naphthalene)骨架或聯(lián)苯(biphenyl)骨架(專利技術(shù)6)。
    [0015]在上述專利技術(shù)(專利技術(shù)1~6)中,優(yōu)選所述固化劑(C)為具有作為所述π共軛類介晶骨架的聯(lián)苯骨架的酚類固化劑(專利技術(shù)7)。
    [0016]在上述專利技術(shù)(專利技術(shù)1~7)中,優(yōu)選所述粘合膜通過進(jìn)行熱壓而形成(專利技術(shù)8)。
    [0017]第三,本專利技術(shù)提供一種粘合膜的制造方法,其特征在于,在溶劑中,將具有二維晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱性填料(A)與粘結(jié)劑聚合物(D)混合后,進(jìn)一步混合環(huán)氧成分(B)及固化劑(C),所述環(huán)氧成分(B)及所述固化劑(C)中的至少一者具有π共軛類介晶骨架,由此得到粘合性樹脂組合物,將得到的所述粘合性樹脂組合物形成為膜狀(專利技術(shù)9)。
    [0018]第四,本專利技術(shù)提供一種粘合膜的制造方法,其特征在于,在溶劑中,將具有二維晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱性填料(A)與粘結(jié)劑聚合物(D)混合后,進(jìn)一步混合具有π共軛類介晶骨架的環(huán)氧成分(B),由此得到粘合性樹脂組合物,將得到的所述粘合性樹脂組合物形成為膜狀(專利技術(shù)10)。
    [0019]在上述專利技術(shù)(專利技術(shù)9、10)中,優(yōu)選將所述粘合性樹脂組合物形成為膜狀后,進(jìn)一步進(jìn)行熱壓(專利技術(shù)11)。
    [0020]第六,本專利技術(shù)提供一種帶支撐片的粘合膜,其具備所述粘合膜(專利技術(shù)1~8)、及層疊于所述粘合膜的至少一個(gè)面?zhèn)鹊闹纹?專利技術(shù)12)。
    [0021]第七,本專利技術(shù)提供一種結(jié)構(gòu)體,其由第一構(gòu)件的至少一部分與第二構(gòu)件的至少一部分經(jīng)由所述粘合膜(專利技術(shù)1~8)的固化體接合而成(專利技術(shù)13)。
    [0022]在上述專利技術(shù)(專利技術(shù)13)中,優(yōu)選所述第一構(gòu)件為半導(dǎo)體元件,所述第二構(gòu)件為半導(dǎo)
    體元件或基板(專利技術(shù)14)。
    [0023]第八,本專利技術(shù)提供一種制造方法,其通過經(jīng)由所述粘合膜(專利技術(shù)1~8)將第一構(gòu)件的至少一部分貼合于第二構(gòu)件的至少一部分后,對(duì)所述粘合膜進(jìn)行加熱處理,形成固化體,從而制造第一構(gòu)件的至少一部分與第二構(gòu)件的至少一部分經(jīng)由固化體接合而成的結(jié)構(gòu)體(專利技術(shù)15)。專利技術(shù)效果
    [0024]本專利技術(shù)的粘合膜、帶支撐片的粘合膜及結(jié)構(gòu)體,導(dǎo)熱性優(yōu)異。另外,根據(jù)本專利技術(shù)的粘合膜的制造方法,能夠制造導(dǎo)熱性優(yōu)異的粘合膜。進(jìn)一步,根據(jù)本專利技術(shù)的結(jié)構(gòu)體的制造方法,能夠制造導(dǎo)熱性優(yōu)異的結(jié)構(gòu)體。
    附圖說明
    [0025]圖1為本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施方案的帶支撐片的粘合膜的剖面圖。圖2為本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)體的剖面圖。圖3為示出了對(duì)實(shí)施例1的粘合膜進(jìn)行拉曼測(cè)定的結(jié)果的圖表。圖4為示出了對(duì)比較例2的粘合膜進(jìn)行拉曼測(cè)定的結(jié)果的圖表。
    具體實(shí)施方式
    [0026]以下,對(duì)于本專利技術(shù)的實(shí)施方案進(jìn)行說明。[粘合膜]本實(shí)施方案的本文檔來自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    【技術(shù)特征摘要】
    【國(guó)外來華專利技術(shù)】1.一種粘合膜,其特征在于,其含有:具有二維晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱性填料(A)、環(huán)氧成分(B)、固化劑(C)、及粘結(jié)劑聚合物(D),其中,所述環(huán)氧成分(B)及所述固化劑(C)中的至少一者具有π共軛類介晶骨架。2.一種粘合膜,其含有:具有二維晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱性填料(A)、具有π共軛類介晶骨架的環(huán)氧成分(B)、及粘結(jié)劑聚合物(D)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的粘合膜,其特征在于,所述具有二維晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱性填料(A)的含量為5質(zhì)量%以上且60質(zhì)量%以下。4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的粘合膜,其特征在于,所述具有二維晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱性填料(A)為石墨烯。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的粘合膜,其特征在于,通過拉曼測(cè)定而得到的吸收光譜中的波數(shù)1250cm
    ?1附近的D帶的吸收強(qiáng)度峰值(I
    D
    )相對(duì)于波數(shù)1570cm
    ?1附近的G帶的吸收強(qiáng)度峰值(I
    G
    )的比(D/G)為0.5以下。6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的粘合膜,其特征在于,所述環(huán)氧成分(B)具有作為所述π共軛類介晶骨架的萘骨架或聯(lián)苯骨架。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合膜,其特征在于,所述固化劑(C)為具有作為所述π共軛類介晶骨架的聯(lián)苯骨架的酚類固化劑。8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的粘合膜,其特征在于,所述粘合膜通過進(jìn)行熱壓而形成。9.一種粘合膜的制造方法,其特征在...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:市川功吉延毅朗
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:琳得科株式會(huì)社
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:

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