本申請公開了一種熱場的清潔方法及裝置,將待清潔石墨加熱器放置于預設濃度的濃堿溶液中,以使待清潔石墨加熱器表面的氧化硅與濃堿溶液進行反應,生成氫氣以及附著于待清潔石墨加熱器的硅酸鹽,清洗附著于待清潔石墨加熱器上的硅酸鹽,得到目標石墨加熱器。在本申請中,只需要將石墨加熱器放置于濃堿溶液中,使得石墨加熱器表面的氧化硅與濃堿溶液反應,就能達到清潔氧化硅的目的,因此,增加了石墨加熱器的使用壽命。熱器的使用壽命。熱器的使用壽命。
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
一種熱場的清潔方法及裝置
[0001]本申請涉及單晶硅領域,尤其涉及一種熱場的清潔方法及裝置。
技術介紹
[0002]單晶爐在國內裝機量指數型增長,石英坩堝尺寸也越來越大,配套使用的熱場尺寸也不斷變化,隨著熱場尺寸的加大,必然會增大氧化物在熱場上的附著面積,進而增加了拆清的難度。
[0003]目前,一般通過物理摩擦的方法對熱場進行清潔,利用百潔布對熱場中的石墨加熱器進行不斷打磨,若是頑固氧化物則利用打磨機進行打磨,從而達到清潔熱場的目的,由于打磨的方式會使石墨加熱器變薄,導致石墨加熱器的使用壽命縮短。
[0004]因此,如何增加石墨加熱器的使用壽命,成為本領域亟需解決的問題。
技術實現(xiàn)思路
[0005]本申請?zhí)峁┝艘环N熱場的清潔方法及裝置,目的在于增加石墨加熱器的使用壽命。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的,本申請?zhí)峁┝艘韵录夹g方案:
[0007]一種熱場的清潔方法,所述方法包括:
[0008]將待清潔石墨加熱器放置于預設濃度的濃堿溶液中,以使所述待清潔石墨加熱器表面的氧化硅與所述濃堿溶液進行反應,生成氫氣以及附著于所述待清潔石墨加熱器的硅酸鹽;
[0009]清洗附著于所述待清潔石墨加熱器上的所述硅酸鹽,得到目標石墨加熱器。
[0010]可選的,所述將待清潔石墨加熱器放置于預設配比的濃堿溶液中之前,還包括:
[0011]使待清潔石墨加熱器處于預設溫度;所述預設溫度的取值范圍為70℃至90℃。
[0012]可選的,所述將待清潔石墨加熱器放置于預設配比的濃堿溶液中之前,還包括:
[0013]使待清潔石墨加熱器處于預設溫度;所述預設溫度的取值為80℃。
[0014]可選的,所述將待清潔石墨加熱器放置于預設配比的濃堿溶液中之前,還包括:
[0015]若待清潔石墨加熱器的表面附著有二氧化硅,對所述待清潔石墨加熱器表面的所述二氧化硅進行處理,露出所述待清潔石墨加熱器表面的氧化硅。
[0016]可選的,所述濃堿溶液為氫氧化鈉溶液,所述氫氧化鈉溶液的濃度為30%至40%。
[0017]可選的,所述濃堿溶液為氫氧化鉀溶液,所述氫氧化鉀溶液的濃度為30%至50%。
[0018]一種熱場的清潔裝置,所述裝置包括抓夾器件、反應器件和清潔器件;
[0019]所述抓夾器件用于抓取待清潔石墨加熱器放置于裝有濃堿溶液的所述反應器件中;所述抓夾器件還用于抓取所述反應器件中的所述待清潔石墨加熱器,并放置于所述清潔器件中;
[0020]所述反應器件用于盛裝所述濃堿溶液與所述待清潔石墨加熱器,以使所述濃堿溶液與所述待清潔石墨加熱器表面的氧化硅反應,生成氫氣以及附著于所述待清潔石墨加熱
器表面的硅酸鹽;
[0021]所述清潔器件用于清洗附著于所述待清潔石墨加熱器表面的硅酸鹽。
[0022]可選的,所述反應器件由聚醚醚酮構成。
[0023]可選的,所述裝置還包括降溫器件;
[0024]所述降溫器件用于將所述待清潔石墨加熱器降溫至預設溫度。
[0025]可選的,所述裝置還包括溫度測量器件;
[0026]所述溫度測量器件用于測量所述待清潔石墨加熱器的溫度。
[0027]本申請?zhí)峁┑募夹g方案,將待清潔石墨加熱器放置于預設濃度的濃堿溶液中,以使待清潔石墨加熱器表面的氧化硅與濃堿溶液進行反應,生成氫氣以及附著于待清潔石墨加熱器的硅酸鹽,清洗附著于待清潔石墨加熱器上的硅酸鹽,得到目標石墨加熱器,與現(xiàn)有技術相比,不需要通過物理摩擦的方法對熱場中的石墨加熱器表面的氧化硅進行清潔,只需要將石墨加熱器放置于濃堿溶液中,使得石墨加熱器表面的氧化硅與濃堿溶液反應,就能達到清潔氧化硅的目的,因此,增加了石墨加熱器的使用壽命。
附圖說明
[0028]為了更清楚地說明本申請實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1為本申請實施例提供的一種熱場的清潔方法的流程圖;
[0030]圖2為本申請實施例提供的另一種熱場的清潔方法的流程圖;
[0031]圖3為本申請實施例提供的又一種熱場的清潔方法的流程圖;
[0032]圖4為本申請實施例提供的一種熱場的清潔裝置的架構示意圖。
具體實施方式
[0033]下面將結合本申請實施例中的附圖,對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本申請保護的范圍。
[0034]在本申請中,諸如第一和第二等之類的關系術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來,而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關系或者順序。而且術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素,而且還包括沒有明確列出的其他要素,或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下,由語句“包括一個
……”
限定的要素,并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
[0035]針對于本申請實施例提供的一種熱場的清潔方法的內容,下面結合具體應用場景對該熱場的清潔方法進行舉例說明(包括過程A1至過程A5)。
[0036]需要說明的是,在該應用場景中可采用包括但不限于流水線方式,利用降溫器件、
溫度測量器件、抓夾器件、反應器件和清潔器件對熱場中待清潔的石墨加熱器進行清潔。其中,降溫器件可以為通風設備;溫度檢測器件可以為溫度計;抓夾器件可以為機械臂;反應器件可以為由聚醚醚酮構成的器皿;清潔器件可以為沖洗設備及除塵設備。
[0037]A1:由通風設備將待清潔石墨加熱器降溫至預設溫度。
[0038]A2:利用溫度計測量待清潔石墨加熱器是否達到預設溫度。
[0039]A3:利用機械臂將達到預設溫度的待清潔石墨加熱器,放置于由聚醚醚酮構成的器皿中,以使待清潔石墨加熱器表面的氧化硅與濃堿溶液反應,生成氫氣以及附著待清潔石墨加熱器表面的硅酸鹽。
[0040]其中,由聚醚醚酮構成的器皿中盛裝著濃堿溶液。
[0041]A4:利用沖洗設備及除塵設備將待清潔石墨加熱器表面的硅酸鹽進行清洗,得到清潔后的石墨加熱器。
[0042]A5:待清潔后的石墨加熱器干燥后備用。
[0043]綜上所述,通過將待清潔石墨加熱器放置于由聚醚醚酮構成的器皿中,以使由聚醚醚酮構成的器皿盛裝的濃堿溶液與待清潔石墨加熱器表面的氧化硅反應,生成附著于待清潔石墨加熱器表面的硅酸鹽,再通過沖洗本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種熱場的清潔方法,其特征在于,所述方法包括:將待清潔石墨加熱器放置于預設濃度的濃堿溶液中,以使所述待清潔石墨加熱器表面的氧化硅與所述濃堿溶液進行反應,生成氫氣以及附著于所述待清潔石墨加熱器的硅酸鹽;清洗附著于所述待清潔石墨加熱器上的所述硅酸鹽,得到目標石墨加熱器。2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述將待清潔石墨加熱器放置于預設配比的濃堿溶液中之前,還包括:使待清潔石墨加熱器處于預設溫度;所述預設溫度的取值范圍為70℃至90℃。3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述將待清潔石墨加熱器放置于預設配比的濃堿溶液中之前,還包括:使待清潔石墨加熱器處于預設溫度;所述預設溫度的取值為80℃。4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述將待清潔石墨加熱器放置于預設配比的濃堿溶液中之前,還包括:當待清潔石墨加熱器的表面附著有二氧化硅時,對所述待清潔石墨加熱器表面的所述二氧化硅進行處理,露出所述待清潔石墨加熱器表面的氧化硅。5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述濃堿溶液為氫氧化鈉溶液,所述氫...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員:范強,李海明,
申請(專利權)人:雙良硅材料包頭有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:
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