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    一種分離式腔體制造技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):38048748 閱讀:29 留言:0更新日期:2023-06-30 11:14
    本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)了一種分離式腔體,包括上腔蓋、下腔座,所述上腔蓋與下腔座上下相對(duì)設(shè)置并相互抵合,所述下腔座的中部設(shè)有腔室,所述下腔座的頂部設(shè)有第一支撐平面,所述下腔座的頂部還向外擴(kuò)延伸形成第一支撐部,所述第一支撐部的頂部形成第二支撐平面,所述第一支撐平面與第二支撐平面之間通過(guò)過(guò)渡面相連接,所述上腔蓋的下表面與所述第一支撐平面、過(guò)渡面、第二支撐平面相貼合,上腔蓋可分離式的安裝在下腔座上,因此上腔蓋可以進(jìn)行開(kāi)合,當(dāng)上腔蓋打開(kāi)時(shí)使得下腔座的內(nèi)部腔室暴露以便于反應(yīng)加工前進(jìn)行相應(yīng)的準(zhǔn)備操作或者觀察,此外也便于在使用過(guò)后對(duì)下腔座的反應(yīng)腔室進(jìn)行清理操作。理操作。理操作。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    一種分離式腔體


    [0001]本技術(shù)涉及密封腔體
    ,具體為一種分離式腔體。

    技術(shù)介紹

    [0002]腔體是保持內(nèi)部為密封狀態(tài)的容器,真空腔體的制作要考慮容積、材質(zhì)和形狀。不銹鋼是目前超高真空系統(tǒng)的主要結(jié)構(gòu)材料。具有優(yōu)良的抗腐蝕性、放氣率低、無(wú)磁性、焊接性好、導(dǎo)電率和導(dǎo)熱率低、能夠在
    ?
    270—900℃工作等優(yōu)點(diǎn),真空反應(yīng)系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛。
    [0003]現(xiàn)有的腔體通常為一體式結(jié)構(gòu),上腔部分與下腔部分無(wú)法分離,因此無(wú)法方便的在腔體的反應(yīng)腔室中進(jìn)行操作,此外腔體內(nèi)部清理也較為不便。

    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    [0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本技術(shù)涉及了一種分離式腔體,該結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠,有效解決了上述技術(shù)問(wèn)題,適合推廣使用,為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本技術(shù)通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
    [0005]一種分離式腔體,包括上腔蓋、下腔座,所述上腔蓋與下腔座上下相對(duì)設(shè)置并相互抵合,所述下腔座的中部設(shè)有腔室,所述下腔座的頂部設(shè)有第一支撐平面,所述下腔座的頂部還向外擴(kuò)延伸形成第一支撐部,所述第一支撐部的頂部形成第二支撐平面,所述第一支撐平面與第二支撐平面之間通過(guò)過(guò)渡面相連接,所述上腔蓋的下表面與所述第一支撐平面、過(guò)渡面、第二支撐平面相貼合。
    [0006]在上述方案的基礎(chǔ)上并作為上述方案的優(yōu)選方案:所述過(guò)渡面與第一支撐平面、第二支撐平面的連接處均采用圓角過(guò)渡。
    [0007]在上述方案的基礎(chǔ)上并作為上述方案的優(yōu)選方案:所述下腔座上設(shè)有第一凹槽,所述第一凹槽環(huán)設(shè)于第一支撐平面下方,所述第一凹槽的橫截面呈上窄下寬的等腰梯形,所述下腔座上還設(shè)有第二凹槽,所述第二凹槽環(huán)設(shè)于第二支撐平面的下方,所述第二凹槽的橫截面呈上窄下寬的等腰梯形。
    [0008]在上述方案的基礎(chǔ)上并作為上述方案的優(yōu)選方案:所述下腔座的內(nèi)壁頂部向內(nèi)側(cè)呈弧形彎曲延伸并形成第二支撐部,所述第二支撐部的上表面與所述第一支撐平面重合。
    [0009]在上述方案的基礎(chǔ)上并作為上述方案的優(yōu)選方案:所述上腔蓋的最外側(cè)直徑與所述下腔座的最外側(cè)直徑相等。
    [0010]本技術(shù)相比現(xiàn)有技術(shù)突出且有益的技術(shù)效果是:上腔蓋可分離式的安裝在下腔座上,因此上腔蓋可以進(jìn)行開(kāi)合,當(dāng)上腔蓋打開(kāi)時(shí)使得下腔座的內(nèi)部腔室暴露以便于反應(yīng)加工前進(jìn)行相應(yīng)的準(zhǔn)備操作或者觀察,此外也便于在使用過(guò)后對(duì)下腔座的反應(yīng)腔室進(jìn)行清理操作。
    附圖說(shuō)明
    [0011]圖1是整體結(jié)構(gòu)立體示意圖;
    [0012]圖2是下腔座示意圖;
    [0013]圖3是整體結(jié)構(gòu)剖視示意圖。
    具體實(shí)施方式
    [0014]為使本申請(qǐng)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合實(shí)施例中的附圖,對(duì)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,然而,以下描述的具體實(shí)施方式和實(shí)施例僅是說(shuō)明的目的,而不是對(duì)本技術(shù)的限制。
    [0015]在本技術(shù)的描述中,需要理解的是,術(shù)語(yǔ)“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖1所示的方向或位置關(guān)系,僅是為了便于描述本技術(shù),而不是指示或暗示所指的裝置或原件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對(duì)本技術(shù)的限制。
    [0016]在本申請(qǐng)的描述中,術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。
    [0017]腔體是保持內(nèi)部為密封狀態(tài)的容器,真空腔體的制作要考慮容積、材質(zhì)和形狀。不銹鋼是目前超高真空系統(tǒng)的主要結(jié)構(gòu)材料。具有優(yōu)良的抗腐蝕性、放氣率低、無(wú)磁性、焊接性好、導(dǎo)電率和導(dǎo)熱率低、能夠在
    ?
    270—900℃工作等優(yōu)點(diǎn),真空反應(yīng)系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛。
    [0018]現(xiàn)有的腔體通常為一體式結(jié)構(gòu),上腔部分與下腔部分無(wú)法分離,因此無(wú)法方便的在腔體的反應(yīng)腔室中進(jìn)行操作,此外腔體內(nèi)部清理也較為不便。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,如圖1
    ?
    3所示,本技術(shù)涉及了一種分離式腔體,包括上腔蓋1、下腔座2,所述上腔蓋1與下腔座2上下相對(duì)設(shè)置并相互抵合,具體地,所述下腔座2的中部設(shè)有腔室,當(dāng)下腔座2與上腔蓋1抵合時(shí)該腔室即為反應(yīng)腔室,上腔蓋1與下腔座2各自中部設(shè)有外接管口以對(duì)應(yīng)連接至系統(tǒng)中,各支路管口則可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行相應(yīng)位置、大小改動(dòng)調(diào)整,本技術(shù)中不作進(jìn)一步限制。
    [0019]所述下腔座2的頂部設(shè)有第一支撐平面3,所述下腔座2的頂部還向外擴(kuò)延伸形成第一支撐部8,所述第一支撐部8的頂部形成第二支撐平面4,所述第一支撐平面3與第二支撐平面4之間通過(guò)過(guò)渡面5相連接,優(yōu)選地,所述過(guò)渡面5與第一支撐平面3、第二支撐平面4的連接處均采用圓角過(guò)渡,圓角過(guò)渡的設(shè)置可以避免造成相應(yīng)腔體部件表面劃傷,所述上腔蓋1的下表面與所述第一支撐平面3、過(guò)渡面5、第二支撐平面4相貼合,通過(guò)兩處不同高度的支撐平面以及過(guò)渡面5的支撐保證當(dāng)上腔蓋1放置在下腔座2上時(shí)定位精準(zhǔn)不會(huì)晃動(dòng),貼合面加工精度較高保證密封效果,所述上腔蓋1的最外側(cè)直徑與所述下腔座2的最外側(cè)直徑相等使得上腔蓋1與下腔座2抵合后近似呈一個(gè)整體,上腔蓋1可分離式的安裝在下腔座2上,因此上腔蓋1可以進(jìn)行開(kāi)合,當(dāng)上腔蓋1打開(kāi)時(shí)使得下腔座2的內(nèi)部腔室暴露以便于反應(yīng)加工前進(jìn)行相應(yīng)的準(zhǔn)備操作,此外也便于在使用過(guò)后對(duì)下腔座2的反應(yīng)腔室進(jìn)行清理操作。
    [0020]本實(shí)施例中進(jìn)一步優(yōu)選的是,所述下腔座2上設(shè)有第一凹槽6,所述第一凹槽6環(huán)設(shè)于第一支撐平面3下方,所述第一凹槽6的橫截面呈上窄下寬的等腰梯形,所述下腔座2上還設(shè)有第二凹槽7,所述第二凹槽7環(huán)設(shè)于第二支撐平面的下方,所述第二凹槽7的橫截面呈上窄下寬的等腰梯形,兩處凹槽結(jié)構(gòu)可以在下腔座2成型時(shí)節(jié)省一部分材料的同時(shí),等腰梯形的空腔凹槽結(jié)構(gòu)則可以加強(qiáng)結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度,保證支撐的穩(wěn)定性,避免結(jié)構(gòu)變形。
    [0021]本實(shí)施例中進(jìn)一步優(yōu)選的是,所述下腔座2的內(nèi)壁頂部向內(nèi)側(cè)呈弧形彎曲延伸并形成第二支撐部9,所述第二支撐部9的上表面與所述第一支撐平面3重合,第二支撐部9的設(shè)置增大下腔座2與上腔蓋1的接觸面積以加強(qiáng)支撐強(qiáng)度,避免壓強(qiáng)過(guò)大,進(jìn)一步增強(qiáng)抗變形能力。
    [0022]上述實(shí)施例僅為本技術(shù)的較佳實(shí)施例,并非依此限制本技術(shù)的保護(hù)范圍,故:所屬
    的技術(shù)人員凡依本技術(shù)的結(jié)構(gòu)、形狀、原理所做的等效變化,均應(yīng)涵蓋于本技術(shù)的保護(hù)范圍之內(nèi)。
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    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    【技術(shù)特征摘要】
    1.一種分離式腔體,其特征在于:包括上腔蓋、下腔座,所述上腔蓋與下腔座上下相對(duì)設(shè)置并相互抵合,所述下腔座的中部設(shè)有腔室,所述下腔座的頂部設(shè)有第一支撐平面,所述下腔座的頂部還向外擴(kuò)延伸形成第一支撐部,所述第一支撐部的頂部形成第二支撐平面,所述第一支撐平面與第二支撐平面之間通過(guò)過(guò)渡面相連接,所述上腔蓋的下表面與所述第一支撐平面、過(guò)渡面、第二支撐平面相貼合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種分離式腔體,其特征在于:所述過(guò)渡面與第一支撐平面、第二支撐平面的連接處均采用圓角過(guò)渡。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種分離式...

    【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:張杰鐘明江榮燦
    申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人:嘉興卓爾精密機(jī)械有限公司
    類(lèi)型:新型
    國(guó)別省市:

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