場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路及電子設(shè)備制造技術(shù)

本申請(qǐng)涉及一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路及電子設(shè)備，設(shè)置有與第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管匹配的第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通過(guò)放大電路連接到第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采集第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管運(yùn)行時(shí)的電流并經(jīng)過(guò)電流鏡電路傳輸?shù)奖硸烹妷赫{(diào)節(jié)電路。最終，背柵電壓調(diào)節(jié)電路結(jié)合所檢測(cè)到流經(jīng)第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流，調(diào)整第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵電壓，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的帶寬調(diào)節(jié)，使得第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管以足夠高的帶寬運(yùn)行，提高場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作可靠性。性。性。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路及電子設(shè)備


[0001]本申請(qǐng)涉及集成電路
，特別是涉及一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路及電子設(shè)備。

技術(shù)介紹

[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，場(chǎng)效應(yīng)晶體管在各類電子電路產(chǎn)品中使用越來(lái)越廣泛，在面向高速的應(yīng)用中，往往要求場(chǎng)效應(yīng)晶體管的帶寬足夠高。
[0003]然而，半導(dǎo)體制造工藝以及實(shí)際電路工作過(guò)程中的溫度和電壓，均會(huì)對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管產(chǎn)生影響，使得場(chǎng)效應(yīng)晶體管出現(xiàn)帶寬低于典型工作環(huán)境的情況。因此，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作可靠性較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

[0004]基于此，有必要提供一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路及電子設(shè)備，以解決場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作可靠性差的問(wèn)題。
[0005]一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路，包括：第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管、與所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管匹配的第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管、放大電路、電流鏡電路和背柵電壓調(diào)節(jié)電路，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管用于連接負(fù)載；所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵極連接所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵極；所述放大電路連接所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用于采集流經(jīng)所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流；所述電流鏡電路連接所述放大電路、所述背柵電壓調(diào)節(jié)電路和電流源，用于將所述電流鏡像傳輸?shù)剿霰硸烹妷赫{(diào)節(jié)電路；所述背柵電壓調(diào)節(jié)電路連接所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的背柵極和所述電流源，用于根據(jù)所述電流調(diào)節(jié)所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵電壓。
[0006]上述場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路，設(shè)置有與第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管匹配的第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通過(guò)放大電路連接到第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采集第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管運(yùn)行時(shí)的電流并經(jīng)過(guò)電流鏡電路傳輸?shù)奖硸烹妷赫{(diào)節(jié)電路。最終，背柵電壓調(diào)節(jié)電路結(jié)合所檢測(cè)到流經(jīng)第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流，調(diào)整第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵電壓，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的帶寬調(diào)節(jié)，使得第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管以足夠高的帶寬運(yùn)行，提高場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作可靠性。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一端和所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一端分別接地，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二端和第三端用于連接負(fù)載，所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二端連接所述放大電路，所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第三端用于輸入?yún)⒖茧妷骸?br/>[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電流鏡電路包括第一開(kāi)關(guān)器件、第二開(kāi)關(guān)器件、第三開(kāi)關(guān)器件和第四開(kāi)關(guān)器件，所述第一開(kāi)關(guān)器件的第一端連接所述放大電路、所述第二開(kāi)關(guān)器件的第三端和所述第三開(kāi)關(guān)器件的第三端，所述第一開(kāi)關(guān)器件的第二端連接所述第二開(kāi)關(guān)器件的第一端，所述第二開(kāi)關(guān)器件的第二端連接所述第三開(kāi)關(guān)器件的第一端和電源，所述
第三開(kāi)關(guān)器件的第二端連接所述第四開(kāi)關(guān)器件的第一端，所述第四開(kāi)關(guān)器件的第二端連接所述背柵電壓調(diào)節(jié)電路和所述電流源，所述第一開(kāi)關(guān)器件的第三端連接所述第四開(kāi)關(guān)器件的第三端，所述第二開(kāi)關(guān)器件的第三端連接所述第三開(kāi)關(guān)器件的第三端。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一端和所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一端分別連接電源，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二端和第三端用于連接負(fù)載，所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二端連接所述放大電路，所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第三端用于輸入?yún)⒖茧妷骸?br/>[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電流鏡電路包括第一開(kāi)關(guān)器件、第二開(kāi)關(guān)器件、第三開(kāi)關(guān)器件和第四開(kāi)關(guān)器件，所述第一開(kāi)關(guān)器件的第一端連接所述放大電路、所述第二開(kāi)關(guān)器件的第三端和所述第三開(kāi)關(guān)器件的第三端，所述第一開(kāi)關(guān)器件的第二端連接所述第二開(kāi)關(guān)器件的第一端，所述第二開(kāi)關(guān)器件的第二端和所述第三開(kāi)關(guān)器件的第一端分別接地，所述第三開(kāi)關(guān)器件的第二端連接所述第四開(kāi)關(guān)器件的第一端，所述第四開(kāi)關(guān)器件的第二端連接所述背柵電壓調(diào)節(jié)電路和所述電流源，所述第一開(kāi)關(guān)器件的第三端連接所述第四開(kāi)關(guān)器件的第三端，所述第二開(kāi)關(guān)器件的第三端連接所述第三開(kāi)關(guān)器件的第三端。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述放大電路包括放大器和第五開(kāi)關(guān)器件，所述放大器的第一輸入端連接所述第五開(kāi)關(guān)器件的第一端和所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述放大器的第二輸入端用于輸入?yún)⒖茧妷海龇糯笃鞯妮敵龆诉B接所述第五開(kāi)關(guān)器件的第三端，所述第五開(kāi)關(guān)器件的第二端連接所述電流鏡電路。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述背柵電壓調(diào)節(jié)電路包括比較電路和可調(diào)電壓源，所述比較電路連接所述電流鏡電路、所述電流源和所述可調(diào)電壓源，所述可調(diào)電壓源連接所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵極。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述比較電路包括動(dòng)態(tài)鎖存比較器，所述動(dòng)態(tài)鎖存比較器的第一輸入端連接所述電流鏡電路和所述電流源，所述動(dòng)態(tài)鎖存比較器的第二輸入端用于輸入?yún)⒖茧妷海鰟?dòng)態(tài)鎖存比較器的時(shí)鐘端用于輸入時(shí)鐘信號(hào)，所述動(dòng)態(tài)鎖存比較器的輸出端連接所述可調(diào)電壓源；
[0014]和/或，所述可調(diào)電壓源包括移位寄存器數(shù)模轉(zhuǎn)換電壓源，所述移位寄存器數(shù)模轉(zhuǎn)換電壓源連接所述比較電路和所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵極。
[0015]一種電子設(shè)備，包括電流源和上述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電流源為數(shù)模轉(zhuǎn)換電流源。
附圖說(shuō)明
[0017]為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例或傳統(tǒng)技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或傳統(tǒng)技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1為本申請(qǐng)一實(shí)施例中場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為本申請(qǐng)另一實(shí)施例中場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3為本申請(qǐng)一實(shí)施例中控制電路等效結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4為本申請(qǐng)又一實(shí)施例中場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖5為本申請(qǐng)一實(shí)施例中放大電路等效結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖6為本申請(qǐng)一實(shí)施例中場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路電流支路示意圖。
具體實(shí)施方式
[0024]為了便于理解本申請(qǐng)，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本申請(qǐng)的較佳的實(shí)施例。但是，本申請(qǐng)可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0025]請(qǐng)參閱圖1，一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路，包括：第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管M1、與第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管M1匹配的第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管M2、放大電路12、電流鏡電路14和背柵電壓調(diào)節(jié)電路16，第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管M1用于連接負(fù)載(圖未示)；第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管M1的背柵極連接第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管M2的背柵極；放大電路12連接第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管M2，用于采集流經(jīng)第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管M2的電流；電流鏡電路14連接放大電路12、背柵電壓調(diào)節(jié)電路16和電流源，用于將電流鏡像傳輸?shù)奖硸烹妷赫{(diào)節(jié)電路16；背柵電壓調(diào)節(jié)電路16連接第二場(chǎng)效應(yīng)管的背柵極和電流源，用于根據(jù)電流調(diào)節(jié)第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管M1和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管M2的背柵電壓。
[0026]具體地，場(chǎng)效應(yīng)晶體管本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路，其特征在于，包括：第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用于連接負(fù)載；與所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管匹配的第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵極連接所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵極；放大電路，連接所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用于采集流經(jīng)所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流；電流鏡電路，連接所述放大電路、背柵電壓調(diào)節(jié)電路和電流源，用于將所述電流鏡像傳輸?shù)剿霰硸烹妷赫{(diào)節(jié)電路；背柵電壓調(diào)節(jié)電路，連接所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的背柵極和所述電流源，用于根據(jù)所述電流調(diào)節(jié)所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵電壓。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路，其特征在于，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一端和所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一端分別接地，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二端和第三端用于連接負(fù)載，所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二端連接所述放大電路，所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第三端用于輸入?yún)⒖茧妷骸?.根據(jù)權(quán)利要求2所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路，其特征在于，所述電流鏡電路包括第一開(kāi)關(guān)器件、第二開(kāi)關(guān)器件、第三開(kāi)關(guān)器件和第四開(kāi)關(guān)器件，所述第一開(kāi)關(guān)器件的第一端連接所述放大電路、所述第二開(kāi)關(guān)器件的第三端和所述第三開(kāi)關(guān)器件的第三端，所述第一開(kāi)關(guān)器件的第二端連接所述第二開(kāi)關(guān)器件的第一端，所述第二開(kāi)關(guān)器件的第二端連接所述第三開(kāi)關(guān)器件的第一端和電源，所述第三開(kāi)關(guān)器件的第二端連接所述第四開(kāi)關(guān)器件的第一端，所述第四開(kāi)關(guān)器件的第二端連接所述背柵電壓調(diào)節(jié)電路和所述電流源，所述第一開(kāi)關(guān)器件的第三端連接所述第四開(kāi)關(guān)器件的第三端，所述第二開(kāi)關(guān)器件的第三端連接所述第三開(kāi)關(guān)器件的第三端。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路，其特征在于，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一端和所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一端分別連接電源，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二端和第三端用于連接負(fù)載，所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二端連接所述放大電路，所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第三端用于輸入?yún)⒖茧妷骸?.根據(jù)權(quán)利要求4所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管控制電路，其特征在于，所述電流鏡電路包括第一開(kāi)關(guān)器件、第二開(kāi)關(guān)...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉輝，劉曉渝，陳濤，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳市芯波微電子有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：