半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法技術(shù)

本公開涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法包括以下操作：通過取放工具將管芯朝向晶圓移動，取放工具包括以固定關(guān)系附接到取放工具的紅外(IR)檢測設(shè)備；通過使用IR檢測設(shè)備將管芯與晶圓對準(zhǔn)，其中，將管芯朝向晶圓移動和將管芯與晶圓對準(zhǔn)是同時執(zhí)行的；以及將管芯接合到晶圓。以及將管芯接合到晶圓。以及將管芯接合到晶圓。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法


[0001]本公開總體涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。

技術(shù)介紹

[0002]集成電路的制造通常涉及將管芯接合到晶圓或封裝襯底。在典型的接合工藝中，接合頭拾取管芯，然后將管芯放置在晶圓或封裝襯底上。在多個管芯被放置在晶圓或封裝襯底上之后，執(zhí)行回流工藝，使得管芯與晶圓或封裝襯底接合。需要很好地控制在晶圓或封裝襯底上放置管芯的準(zhǔn)確性，以保持接合工藝的良率。

技術(shù)實現(xiàn)思路

[0003]根據(jù)本公開的一個方面，提供了一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：通過取放工具將管芯朝向晶圓移動，所述取放工具包括以固定關(guān)系附接到所述取放工具的紅外IR檢測設(shè)備；通過使用所述IR檢測設(shè)備將所述管芯與所述晶圓對準(zhǔn)，其中，將所述管芯朝向所述晶圓移動和將所述管芯與所述晶圓對準(zhǔn)是同時執(zhí)行的；以及將所述管芯接合到所述晶圓。
[0004]根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：提供包括第一紅外IR檢測設(shè)備的取放工具；通過使用所述取放工具的所述第一IR檢測設(shè)備，獲得第一器件結(jié)構(gòu)上的第一對準(zhǔn)標(biāo)記與第二器件結(jié)構(gòu)上的第二對準(zhǔn)標(biāo)記之間的位置關(guān)系；以及通過所述取放工具根據(jù)所述位置關(guān)系將所述第一器件結(jié)構(gòu)與所述第二器件結(jié)構(gòu)對準(zhǔn)。
[0005]根據(jù)本公開的又一方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：管芯，包括第一對準(zhǔn)標(biāo)記；以及封裝襯底，接合到所述管芯并且包括第二對準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第一對準(zhǔn)標(biāo)記和所述第二對準(zhǔn)標(biāo)記位于所述管芯和所述封裝襯底之間的界面處。
附圖說明
[0006]在結(jié)合附圖閱讀時，可以從下面的具體實施方式中最佳地理解本公開的各方面。應(yīng)注意的是，根據(jù)行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)實踐，各種特征沒有按比例繪制。事實上，為了討論的清楚起見，各個特征的尺寸可能被任意地增大或縮小了。
[0007]圖1A至圖1F是根據(jù)本公開的一些實施例的制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的中間階段的示意圖。
[0008]圖2A至圖2K是根據(jù)本公開的一些實施例的對準(zhǔn)標(biāo)記的布置的俯視圖。
[0009]圖3A是根據(jù)本公開的一些實施例的對準(zhǔn)標(biāo)記的布置的俯視圖。
[0010]圖3B至圖3D是根據(jù)本公開的一些實施例的對準(zhǔn)標(biāo)記的布置的示意圖。
[0011]圖4是根據(jù)本公開的一些實施例的制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的一個或多個中間階段的示意圖。
[0012]圖5是根據(jù)本公開的一些實施例的制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的一個或多個中間階段的示意圖。
[0013]圖6A是根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0014]圖6B是根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0015]圖6C是根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0016]圖6D是根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0017]圖7A是根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0018]圖7B是根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實施方式
[0019]下面的公開內(nèi)容提供了用于實現(xiàn)所提供主題的不同特征的許多不同的實施例或示例。下文描述了組件和布置的特定示例以簡化本公開。當(dāng)然，這些僅是示例，而不旨在進(jìn)行限制。例如，在下面的描述中，在第二特征之上或第二特征上形成第一特征可以包括第一特征和第二特征以直接接觸方式形成的實施例，并且還可以包括可以在第一特征和第二特征之間形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接觸的實施例。此外，本公開在各個示例中可以重復(fù)附圖標(biāo)記和/或字母。該重復(fù)是出于簡單和清楚的目的，并且本身不指示所討論的各種實施例和/或配置之間的關(guān)系。
[0020]此外，本文可使用空間相關(guān)術(shù)語(例如，“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等)，以便于描述附圖中所示的一個要素或特征與另外(一個或多個)要素或(一個或多個)特征的關(guān)系。這些空間相關(guān)術(shù)語旨在涵蓋器件在使用或工作中處于除了附圖中所示朝向之外的不同朝向。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他朝向)，并且本文使用的空間相關(guān)描述符可以類似地進(jìn)行相應(yīng)解釋。
[0021]如本文所使用的，諸如“第一”、“第二”和“第三”之類的術(shù)語描述了各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受到這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語可僅用于將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。諸如“第一”、“第二”和“第三”之類的術(shù)語在本文中使用時并不暗示次序或順序，除非上下文明確指出。
[0022]盡管闡述本公開的廣泛范圍的數(shù)值范圍和參數(shù)是近似值，但在具體實施例中闡述的數(shù)值被盡可能精確地公布。然而，任何數(shù)值都固有地包含某些誤差，這些誤差必然是由于在相應(yīng)的測試測量結(jié)果中發(fā)現(xiàn)的標(biāo)準(zhǔn)偏差而導(dǎo)致的。此外，如本文所使用的，術(shù)語“基本上”、“大約”或“約”通常表示在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以考慮的值或范圍內(nèi)。替代地，當(dāng)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員考慮時，術(shù)語“基本上”、“大約”或“約”表示在平均值的可接受標(biāo)準(zhǔn)誤差內(nèi)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，可接受的標(biāo)準(zhǔn)誤差可以根據(jù)不同的技術(shù)而有所不同。除了在操作/工作示例中，或除非另有明確規(guī)定，否則所有數(shù)值范圍、量、值和百分比(例如本文公開的材料量、持續(xù)時間、溫度、操作條件、量比等)應(yīng)當(dāng)被理解為在所有情況下都被術(shù)語“基本上”、“大約”或“約”所修飾。因此，除非有相反指示，否則本公開和所附權(quán)利要求中闡述的數(shù)值參數(shù)是可以根據(jù)需要變化的近似值。至少，每個數(shù)值參數(shù)至少應(yīng)該根據(jù)所公布的有效數(shù)字的數(shù)量并通過應(yīng)用普通的舍入技術(shù)來解釋。范圍在本文中可以表示為從一個端點到另一個端點或在兩個端點之間。除非另有說明，否則本文公開的所有范圍都包括端點。
[0023]本公開的實施例討論了一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：通過使用安裝在取放工具(pick
?
and
?
place tool)上的紅外(IR)檢測設(shè)備將管芯與晶圓對準(zhǔn)，然后通過取放工具將管芯接合到晶圓。因此，可以在通過取放工具將管芯朝向晶圓移動的過程中執(zhí)行管芯
與晶圓的對準(zhǔn)，可以節(jié)省用于將外部光學(xué)檢測器移入和移出管芯和晶圓之間的檢測位置以進(jìn)行對準(zhǔn)的時間，從而可以提高管芯和晶圓的接合工藝的效率與產(chǎn)能。
[0024]圖1A至圖1F是根據(jù)本公開的一些實施例的制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的中間階段的示意圖。
[0025]參考圖1A，可以提供取放工具30，并且可以通過取放工具30以初始速度V1(也稱為“第一速度”)將管芯20朝向晶圓10移動。在一些實施例中，管芯20由取放工具30沿箭頭DR1的方向(例如，沿Z軸)移動。在一些實施例中，管芯20從與晶圓10分開距離D1的初始位置開始移動。
[0026]晶圓10可以是或可以包括封裝襯底或包括多個封裝襯底的封裝襯底條帶。在一些實施例中，晶圓10可以是或可以包括器件結(jié)構(gòu)，該器件結(jié)構(gòu)包括在一個或多個封裝結(jié)構(gòu)中的一個或多個器件。在一些實施例中，晶圓10包括半導(dǎo)體襯底10A、一個或多個對準(zhǔn)標(biāo)記110和接合層120。接合層120可以包括尺寸為等于或小于本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：通過取放工具將管芯朝向晶圓移動，所述取放工具包括以固定關(guān)系附接到所述取放工具的紅外IR檢測設(shè)備；通過使用所述IR檢測設(shè)備將所述管芯與所述晶圓對準(zhǔn)，其中，將所述管芯朝向所述晶圓移動和將所述管芯與所述晶圓對準(zhǔn)是同時執(zhí)行的；以及將所述管芯接合到所述晶圓。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述管芯包括第一對準(zhǔn)標(biāo)記，所述晶圓包括第二對準(zhǔn)標(biāo)記，并且將所述管芯與所述晶圓對準(zhǔn)包括：通過使用所述IR檢測設(shè)備來獲得所述第一對準(zhǔn)標(biāo)記與所述第二對準(zhǔn)標(biāo)記之間的位置關(guān)系；以及使用處理單元基于所述位置關(guān)系來產(chǎn)生位置校正指令。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，將所述管芯與所述晶圓對準(zhǔn)還包括：基于從所述處理單元接收的所述位置校正指令，將所述管芯的位置調(diào)整到對準(zhǔn)位置。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，將所述管芯接合到所述晶圓包括：通過所述取放工具使所述管芯從所述對準(zhǔn)位置與所述晶圓接觸。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一對準(zhǔn)標(biāo)記和所述第二對準(zhǔn)標(biāo)記包括被配置為反射IR光...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張任遠(yuǎn)，
申請(專利權(quán))人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：