一種頻率可控的電子標(biāo)簽制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種頻率可控的電子標(biāo)簽。該標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層第一表面和第二表面上分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成，所述的導(dǎo)電層上具有由電容、導(dǎo)線和連接點(diǎn)構(gòu)成的電路，該電容位于由導(dǎo)線構(gòu)成的線圈內(nèi)；該電容由第一表面導(dǎo)電層上的魚骨形體電容導(dǎo)線和第二表面上的二根平行電容導(dǎo)線構(gòu)成，所述的二根平行電容導(dǎo)線均與魚骨形體電容導(dǎo)線的分支導(dǎo)線相交。它解決現(xiàn)有電子標(biāo)簽的電容區(qū)線路和電容區(qū)的體積都是預(yù)先設(shè)定好的，使用中只能使用在一種預(yù)設(shè)的固定頻率上，而不能因應(yīng)用戶所要求的電路頻率變化而作相應(yīng)改變的技術(shù)問題，使用者可以根據(jù)需要改變電容區(qū)的結(jié)構(gòu)來控制改變電子標(biāo)簽的頻率，操作十分方便。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及電子安全標(biāo)簽
，特別是一種頻率可控的電子標(biāo)簽。
技術(shù)介紹
隨著電子技術(shù)的發(fā)展，具有安全防偽功能的電子標(biāo)簽逐漸走入到我 們的生活中，它還同時(shí)具有靈敏度高、體積小、成本低等優(yōu)點(diǎn)。如中國專利技術(shù)專利說明書(授權(quán)公告號(hào)CN100423026C)公開了一種 高精度射頻軟標(biāo)簽。該標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層和在絕緣膜層正面和背 面分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成，所述的導(dǎo)電層上具有由電容、導(dǎo)線和解碼點(diǎn) 構(gòu)成的解碼電路，該電容位于由導(dǎo)線構(gòu)成的線圈外圍，其特征在于該 電容導(dǎo)線和線圈導(dǎo)線的寬度由外向內(nèi)逐漸減小。該解碼電路上的電容導(dǎo) 線的寬度大于線圈導(dǎo)線的寬度，有利于增加電容區(qū)的容量，有利于提高 標(biāo)簽的精度。該線圈導(dǎo)線寬度由外向內(nèi)逐漸減小，有利于增加線圈的繞 線圈數(shù)，進(jìn)而增長了線圈導(dǎo)線，使線圈的電感量得到很大的提高，也有利于提高標(biāo)簽的精度。但是，現(xiàn)有的這種電子標(biāo)簽確具有如下缺點(diǎn)1、現(xiàn)有的上述電子標(biāo)簽的電容區(qū)線路和電容區(qū)的體積都是預(yù)先設(shè) 定好的(即電容區(qū)面積固定)，使用中只能使用在一種預(yù)設(shè)的固定頻率上(如8.2MHz)，而不能因應(yīng)用戶所要求的電路頻率變化而作相應(yīng)改 變。 一旦需要改變標(biāo)簽的應(yīng)用頻率，則需要重新設(shè)計(jì)電容區(qū)的結(jié)構(gòu)并重 新設(shè)計(jì)和改變生產(chǎn)裝置，造成資源的浪費(fèi)。2、現(xiàn)有的上述電子標(biāo)簽依靠其解碼電路，只具有較簡單的防偽識(shí) 別功能，簡而言之，這種標(biāo)簽只具有"0"或"1"，"是"或"非"的判 斷功能，并不具備諸如信息存儲(chǔ)和復(fù)雜的信息識(shí)別功能。由此可見，現(xiàn)有電子標(biāo)簽仍有很大的改進(jìn)余地。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種頻率可控的電子標(biāo)簽，解決現(xiàn)有電子標(biāo) 簽的電容區(qū)線路和電容區(qū)的體積都是預(yù)先設(shè)定好的(即電容區(qū)面積固 定)，使用中只能使用在一種預(yù)設(shè)的固定頻率上(如8.2MHz)，而不能 因應(yīng)用戶所要求的電路頻率變化而作相應(yīng)改變的技術(shù)問題，使用者可以 根據(jù)需要改變電容區(qū)的結(jié)構(gòu)來控制改變電子標(biāo)簽的頻率，操作十分方 便。為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)是這樣實(shí)現(xiàn)的一種頻率可控的電子標(biāo)簽，該標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層 第一表面和第二表面上分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成，所述的導(dǎo)電層上具有由 電容、導(dǎo)線和連接點(diǎn)構(gòu)成的電路，其特征在于該電容位于由導(dǎo)線構(gòu)成 的線圈內(nèi)；該電容由第一表面導(dǎo)電層上的魚骨形體電容導(dǎo)線和第二表面 上的二根平行電容導(dǎo)線構(gòu)成，所述的二根平行電容導(dǎo)線均與魚骨形體電 容導(dǎo)線的分支導(dǎo)線相交。所述的頻率可控的電子標(biāo)簽，其特征在于所述的二根平行的電容 導(dǎo)線均與魚骨形電容導(dǎo)線的主干導(dǎo)線平行。所述的頻率可控的電子標(biāo)簽，其特征在于所述絕緣膜層是PET或PTN。所述的頻率可控的電子標(biāo)簽，其特征在于所述聚乙烯膜層的厚度 是1 — 100 li m。所述的頻率可控的電子標(biāo)簽，其特征在于所述的構(gòu)成電路的導(dǎo)電 材料為鋁箔。所述的頻率可控的電子標(biāo)簽，其特征在于所述的鋁箔厚度為l一 100 u m。所述的頻率可控的電子標(biāo)簽，其特征在于所述的導(dǎo)線上設(shè)有芯片 綁定區(qū)，該芯片綁定區(qū)內(nèi)嵌設(shè)芯片。藉由上述結(jié)構(gòu)使得本專利技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)1、 本專利技術(shù)電子標(biāo)簽的電容結(jié)構(gòu)設(shè)置為魚骨形體，使用時(shí)，用戶可 以根據(jù)需要，通過切斷魚骨形體主干部分的操作來改變電容區(qū)的結(jié)構(gòu)和 體積(也就是改變電容區(qū)的容量)，進(jìn)而改變了電子標(biāo)簽的使用頻率， 達(dá)到了使用者對(duì)電子標(biāo)簽使用頻率的要求。2、 本專利技術(shù)電子標(biāo)簽的導(dǎo)線上可設(shè)有芯片綁定區(qū)，該芯片綁定區(qū)內(nèi)嵌設(shè)芯片，因此，本電子標(biāo)簽相比現(xiàn)有的電子標(biāo)簽更增加了信息存儲(chǔ)和復(fù)雜信息的識(shí)別功能。它可以進(jìn)一步拓展電子標(biāo)簽的使用范圍，如身 份識(shí)別、支付等領(lǐng)域。圖l是本專利技術(shù)實(shí)施例l的正面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本專利技術(shù)實(shí)施例1的背面結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3是本專利技術(shù)實(shí)施例1的組合結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱附圖說明圖1-3，它們是一種頻率可控的電子標(biāo)簽實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示 意圖。如圖所示該標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層l和絕緣膜層第一表面和 第二表面上分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成。所述絕緣膜層可以是PET或PTN， 其厚度可以是l一100um。所述的構(gòu)成電路的導(dǎo)電材料可以為鋁箔，其 厚度可以為l一100um。所述的導(dǎo)線上設(shè)有芯片綁定區(qū)3，該芯片綁定 區(qū)3內(nèi)嵌設(shè)芯片4。所述的芯片可以選用高頻芯片或超高頻芯片(如 超高頻Gen 2標(biāo)簽芯片Monza 3等)。所述的導(dǎo)電層上具有由電容21、導(dǎo)線和連接點(diǎn)23構(gòu)成的電路。該 電容位于由導(dǎo)線構(gòu)成的線圈22內(nèi)；該電容21由第一表面導(dǎo)電層上的魚 骨形體電容導(dǎo)線211 (如圖所示，該魚骨形體電容導(dǎo)線由一根主干導(dǎo)線 和若干與主干導(dǎo)線相交的平行分支導(dǎo)線連接，其外形類似于魚骨)和第 二表面上的二根平行電容導(dǎo)線212構(gòu)成，所述的二根平行電容導(dǎo)線212 均與魚骨形體電容導(dǎo)線211的分支導(dǎo)線相交。作為一種較好的方式，所 述魚骨形體電容導(dǎo)線2U的主干導(dǎo)線與分支導(dǎo)線平行；所述的二根平行 的電容導(dǎo)線212均與魚骨形電容導(dǎo)線211的主干導(dǎo)線平行。本例電子標(biāo)簽的電容結(jié)構(gòu)設(shè)置為魚骨形體，使用時(shí)，用戶可以根據(jù)需要，通過切斷魚骨形體主干部分的操作來改變電容區(qū)的結(jié)構(gòu)和體積 (也就是改變電容區(qū)的容量)，進(jìn)而改變了電子標(biāo)簽的使用頻率，達(dá)到 了使用者對(duì)電子標(biāo)簽使用頻率的要求。本例電子標(biāo)簽的導(dǎo)線上可設(shè)有芯片綁定區(qū)，該芯片綁定區(qū)內(nèi)嵌設(shè)芯 片，因此，本電子標(biāo)簽相比現(xiàn)有的電子標(biāo)簽更增加了信息存儲(chǔ)和復(fù)雜信 息的識(shí)別功能。它可以進(jìn)一步拓展電子標(biāo)簽的使用范圍，如身份識(shí)別、 支付等領(lǐng)域。實(shí)施例2該實(shí)施例與實(shí)施例l相比，簡化了芯片和芯片安裝結(jié)構(gòu)，但是它仍 然具有使用頻率可以控制的特點(diǎn)。綜上所述僅為本專利技術(shù)的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本專利技術(shù)的實(shí) 施范圍。即凡依本專利技術(shù)申請(qǐng)專利范圍的內(nèi)容所作的等效變化與修飾，都 應(yīng)為本專利技術(shù)的技術(shù)范疇。權(quán)利要求1、一種頻率可控的電子標(biāo)簽，該標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層第一表面和第二表面上分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成，所述的導(dǎo)電層上具有由電容、導(dǎo)線和連接點(diǎn)構(gòu)成的電路，其特征在于該電容位于由導(dǎo)線構(gòu)成的線圈內(nèi)；該電容由第一表面導(dǎo)電層上的魚骨形體電容導(dǎo)線和第二表面上的二根平行電容導(dǎo)線構(gòu)成，所述的二根平行電容導(dǎo)線均與魚骨形體電容導(dǎo)線的分支導(dǎo)線相交。2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的頻率可控的電子標(biāo)簽，其特征在于 所述的二根平行的電容導(dǎo)線均與魚骨形電容導(dǎo)線的主干導(dǎo)線平行。3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的頻率可控的電子標(biāo)簽，其特征在于 所述絕緣膜層是PET或PTN。4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的頻率可控的電子標(biāo)簽，其特征在于 所述聚乙烯膜層的厚度是l一100um。5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的頻率可控的電子標(biāo)簽，其特征在于 所述的構(gòu)成電路的導(dǎo)電材料為鋁箔。6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的頻率可控的電子標(biāo)簽，其特征在于 所述的鋁箔厚度為l一100um。7、 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4或5或6所述的頻率可控的電 子標(biāo)簽，其特征在于所述的導(dǎo)線上設(shè)有芯片綁定區(qū)，該芯片綁定區(qū) 內(nèi)嵌設(shè)芯片。全文摘要本專利技術(shù)涉及一種頻率可控的電子標(biāo)簽。該標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層第一表面和第二表面上分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成，所述的導(dǎo)電層上具有由電容、導(dǎo)線和連接點(diǎn)構(gòu)成的電路，該電容位于由導(dǎo)線構(gòu)成的線圈內(nèi)；該電容由第一表面導(dǎo)電層上的魚骨形體電容導(dǎo)線和第二表面上的二根平行電容導(dǎo)線構(gòu)成，所述的二根平行電容導(dǎo)線均與魚骨形體電容導(dǎo)線的分支導(dǎo)線相交。它解決現(xiàn)有電子標(biāo)簽的電容區(qū)線路和電本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種頻率可控的電子標(biāo)簽，該標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層第一表面和第二表面上分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成，所述的導(dǎo)電層上具有由電容、導(dǎo)線和連接點(diǎn)構(gòu)成的電路，其特征在于：該電容位于由導(dǎo)線構(gòu)成的線圈內(nèi)；該電容由第一表面導(dǎo)電層上的魚骨形體電容導(dǎo)線和第二表面上的二根平行電容導(dǎo)線構(gòu)成，所述的二根平行電容導(dǎo)線均與魚骨形體電容導(dǎo)線的分支導(dǎo)線相交。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黃佳佳，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：黃佳佳，
類型：發(fā)明
國別省市：31[中國|上海]