【技術實現步驟摘要】
本專利技術是一種能解決快速、準確加工。
技術介紹
制造高亮度發光管和大功率激光器，多使用水平摻硅砷化鎵低位錯襯 底外延片，晶向為(100)向(111) A偏15° 。用正(lll)籽晶生長單晶， 切出符合要求的晶片，單晶厚度需要增加，而厚度的增加對單晶生長不利。 若改變單晶生長方向，即籽晶(111)偏角，就可以解決此問題。因為偏角 越大，所需單晶厚度越小，越有利于單晶生長，故多采用大偏角籽晶生長 單體，但籽晶(111)偏角如大于13° ，則難以測定、測準，目前尚未發 現有關籽晶大偏角的精準加工方法。
技術實現思路
本專利技術的目的是提供一種能解決快速、準確加工大偏角籽晶的方法。 本專利技術的技術解決方案是以如下方式完成的，是， 首先選取比較完整、電學參數好的水平砷化鎵單晶錠，在單晶錠的頭部先 確定出(111)晶面，在晶面上根據晶向要求確定偏角值，然后用(331) 衍射角衍射，根據所需長度切割出單晶塊，再用環氧樹脂把截取的單晶段晶頭朝上粘接在底部粘固有金屬塊的石墨板上，粘貼后切片定向(211)晶 面的偏差角度，用(311)衍射角衍射，根據所需高度切割，然后將單晶塊 旋轉90° ，定準(110)晶面的偏差角為零度時切割出所需寬度，然后進 行清洗即可。本專利技術不僅能解決了大偏角籽晶加工的難題，而且具有簡單、準確、 快捷的優點。具體實施例方式本專利技術的方法是首先選取比較完整、電學參數好的水平砷化鎵單晶錠，最好選取位錯密度《1000個/cmS的單晶錠，然后在單晶錠的頭部先確定出 (111)晶面，在晶面上根據晶向確定偏角值，再用(331)晶面衍射角衍3射，根據所...
【技術保護點】
大偏角籽晶的加工方法，其特征在于：首先選取比較完整、電學參數好的水平砷化鎵單晶錠，在單晶錠的頭部先確定出（１１１）晶面，在晶面上根據晶向要求確定偏角值，然后用（３３１）衍射角衍射，根據所需長度切割出單晶塊，再用環氧樹脂把截取的單晶段晶頭朝上粘接在底部粘固有金屬塊的石墨板上，粘貼后切片定向（２１１）晶面的偏差角度，用（３１１）衍射角衍射，根據所需高度切割，然后將單晶塊旋轉９０°，定準（１１０）晶面的偏差角為零度時切割出所需寬度，然后進行清洗即可。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：李百泉，陳堅邦，李闖，
申請(專利權)人：新鄉市神舟晶體科技發展有限公司，
類型：發明
國別省市：41[中國|河南]
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