雙向多脈沖磁場取向電源制造技術

雙向多脈沖磁場取向電源是為ＮｄＦｅＢ稀土磁體生產中的磁場取向專門發明專利技術設計的。該電源在系統控制模塊的控制下，可以按所設定的時間間隔、取向方向、取向次數產生給定次數與方向的取向脈沖，即可在取向線圈中得到正反方向交替的取向磁場。該電源是由系統控制部分與脈沖發生器部分組成。脈沖發生器是由采取鏡像接法的高壓脈沖放電模塊ＨＶＰＵ、脈沖導向晶閘管和續流二極管及輔助電路構成。該電源的高壓充電電源在ＰＬＣ模塊的程序控制下，可以為充電電路分配按一定規律遞減的放電電壓，故亦可用于對ＮｄＦｅＢ稀土磁體的去磁。屬于電力電子技術領域中的脈沖磁場取向電源技術范疇。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術專利涉及一種雙向多脈沖磁場取向電源。
技術介紹
目前，NdFeB稀土磁體生產中的取向電源均為單向單脈沖取向，雙向多脈沖磁場取向尚屬空白。本技術的任務是提供一種用于NdFeB稀土磁體生產中的雙向多脈沖磁場取 向電源。
技術實現思路
本專利技術專利是一種由奇數與偶數序列高壓脈沖放電模塊及導向晶閘管采取鏡像 接法構成的雙向多脈沖磁場取向電源。該電源可以在程序控制下，可為取向線圈提供正反 方向交替且時域與值域均可控的取向電流脈沖。附圖說明圖1雙向多脈沖磁場取向電源結構原理2取向電流脈沖示意3續流示意圖具體實施例方式本專利技術由系統PLC控制模塊、控制電源模塊、充電電源模塊、順序脈沖分配模塊、 2η (η為正整數)個高壓脈沖放電模塊HVPUnn、脈沖導向晶閘管SCRxi、Χ2、續流二極管Dli2和 脈沖電流傳感器CS構成。如圖1所示。每個HVPU均由高壓脈沖電容器C、瀉放電阻R、充 放電高壓繼電器J、放電晶閘管SCR及其觸發電路CF和緩沖電路RC組成。HVPU及其內部 元器件的序號按奇數(1、3. . . 2η-1)和偶數(2、4. . . 2η)排列，奇數與偶數序列的HVPU、脈沖 導向晶閘管和續流二極管均以放電模塊負極母線COM為對稱線鏡像聯接，奇數與偶數序列 HVPU的正極分別聯接成輸出母線OUT1和OUT2并接至磁場取向線圈兩端。在充電電源對高壓電容器充電至設定電壓值后，由系統控制模塊發出順序放電觸 發信號，經光纖分配到對應序號的觸發電路和脈沖導向晶閘管的觸發電路。奇數序列HVPU 中的晶閘管與偶數序號的導向晶閘管SCRx2同步觸發，電容器放電過程中，電流流經奇數序 列晶閘管(例如SCR1)和SCRx2，如圖2所示；電容器放電完成后，電流經SCRx2和二極管D1 為取向線圈續流，如圖3所示。上述過程中，取向線圈中的脈沖電流皆從OUT1流向OUT2,完 成正向取向。同理，偶數序列HVPU中的晶閘管(例如SCR2)與奇數序號的導向晶閘管SCRxi 同步觸發，取向線圈中的脈沖電流從0肌2流向OUT1，完成反向取向。依此類推，按給定時間 間隔和HVPU排列序號順序觸發各HVPU，即可在取向線圈中得到正反方向交替的取向磁場。雙向多脈沖磁場取向電源的高壓充電電源在PLC模塊的程序控制下，可以為充電電路分配按一定規律遞減的放電電壓，可用于對NdFeB稀土磁體的去磁 。權利要求采用鏡像(對稱)接法的高壓脈沖放電模塊。其特征在于由鏡像聯接的高壓電容器構成的高壓充電電路在同樣是鏡像聯結的脈沖控制可控硅(SCR1、3...2n-1、SCR2、4..2n)的控制下，可以為取向線圈(RL)提供正反兩個方向的電流脈沖，從而產生雙向取向磁場。2.根據權利要求1所述的雙向多脈沖磁場取向電源，特征在于同樣是鏡像聯結的導向 可控硅(SCRx2與 SCRxi),分別與奇偶序列脈沖控制可控硅(SCR1Ulri)與SCR2、4..2n)同步觸 發，形成電流回路，完成磁場取向。3.根據權利要求1及權利要求2所述的雙向多脈沖磁場取向電源，其特征在于其高壓 充電電源在PLC模塊的程序控制下，可以為充電電路分配按一定規律遞減的 放電電壓，可 用于對NdFeB稀土磁體的去磁。全文摘要雙向多脈沖磁場取向電源是為NdFeB稀土磁體生產中的磁場取向專門專利技術設計的。該電源在系統控制模塊的控制下，可以按所設定的時間間隔、取向方向、取向次數產生給定次數與方向的取向脈沖，即可在取向線圈中得到正反方向交替的取向磁場。該電源是由系統控制部分與脈沖發生器部分組成。脈沖發生器是由采取鏡像接法的高壓脈沖放電模塊HVPU、脈沖導向晶閘管和續流二極管及輔助電路構成。該電源的高壓充電電源在PLC模塊的程序控制下，可以為充電電路分配按一定規律遞減的放電電壓，故亦可用于對NdFeB稀土磁體的去磁。屬于電力電子
中的脈沖磁場取向電源技術范疇。文檔編號H01F13/00GK101840767SQ20091007155公開日2010年9月22日 申請日期2009年3月17日 優先權日2009年3月17日專利技術者劉佳輝, 楊世彥, 潘政剛 申請人:劉佳輝;楊世彥;潘政剛 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
采用鏡像（對稱）接法的高壓脈沖放電模塊。其特征在于由鏡像聯接的高壓電容器構成的高壓充電電路在同樣是鏡像聯結的脈沖控制可控硅（ＳＣＲ↓［１、３．．．２ｎ－１］、ＳＣＲ↓［２、４．．２ｎ］）的控制下，可以為取向線圈（ＲＬ）提供正反兩個方向的電流脈沖，從而產生雙向取向磁場。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉佳輝，楊世彥，潘政剛，
申請(專利權)人：劉佳輝，楊世彥，潘政剛，
類型：發明
國別省市：93[中國|哈爾濱]