一種毫米波太赫茲波導同軸轉接結構制造技術

本實用新型專利技術涉及一種毫米波太赫茲波導同軸轉接結構，包括腔體、50Ω直通微帶、探針和波導；50Ω直通微帶、探針和波導均位于腔體內，50Ω直通微帶通過探針與波導相連接；腔體的外側設置有同軸連接器，射頻絕緣子的第一端穿過腔體與外側的同軸連接器相連接，射頻絕緣子的第二端與內側的50Ω直通微帶相連接。本實用新型專利技術通過同軸連接器、射頻絕緣子、50Ω直通微帶、探針和波導的結構設置，可以將同軸端口的器件和波導端口的器件集成連接起來，使得測試儀器兼容更多的待測模塊；本實用新型專利技術結構簡單，易于裝配。裝配。裝配。

【技術實現步驟摘要】
一種毫米波太赫茲波導同軸轉接結構


[0001]本技術涉及毫米波通信設備相關
，尤其涉及一種毫米波太赫茲波導同軸轉接結構。

技術介紹

[0002]波導以及同軸線是主要的兩種毫米波傳輸線類型。幾乎所有的毫米波太赫茲器件的輸入輸出端口都屬于兩種兩者之一。
[0003]經過海量檢索，發現現有技術公開號為CN213186046U，公開了一種F波段三倍頻器，包括第一金屬腔，與所述第一金屬腔的一端相連的第二金屬腔，橫跨設置于所述第一金屬腔與所述第二金屬腔內的倍頻電路結構；所述倍頻電路結構包括依次連接的50Ω微帶線、本振低通濾波器與射頻輸出探針，還包括有兩個肖特基二極管，兩個所述肖特基二極管采用反向倒裝方式連接于所述倍頻電路結構中。該倍頻器倍頻電路平面化，結構簡單，易于裝配，覆蓋全段F波段，工作頻段寬。
[0004]隨著毫米波太赫茲系統的發展，集成化和小型化的要求也隨之而來。同時，市面上的很多測試儀器的端口形式并不能滿足所有的待測模塊。
[0005]如何將同軸端口的器件和波導端口的器件集成連接起來，或者可以使得測試儀器兼容更多的待測模塊，都是一個亟需解決的辦法。
[0006]有鑒于上述的缺陷，本設計人積極加以研究創新，以期創設一種毫米波太赫茲波導同軸轉接結構，使其更具有產業上的利用價值。

技術實現思路

[0007]為解決上述技術問題，本技術的目的是提供一種毫米波太赫茲波導同軸轉接結構。
[0008]為實現上述目的，本技術采用如下技術方案：
[0009]一種毫米波太赫茲波導同軸轉接結構，包括腔體、50Ω直通微帶、探針和波導；
[0010]50Ω直通微帶、探針和波導均位于腔體內，50Ω直通微帶通過探針與波導相連接；
[0011]腔體的外側設置有同軸連接器，射頻絕緣子的第一端穿過腔體與外側的同軸連接器相連接，射頻絕緣子的第二端與內側的50Ω直通微帶相連接。
[0012]作為本技術的進一步改進，同軸連接器通過螺栓安裝在腔體上，射頻絕緣子的第一端嵌設入同軸連接器的安裝槽內并通過膠粘在一起。
[0013]作為本技術的進一步改進，射頻絕緣子的第二端通過金絲壓焊與內側的50Ω直通微帶相連接。
[0014]作為本技術的進一步改進，射頻絕緣子為玻璃絕緣子。
[0015]作為本技術的進一步改進，波導為90度轉彎波導。
[0016]借由上述方案，本技術至少具有以下優點：
[0017]本技術通過同軸連接器、射頻絕緣子、50Ω直通微帶、探針和波導的結構設
置，可以將同軸端口的器件和波導端口的器件集成連接起來，使得測試儀器兼容更多的待測模塊；本技術結構簡單，易于裝配。
[0018]上述說明僅是本技術技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本技術的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本技術的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。
附圖說明
[0019]為了更清楚地說明本技術實施例的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應當理解，以下附圖僅示出了本技術的某些實施例，因此不應被看作是對范圍的限定，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他相關的附圖。
[0020]圖1是本技術一種毫米波太赫茲波導同軸轉接結構的原理示意圖；
[0021]圖2是本技術一種毫米波太赫茲波導同軸轉接結構的結構示意圖；
[0022]圖3是本技術40
?
60GHz波導同軸轉接結構S11駐波測試曲線；
[0023]圖4是本技術40
?
60GHz波導同軸轉接結構插損曲線圖。
[0024]其中，圖中各附圖標記的含義如下。
[0025]腔體1、同軸連接器2、射頻絕緣子3、50Ω直通微帶4、探針5、波導6。
具體實施方式
[0026]下面結合附圖和實施例，對本技術的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本技術，但不用來限制本技術的范圍。
[0027]為了使本
的人員更好地理解本技術方案，下面將結合本技術實施例中附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。通常在此處附圖中描述和示出的本技術實施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設計。因此，以下對在附圖中提供的本技術的實施例的詳細描述并非旨在限制要求保護的本技術的范圍，而是僅僅表示本技術的選定實施例。基于本技術的實施例，本領域技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。
[0028]實施例
[0029]如圖1～圖4所示，
[0030]一種毫米波太赫茲波導同軸轉接結構，具體包括腔體1、同軸連接器2、射頻絕緣子3、50Ω直通微帶線4、探針5、直通波導6。
[0031]首先將射頻絕緣子3通過腔體1壁，射頻絕緣子3的一端連接同軸連接器2，另一端通過金絲壓焊與50Ω直通微帶線4連接。微帶
?
探針
?
波導結構的主要作用是將信號從50Ω微帶傳輸線耦合至波導，這就要求微帶
?
探針
?
波導結構需要同時滿足匹配50Ω微帶傳輸線以及匹配波導端口阻抗。
[0032]整體的信號傳輸流程為：信號通過同軸連接器2饋入微帶，經過50Ω直通微帶4后進入微帶
?
探針
?
波導結構，之后耦合至波導6并輸出。同樣的，波同轉接沒有方向性，信號同樣可以從波導6饋入，通過同軸連接器2輸出。
[0033]依據于上述實施例，使得：
[0034]如圖3，輸入輸出駐波低：≤1.5；
[0035]如圖4，插損小：整體插損基本小于0.5dB；
[0036]頻段寬：目前最高頻段可以達到110GHz，即WR
?
10波導與1.0mm同軸連接器的轉接。
[0037]在本技術的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術的限制。此外，術語“第一”、“第二”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指咧所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本技術的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。
[0038]在本技術的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種毫米波太赫茲波導同軸轉接結構，包括腔體(1)、50Ω直通微帶(4)、探針(5)和波導(6)；其特征在于；所述50Ω直通微帶(4)、探針(5)和波導(6)均位于腔體(1)內，所述50Ω直通微帶(4)通過探針(5)與波導(6)相連接；所述腔體(1)的外側設置有同軸連接器(2)，射頻絕緣子(3)的第一端穿過腔體(1)與外側的所述同軸連接器(2)相連接，所述射頻絕緣子(3)的第二端與內側的50Ω直通微帶(4)相連接。2.如權利要求1所述的一種毫米波太赫茲波導同軸轉接結構，其特征在于...

【專利技術屬性】
技術研發人員：趙元春，
申請(專利權)人：蘇州伏波電子科技有限公司，
類型：新型
國別省市：