本實(shí)用新型專利技術(shù)提供一種晶圓雙面工藝的保護(hù)裝置，包括：載環(huán)，所述載環(huán)用于承載晶圓的邊緣區(qū)域并能落座于底座，并使落座后的晶圓下表面與底座之間留有間隙；所述載環(huán)設(shè)有一缺口；壓環(huán)，設(shè)置于所述載環(huán)上方，所述壓環(huán)用于壓住落座后的晶圓的邊緣區(qū)域；頂托件，圍繞所述載環(huán)設(shè)置，所述頂托件的頂端用于頂托壓環(huán)，所述頂托件的內(nèi)側(cè)壁設(shè)有側(cè)臺階，用于頂托載環(huán)。本實(shí)用新型專利技術(shù)實(shí)施例提供的晶圓雙面工藝的保護(hù)裝置能夠在晶圓轉(zhuǎn)移時(shí)避免損傷晶圓下表面的工藝結(jié)構(gòu)區(qū)，以及在對晶圓的上表面進(jìn)行工藝時(shí)，能夠固定住晶圓而不損傷晶圓下表面的工藝結(jié)構(gòu)區(qū)。區(qū)。區(qū)。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
晶圓雙面工藝的保護(hù)裝置
[0001]本技術(shù)涉及半導(dǎo)體
，尤其是一種晶圓雙面工藝的保護(hù)裝置。
技術(shù)介紹
[0002]隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，芯片的高度集成化需求的不斷提高，在同一晶圓實(shí)現(xiàn)更多層的電路設(shè)計(jì)需求也在不斷提高。隨之產(chǎn)生了晶圓雙面工藝，該雙面工藝在刻蝕領(lǐng)域與傳統(tǒng)的單面刻蝕相比，出現(xiàn)了更多的挑戰(zhàn)；存在的已知主要問題包括：
[0003]首先，晶圓在傳輸過程中，通過頂針的升降來實(shí)現(xiàn)晶圓與傳輸手臂（可以是一薄板）的分離，頂針會與晶圓下表面接觸，晶圓存在下表面工藝結(jié)構(gòu)區(qū)受損的風(fēng)險(xiǎn)；其次，傳統(tǒng)固定晶圓的方式多為，通過負(fù)壓使得晶圓吸附在ESC（靜電卡盤）表面，而負(fù)壓所引起的高壓也存在對晶圓下表面損傷的風(fēng)險(xiǎn)。
[0004]為此，傳統(tǒng)雙面工藝在對晶圓上表面刻蝕時(shí)，例如此時(shí)上表面為正面，需要在晶圓另一個(gè)表面例如背面先覆蓋保護(hù)膠層，但是后續(xù)需要增加剝離工藝，而且剝離工藝中可能存在晶圓表面受損的風(fēng)險(xiǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0005]為解決現(xiàn)有技術(shù)中的至少一個(gè)技術(shù)問題，本技術(shù)實(shí)施例提供了一種晶圓雙面工藝的保護(hù)裝置，以在晶圓轉(zhuǎn)移時(shí)避免損傷晶圓下表面的工藝結(jié)構(gòu)區(qū)，以及在對晶圓的上表面進(jìn)行工藝時(shí)，能夠固定住晶圓而不損傷晶圓下表面的工藝結(jié)構(gòu)區(qū)。為實(shí)現(xiàn)以上技術(shù)目的，本技術(shù)實(shí)施例采用的技術(shù)方案是：
[0006]本技術(shù)實(shí)施例提供了一種晶圓雙面工藝的保護(hù)裝置，包括：
[0007]載環(huán)，所述載環(huán)用于承載晶圓的邊緣區(qū)域并能落座于底座，并使落座后的晶圓下表面與底座之間留有間隙；所述載環(huán)設(shè)有一缺口；
[0008]壓環(huán)，設(shè)置于所述載環(huán)上方，所述壓環(huán)用于壓住落座后的晶圓的邊緣區(qū)域；
[0009]頂托件，圍繞所述載環(huán)設(shè)置，所述頂托件的頂端用于頂托壓環(huán)，所述頂托件的內(nèi)側(cè)壁設(shè)有側(cè)臺階，用于頂托載環(huán)。
[0010]進(jìn)一步地，所述載環(huán)內(nèi)側(cè)壁設(shè)有用于承載晶圓邊緣區(qū)域的定位臺，所述壓環(huán)內(nèi)邊緣下端設(shè)有與定位臺相對應(yīng)的凸緣，用于在壓環(huán)與載環(huán)接觸時(shí)壓住定位臺上的晶圓邊緣區(qū)域。
[0011]更進(jìn)一步地，所述載環(huán)內(nèi)側(cè)壁的定位臺之上設(shè)有第一導(dǎo)向斜面。
[0012]進(jìn)一步地，所述底座上表面邊緣區(qū)域設(shè)有座槽，用于載環(huán)落座，底座上座槽的深度小于載環(huán)上定位臺高度。
[0013]更進(jìn)一步地，所述載環(huán)內(nèi)側(cè)壁下部與座槽側(cè)壁分別設(shè)有相互配合的第二導(dǎo)向斜面和第三導(dǎo)向斜面。
[0014]進(jìn)一步地，所述頂托件包括至少三個(gè)相連的豎臂，各豎臂圍繞載環(huán)間隔設(shè)置；所述側(cè)臺階位于豎臂的內(nèi)側(cè)。
[0015]更進(jìn)一步地，所述各豎臂通過連接架一起連接一根中間軸。
[0016]可選地，所述頂托件為一個(gè)筒體，筒體內(nèi)壁設(shè)有側(cè)臺階，筒體上設(shè)有缺口。
[0017]進(jìn)一步地，所述頂托件內(nèi)側(cè)壁的側(cè)臺階上設(shè)有卡槽，所述載環(huán)外側(cè)壁下部設(shè)有與卡槽相配合的卡凸。
[0018]進(jìn)一步地，所述壓環(huán)的下表面設(shè)有與豎臂頂端相配合的定位槽。
[0019]本技術(shù)實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：
[0020]1）能夠在晶圓傳輸過程中，有效防止晶圓下表面中間的工藝結(jié)構(gòu)區(qū)受到損傷。
[0021]2）晶圓通過壓環(huán)與載環(huán)的配合能夠被牢靠地固定，且晶圓與底座之間留有間隙，不需要使用現(xiàn)有的負(fù)壓吸附固定方式，避免了對晶圓下表面的工藝結(jié)構(gòu)區(qū)可能造成的損傷。
[0022]3）自然而然的取消了晶圓表面覆蓋保護(hù)膠層和剝離保護(hù)膠層的步驟，能夠簡化工藝步驟。
附圖說明
[0023]圖1為本技術(shù)實(shí)施例中的保護(hù)裝置的立體圖。
[0024]圖2為本技術(shù)實(shí)施例中的保護(hù)裝置剖視圖。
[0025]圖3為本技術(shù)實(shí)施例中的保護(hù)裝置的局部放大圖。
[0026]圖4為本技術(shù)實(shí)施例中的保護(hù)裝置承接晶圓示意圖。
[0027]圖5為本技術(shù)實(shí)施例中的保護(hù)裝置載環(huán)落座于底座示意圖。
[0028]圖6為本技術(shù)實(shí)施例中的保護(hù)裝置壓環(huán)壓住晶圓邊緣區(qū)域示意圖。
[0029]圖7為本技術(shù)實(shí)施例中的保護(hù)裝置頂托件與壓環(huán)分離示意圖。
具體實(shí)施方式
[0030]為了使本技術(shù)的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本技術(shù)進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本技術(shù)，并不用于限定本技術(shù)。
[0031]如圖1、圖2和圖3所示，本技術(shù)實(shí)施例提出的一種晶圓雙面工藝的保護(hù)裝置，包括：
[0032]載環(huán)1，所述載環(huán)1用于承載晶圓a的邊緣區(qū)域并能落座于底座b，并使落座后的晶圓a下表面與底座b之間留有間隙；所述載環(huán)1設(shè)有一缺口；
[0033]壓環(huán)2，設(shè)置于所述載環(huán)1上方，所述壓環(huán)2用于壓住落座后的晶圓a的邊緣區(qū)域；
[0034]頂托件3，圍繞所述載環(huán)1設(shè)置，所述頂托件3的頂端用于頂托壓環(huán)2，所述頂托件3的內(nèi)側(cè)壁設(shè)有側(cè)臺階301，用于頂托載環(huán)1。
[0035]在本技術(shù)提出的實(shí)施例中，底座b可以是傳統(tǒng)工藝中的ESC（靜電卡盤），而無需對現(xiàn)有設(shè)備做較多改造，晶圓a的傳輸手臂可以是一片薄板；當(dāng)傳輸手臂托住晶圓a進(jìn)入到載環(huán)1上方時(shí)，頂托件3會帶動載環(huán)1和壓環(huán)2一起上升，以使得載環(huán)1自下而上接觸到晶圓a的邊緣區(qū)域，將晶圓a向上托起，與傳輸手臂分離；由于晶圓a的工藝結(jié)構(gòu)區(qū)域通常位于晶圓a的正面和/或背面的中間區(qū)域，晶圓a的正面與背面的邊緣區(qū)域均沒有工藝結(jié)構(gòu)，由此載環(huán)1在向上托起晶圓a時(shí)，就不會接觸到晶圓a的工藝結(jié)構(gòu)區(qū)域，避免損傷晶圓a下表面的工
藝結(jié)構(gòu)區(qū)，由于載環(huán)1設(shè)有缺口，可以在載環(huán)1上升時(shí)，通過其缺口避開傳輸手臂而托起晶圓a；在一個(gè)實(shí)施例中，載環(huán)1可以是一個(gè)C型環(huán)，具有天然的缺口；當(dāng)傳輸手臂退出，頂托件3帶動載環(huán)1和壓環(huán)2下降時(shí)，首先載環(huán)1帶著承載的晶圓會落座在底座b上，然后當(dāng)頂托件3繼續(xù)下降時(shí)，壓環(huán)2繼續(xù)下降就可以壓住晶圓a的邊緣區(qū)域，對晶圓a進(jìn)行固定；并且，由于落座后的晶圓a下表面與底座b之間留有間隙，就不會對晶圓a下表面的工藝結(jié)構(gòu)區(qū)造成損傷；由此，通過以上實(shí)施例提出的保護(hù)裝置，就無需在對晶圓a上表面例如正面進(jìn)行工藝之前，預(yù)先對晶圓a下表面例如背面涂覆保護(hù)膠層，自然而然地也就取消了保護(hù)膠層的剝離工藝，避免剝離工藝中可能存在晶圓表面受損的風(fēng)險(xiǎn)；
[0036]作為本實(shí)施例的優(yōu)化，所述載環(huán)1內(nèi)側(cè)壁設(shè)有定位臺101，所述壓環(huán)2內(nèi)邊緣下端設(shè)有與定位臺101相對應(yīng)的凸緣201，用于在壓環(huán)2與載環(huán)1接觸時(shí)壓住定位臺101上的晶圓a邊緣區(qū)域；在載環(huán)1上升時(shí)，晶圓a的邊緣區(qū)域可以承載于定位臺101上，頂托件3下降時(shí)，再通過下降后壓環(huán)2的凸緣201壓住晶圓a的邊緣區(qū)域，凸緣201和定位臺101相配合能夠防止晶圓a在水平方向和垂直方向發(fā)生移位；
[0037]作為本實(shí)施例的進(jìn)一步優(yōu)化，所述載環(huán)1內(nèi)側(cè)壁的定位臺101之上設(shè)有第一導(dǎo)向斜面102；第一導(dǎo)向斜面102可以在壓環(huán)2下降時(shí)，使得壓環(huán)2內(nèi)邊緣下端的凸緣201順利落在定位臺101之上的晶圓a邊緣區(qū)域；
[0038]作為本實(shí)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種晶圓雙面工藝的保護(hù)裝置，其特征在于，包括：載環(huán)(1)，所述載環(huán)(1)用于承載晶圓(a)的邊緣區(qū)域并能落座于底座(b)，并使落座后的晶圓(a)下表面與底座(b)之間留有間隙；所述載環(huán)(1)設(shè)有一缺口；壓環(huán)(2)，設(shè)置于所述載環(huán)(1)上方，所述壓環(huán)(2)用于壓住落座后的晶圓(a)的邊緣區(qū)域；頂托件(3)，圍繞所述載環(huán)(1)設(shè)置，所述頂托件(3)的頂端用于頂托壓環(huán)(2)，所述頂托件(3)的內(nèi)側(cè)壁設(shè)有側(cè)臺階(301)，用于頂托載環(huán)(1)。2.如權(quán)利要求1所述的晶圓雙面工藝的保護(hù)裝置，其特征在于，所述載環(huán)(1)內(nèi)側(cè)壁設(shè)有用于承載晶圓(a)邊緣區(qū)域的定位臺(101)，所述壓環(huán)(2)內(nèi)邊緣下端設(shè)有與定位臺(101)相對應(yīng)的凸緣(201)，用于在壓環(huán)(2)與載環(huán)(1)接觸時(shí)壓住定位臺(101)上的晶圓(a)邊緣區(qū)域。3.如權(quán)利要求2所述的晶圓雙面工藝的保護(hù)裝置，其特征在于，所述載環(huán)(1)內(nèi)側(cè)壁的定位臺(101)之上設(shè)有第一導(dǎo)向斜面(102)。4.如權(quán)利要求1所述的晶圓雙面工藝的保護(hù)裝置，其特征在于，所述底座(b)上表面邊緣區(qū)域設(shè)有座槽(b1)，用于載環(huán)(1)落座，底座(b)上座槽(b1)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：田文康，范雄，
申請(專利權(quán))人：無錫尚積半導(dǎo)體科技有限公司，
類型：新型
國別省市：
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