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    一種有機(jī)電致發(fā)光器件和顯示裝置制造方法及圖紙

    技術(shù)編號(hào):38548617 閱讀:25 留言:0更新日期:2023-08-22 20:56
    本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件和顯示裝置,屬于有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明專利技術(shù)的這種有機(jī)電致發(fā)光器件,包括有機(jī)發(fā)光層,有機(jī)發(fā)光層包括第一主體材料、第二主體材料、磷光敏化劑和共振型窄光譜熒光材料,所述第一主體材料、第二主體材料可形成激基復(fù)合物,共振型窄光譜熒光材料具有窄光譜發(fā)射特性,所述共振型窄光譜熒光材料的斯托克斯位移滿足:λ≤60nm,半峰寬滿足:FWHM≤60nm。本發(fā)明專利技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)器件100%激子利用率,使制備的電致發(fā)光器件具有高效率和長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)。具有高效率和長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)。具有高效率和長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    一種有機(jī)電致發(fā)光器件和顯示裝置


    [0001]本專利技術(shù)涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件和顯示裝置,具有涉及采用磷光材料敏化作為發(fā)光染料的熱活化延遲熒光的有機(jī)電致發(fā)光器件,屬于有機(jī)電致發(fā)光


    技術(shù)介紹

    [0002]有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡(jiǎn)稱:OLED),是一種通過(guò)電流驅(qū)動(dòng)而達(dá)到發(fā)光目的的器件,其主要特性來(lái)自于其中的有機(jī)發(fā)光層,當(dāng)施加適當(dāng)電壓后,電子和空穴會(huì)在有機(jī)發(fā)光層中結(jié)合產(chǎn)生激子并根據(jù)有機(jī)發(fā)光層的特性發(fā)出不同波長(zhǎng)的光。現(xiàn)階段中,發(fā)光層由主體材料和摻雜染料構(gòu)成,而染料多選自傳統(tǒng)熒光材料、磷光材料。或者熱活化延遲熒光(Thermally Activated Delayed Fluorescence,簡(jiǎn)稱:TADF)材料。
    [0003]具體地,傳統(tǒng)熒光材料具有無(wú)法利用三重態(tài)激子的缺陷,磷光材料雖然可以通過(guò)引入重金屬原子,例如銥或鉑,實(shí)現(xiàn)單重態(tài)激子躍遷至三重態(tài)而達(dá)到100%的能量使用效率,但是銥或鉑等重金屬非常稀缺,成本昂貴且極易造成環(huán)境污染,因此磷光材料也無(wú)法成為染料的首選。
    [0004]熱活化延遲熒光(Thermally Activated Delayed Fluorescence,簡(jiǎn)稱:TADF)材料。TADF材料與磷光材料和傳統(tǒng)熒光材料相比,能夠通過(guò)吸收環(huán)境熱量實(shí)現(xiàn)三重態(tài)激子向單重態(tài)的反向系間竄躍,進(jìn)而從單重態(tài)發(fā)出熒光,從而實(shí)現(xiàn)激子的100%利用,并且無(wú)需借助任何重金屬。因此,目前主要通過(guò)主體材料摻雜TADF材料來(lái)實(shí)現(xiàn)100%的能量使用效率。向單重態(tài)的躍遷,并且單重態(tài)激子能夠返回基態(tài)發(fā)出熒光,從而實(shí)現(xiàn)激子的100%利用,并且無(wú)需借助任何重金屬。目前主要通過(guò)主體材料摻雜TADF材料來(lái)實(shí)現(xiàn)較高的發(fā)光效率。但是,大多數(shù)TADF材料自身也存在一定的缺陷,例如發(fā)光光譜過(guò)寬、器件滾降大、壽命短等問(wèn)題。

    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    [0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本專利技術(shù)提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件,包括襯底、第一電極、第二電極和有機(jī)功能層,所述有機(jī)功能層中包括有機(jī)發(fā)光層,有機(jī)發(fā)光層包括主體材料、磷光敏化劑和用作發(fā)光染料的共振型窄光譜熒光材料,其特征在于:
    [0006]所述主體材料由第一主體化合物和第二主體化合物組成,并且第一主體化合物和第二主體化合物形成激基復(fù)合物;
    [0007]所述共振型窄光譜熒光材料為具有窄帶光譜發(fā)射特性的材料,所述共振型窄光譜熒光材料的斯托克斯位移滿足:λ≤60nm、半峰寬滿足:FWHM≤60nm;
    [0008]所述共振型窄光譜熒光材料為核心結(jié)構(gòu)采用硼原子與氮原子形成共振分子結(jié)構(gòu)的化合物,或者為核心結(jié)構(gòu)采用硼原子與氧、硫、硒原子形成共振分子結(jié)構(gòu)的化合物,或者為核心結(jié)構(gòu)采用羰基與氮原子形成共振分子結(jié)構(gòu)的化合物,或者為核心結(jié)構(gòu)采用羰基與氧、硫、硒原子形成共振分子結(jié)構(gòu)的化合物,或者為核心結(jié)構(gòu)采用吲哚并咔唑類共振分子結(jié)構(gòu)的化合物,所述共振型窄光譜熒光材料的單重態(tài)能級(jí)S1和三重態(tài)能級(jí)T1滿足公式:
    [0009]ΔEst=S1
    ?
    T1≤0.4eV;
    [0010]第二主體化合物的單線態(tài)能級(jí)及三線態(tài)能級(jí)均高于磷光敏化劑的三線態(tài)能級(jí),第一主體化合物和第二主體化合物所形成的激基復(fù)合物的單線態(tài)能級(jí)及三線態(tài)能級(jí)也高于磷光敏化劑的三線態(tài)能級(jí);
    [0011]所述激基復(fù)合物的三線態(tài)能級(jí)高于共振型窄光譜熒光材料的三線態(tài)能級(jí);
    [0012]所述磷光敏化劑的三線態(tài)能級(jí)高于共振型窄光譜熒光材料的三線態(tài)能級(jí)。
    [0013]本專利技術(shù)的這種有機(jī)電致發(fā)光器件,電致激發(fā)下,第一主體化合物和第二主體化合物形成激基復(fù)合物的單線態(tài)激子通過(guò)Forrest能量轉(zhuǎn)移將能量傳遞給磷光敏化劑,第一主體化合物和第二主體化合物形成激基復(fù)合物的三線態(tài)激子通過(guò)反向隙間竄躍形成單線態(tài)激子再通過(guò)Forrest能量轉(zhuǎn)移將能量傳遞給磷光敏化劑,或者直接通過(guò)Dexter能量轉(zhuǎn)移將能量傳遞給磷光敏化劑。
    [0014]相比于傳統(tǒng)的主客體搭配方式,本專利技術(shù)的這種有機(jī)電致發(fā)光器件一方面能夠有效平衡器件內(nèi)部的載流子,降低激子淬滅效應(yīng),提高器件的載流子復(fù)合率;同時(shí),第一、第二主體化合物形成的激基復(fù)合物能夠有效的降低驅(qū)動(dòng)電壓,提升器件效率和工作穩(wěn)定性。另一方面,本專利技術(shù)體系中存在的多重能量傳遞途徑,可降低長(zhǎng)壽命的激子累積,從而抑制激子的湮滅過(guò)程所導(dǎo)致的能量損失以及穩(wěn)定性下降。如說(shuō)明書附圖1所示,在能量傳遞圖中尤為重要的是激基復(fù)合物與磷光材料的三線態(tài)Dexter能量傳遞(DET),尤其是在器件里電致激發(fā)生成高比例初始三線態(tài)的情況下,由于其能夠有效地轉(zhuǎn)換具有長(zhǎng)壽的TADF三線態(tài)轉(zhuǎn)換為較短壽命的磷光三線態(tài)激子傳遞給窄光譜染料,從而使制備的電致發(fā)光器件在高亮度下具有高效率、高色純和長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)。
    [0015]進(jìn)一步地,本專利技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光器件中,所述的第一主體化合物為空穴傳輸型主體,具有最高占據(jù)軌道E
    HOMOP
    和最低空軌道E
    LUMOP
    ,具有第一單線態(tài)能級(jí)S
    1P
    和第一三線態(tài)能級(jí)T
    1P
    (根據(jù)77K下熒光發(fā)射發(fā)射光譜和磷光發(fā)射光譜的Onset值計(jì)算得到);
    [0016]所述第二主體化合物為電子傳輸主體,具有最高占據(jù)軌道E
    HOMON
    和最低空軌道E
    LUMON
    ,具有第一單線態(tài)能級(jí)S
    1N
    和第一三線態(tài)能級(jí)T
    1N
    (根據(jù)77K下熒光發(fā)射發(fā)射光譜和磷光發(fā)射光譜的Onset值計(jì)算得到);
    [0017]第一主體化合物和第二主體化合物形成的激基復(fù)合物具有第一單線態(tài)能級(jí)S
    1EX
    和第一三線態(tài)能級(jí)T
    1EX
    (根據(jù)77K下熒光發(fā)射發(fā)射光譜和磷光發(fā)射光譜的Onset值計(jì)算得到),所述第一主體化合物、第二主體化合物及形成的激基復(fù)合物滿足下列方程式:
    [0018]S
    1EX

    T
    1EX
    ≤0.3Ev;
    [0019]E
    HOMOP
    >E
    HOMON

    [0020]E
    LUMOP
    >E
    LUMON

    [0021]E
    HOMOP
    -E
    HOMON
    >0.2eV;
    [0022]E
    LUMOP
    -E
    LUMON
    >0.3eV;
    [0023]S
    1P
    >S
    1N
    ≧S
    1EX

    [0024]進(jìn)一步地,本專利技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光器件中,所述磷光敏化劑具有第一單線態(tài)能級(jí)S
    1Phos
    和第一三線態(tài)能級(jí)T
    1Phos
    (S
    1Phos
    根據(jù)紫外可見吸收光譜最長(zhǎng)波長(zhǎng)方向尾吸收的Onset值計(jì)算得到,T
    1Phos
    根據(jù)77K下磷光發(fā)射光譜的Onset值計(jì)算得到),滿足下述方程式:
    [0025]S本文檔來(lái)自技高網(wǎng)
    ...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    【技術(shù)特征摘要】
    1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,包括襯底、第一電極、第二電極和有機(jī)功能層,所述有機(jī)功能層中包括有機(jī)發(fā)光層,有機(jī)發(fā)光層包括主體材料、磷光敏化劑和用作發(fā)光染料的共振型窄光譜熒光材料,其特征在于:所述主體材料由第一主體化合物和第二主體化合物組成,并且第一主體化合物和第二主體化合物形成激基復(fù)合物;所述共振型窄光譜熒光材料為具有窄帶光譜發(fā)射特性的材料,所述共振型窄光譜熒光材料的斯托克斯位移滿足:λ≤60nm,半峰寬滿足:FWHM≤60nm;所述共振型窄光譜熒光材料為核心結(jié)構(gòu)采用硼原子與氮原子形成共振分子結(jié)構(gòu)的化合物,或者為核心結(jié)構(gòu)采用硼原子與氧、硫、硒原子形成共振分子結(jié)構(gòu)的化合物,或者為核心結(jié)構(gòu)采用羰基與氮原子形成共振分子結(jié)構(gòu)的化合物,或者為核心結(jié)構(gòu)采用羰基與氧、硫、硒原子形成共振分子結(jié)構(gòu)的化合物,或者為核心結(jié)構(gòu)采用吲哚并咔唑類共振分子結(jié)構(gòu)的化合物,所述共振型窄光譜熒光材料的單重態(tài)能級(jí)S1和三重態(tài)能級(jí)T1滿足公式:ΔEst=S1
    ?
    T1≤0.4eV;第二主體化合物的單線態(tài)能級(jí)及三線態(tài)能級(jí)均高于磷光敏化劑的三線態(tài)能級(jí),第一主體化合物和第二主體化合物所形成的激基復(fù)合物的單線態(tài)能級(jí)及三線態(tài)能級(jí)也高于磷光敏化劑的三線態(tài)能級(jí);所述激基復(fù)合物的三線態(tài)能級(jí)高于共振型窄光譜熒光材料的三線態(tài)能級(jí);所述磷光敏化劑的三線態(tài)能級(jí)高于共振型窄光譜熒光材料的三線態(tài)能級(jí)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述的第一主體化合物為空穴傳輸型主體,具有最高占據(jù)軌道E
    HOMOP
    和最低空軌道E
    LUMOP
    ,具有第一單線態(tài)能級(jí)S
    1P
    和第一三線態(tài)能級(jí)T
    1P
    (根據(jù)77K下熒光發(fā)射發(fā)射光譜和磷光發(fā)射光譜的Onset值計(jì)算得到);所述第二主體化合物為電子傳輸主體,具有最高占據(jù)軌道E
    HOMON
    和最低空軌道E
    LUMON
    ,具有第一單線態(tài)能級(jí)S
    1N
    和第一三線態(tài)能級(jí)T
    1N
    (根據(jù)77K下熒光發(fā)射發(fā)射光譜和磷光發(fā)射光譜的Onset值計(jì)算得到);第一主體化合物和第二主體化合物形成的激基復(fù)合物具有第一單線態(tài)能級(jí)S
    1EX
    和第一三線態(tài)能級(jí)T
    1EX
    (根據(jù)77K下熒光發(fā)射發(fā)射光譜和磷光發(fā)射光譜的Onset值計(jì)算得到),所述第一主體化合物、第二主體化合物及形成的激基復(fù)合物滿足下列方程式:S
    1EX

    T
    1EX
    ≤0.3Ev;E
    HOMOP
    >E
    HOMON
    ;E
    LUMOP
    >E
    LUMON
    ;E
    HOMOP
    -E
    HOMON
    >0.2eV;E
    LUMOP
    -E
    LUMON
    >0.3eV;S
    1P
    >S
    1N
    ≧S
    1EX
    。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述磷光敏化劑具有第一單線態(tài)能級(jí)S
    1Phos
    和第一三線態(tài)能級(jí)T
    1Phos
    (S
    1Phos
    根據(jù)紫外可見吸收光譜最長(zhǎng)波長(zhǎng)方向尾吸收的Onset值計(jì)算得到,T
    1Phos
    根據(jù)77K下磷光發(fā)射光譜的Onset值計(jì)算得到),滿足下述方程式:S
    1EX
    >S
    1Phos
    T
    1EX
    >T
    1Phos
    。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述的第一主體化合物選自
    如下式1
    ?
    1所示的化合物:式(1
    ?
    1)中,所述Ar4選自取代或未取代的C6~C60芳基、取代或未取代的C3~C60雜芳基中的一種;R
    001
    和R
    002
    表示單取代至最多允許數(shù)的取代基團(tuán),R
    001
    和R
    002
    各自獨(dú)立的選自氫、氘、氰基、取代或未取代的C1~C20烷基、取代或未取代的C3~C20環(huán)烷基、取代或未取代的C1~C20硅烷基、取代或未取代的C6~C30芳基氨基、取代或未取代的C7~C30芳烷基、取代或未取代的C3~C30雜芳基氨基、取代或未取代的C6~C60芳基、取代或未取代的C3~C60雜芳基中的一種;且R
    001
    、R
    002
    中彼此相鄰的兩個(gè)之間不連接或者連接成環(huán);當(dāng)上述基團(tuán)上存在取代基時(shí),所述取代基團(tuán)分別獨(dú)立選自氘、鹵素、氰基、C1~C30的鏈狀烷基、C3~C30的環(huán)烷基、C1~C10的烷氧基、C6~C30的芳基氨基、C3~C30雜芳基氨基、C6~C60的芳氧基、C6~C60的芳基、C5~C60的雜芳基中的任一種。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述第一主體化合物具有如式(1
    ?
    2)或式(1
    ?
    3)所述結(jié)構(gòu):式(1
    ?
    2)、式(1
    ?
    3)中,m和n各自獨(dú)立為1~4的整數(shù);所述Ar4、R
    001
    和R
    002
    的定義與在式(1
    ?
    1)中的定義相同;所述Ar5選自取代或未取代的C6~C60芳基、取代或未取代的C3~C60雜芳基中的一種;所述L選自單鍵、取代或未取代的C6~C60芳基、取代或未取代的C3~C60雜芳基中的一種;R
    003
    、R
    004
    表示單取代至最多允許數(shù)的取代基團(tuán),R
    001
    和R
    002
    各自獨(dú)立的選自氫、氘、氰基、取代或未取代的C1~C20烷基、取代或未取代的C3~C20環(huán)烷基、取代或未取代的C1~C20硅烷基、取代或未取代的C6~C30芳基氨基、取代或未取代的C7~C30芳烷基、取代或未取代的C3~C30雜芳基氨基、取代或未取代的C6~C60芳基、取代或未取代的C3~C60雜芳基中的一種;當(dāng)上述基團(tuán)上存在取代基時(shí),所述取代基團(tuán)分別獨(dú)立選自氘、鹵素、氰基、C1~C30的鏈狀烷基、C3~C30的環(huán)烷基、C1~C10的烷氧基、C6~C30的芳基氨基、C3~C30雜芳基氨基、C6~C60的芳氧基、C6~C60的芳基、C5~C60的雜芳基中的任一種;優(yōu)選的,所述Ar4、Ar5各自獨(dú)立的選自取代或未取代的苯、取代或未取代的聯(lián)苯、取代或未取代的三聯(lián)苯、取代或未取代的三亞苯、取代或未取代的二苯并呋喃、取代或未取代的二
    苯并噻吩、取代或未取代的吲哚、取代或未取代的吲哚并咔唑、取代或未取代的咔唑、取代或未取代的芴中的一種或多種的組合;當(dāng)Ar4、Ar5上存在取代基時(shí),所述取代基團(tuán)分別獨(dú)立選自氘、鹵素、氰基、C1~C10的鏈狀烷基、C3~C10的環(huán)烷基、C1~C10的烷氧基、C6~C30的芳基氨基、C3~C30雜芳基氨基、C6~C30的芳氧基、C6~C30的芳基、C5~C30的雜芳基中的任一種。6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述第一主體化合物選自下述化合物中的一種:
    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述第二主體化合物選自下述化合物中的一種:
    8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述共振型窄光譜熒光材料
    選自如下式(1)、式(2)、式(3)、式(4)或式(5)中任一所示的結(jié)構(gòu):式(1)中:所述R
    21
    ~R
    28
    分別獨(dú)立地選自氫、氘或者取代或未取代的下述基團(tuán)中的一種:鹵素、C1~C30的鏈狀烷基、C3~C30的環(huán)烷基、C1~C10的烷氧基、C1~C10的硫代烷氧基、羰基、羧基、硝基、氰基、氨基、C6~C30的芳基氨基、C3~C30雜芳基氨基、C6
    ?
    C60的單環(huán)芳基、C6
    ?
    C60的稠環(huán)芳基、C6
    ?
    C60的芳氧基、C5
    ?
    C60的單環(huán)雜芳基或C5
    ?
    C60的稠環(huán)雜芳基,并且R
    21
    ~R
    28
    中相鄰的兩個(gè)基團(tuán)之間不連接或者彼此鍵合并與相鄰的苯環(huán)一同形成C5~C30的五元或六元的芳基環(huán)、C5~C30的五元或六元的雜芳基環(huán)中的一種,且所形成環(huán)結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)氫可被C6~C30的芳基氨基、C3~C30雜芳基氨基、C6~C60的單環(huán)芳基、C6~C60的稠環(huán)芳基、C6~C60的芳氧基、C5~C60的單環(huán)雜芳基、C5~C60的稠環(huán)雜芳基、鹵素、C1~C30的鏈狀烷基、C3~C30的環(huán)烷基、C1~C10的烷氧基、C1~C10的硫代烷氧基、羰基、羧基、硝基、氰基、氨基中的任一種所取代;所述X5、X6分別獨(dú)立地選自NR,所述R可通過(guò)
    ?
    O
    ?

    ?
    S
    ?

    ?
    C(
    ?
    R

    )2
    ?
    或單鍵而與相鄰的環(huán)結(jié)構(gòu)鍵結(jié),所述R和R

    分別獨(dú)立地選自取代或未取代的下述基團(tuán)中的一種:C1
    ?
    C30的鏈狀烷基、C3
    ?
    C30的環(huán)烷基、C1
    ?
    C30的鹵代烷基、C1
    ?
    C30的烷氧基、C2
    ?
    C30的烯基、C3
    ?
    C30的炔基、C6
    ?
    C60的芳基、C6
    ?
    C60的芳氧基、C5
    ?
    C60的雜芳基;式(1)中,環(huán)F表示同時(shí)分別與由B和X5組成的六元環(huán)結(jié)構(gòu)、由B和X6組成的六元環(huán)結(jié)構(gòu)稠合連接的基團(tuán),所述環(huán)F選自取代或未取代的C6
    ?
    C60的芳環(huán)、取代或未取代的C5
    ?
    C60的含氮原子的雜芳環(huán)中的一種;當(dāng)上述基團(tuán)存在取代基時(shí),所述取代基團(tuán)分別獨(dú)立選自氘、鹵素、氰基、C1~C30的鏈狀烷基、C3~C30的環(huán)烷基、C1~C10的烷氧基、C6~C30芳基氨基、C3~C30雜芳基氨基、C6
    ?
    C30的芳基、C3
    ?
    C30的雜芳基中的一種;
    式(2)中,所述X1、X2、X3和X4分別獨(dú)立地為NR1或O,且X1、X2、X3和X4不同時(shí)為O,X1、X2、X3和X4不同時(shí)為NR1;所述R1選自取代或未取代的下述基團(tuán)中的一種:C6
    ?
    C60的單環(huán)芳基、C6
    ?
    C60的稠環(huán)芳基、C5
    ?
    C60的單環(huán)雜芳基或C5
    ?
    C60的稠環(huán)雜芳基;所述R1通過(guò)單鍵與相鄰的苯環(huán)連接或不連接,或者R1與相鄰的苯環(huán)稠合而相互鍵合形成環(huán);所述X1與X4之間可通過(guò)單鍵連接,或者可稠合而相互鍵合形成環(huán);所述X2與X3之間可通過(guò)單鍵連接,或者可稠合而相互鍵合形成環(huán);所述R
    a
    、R
    b
    、R
    c
    和R
    d
    分別獨(dú)立地表示單取代基到最大允許取代基,并且各自獨(dú)立地選自氫、氘或者下述基團(tuán)中的一種:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、2
    ?
    甲基丁基、正戊基、仲戊基、環(huán)戊基、新戊基、正己基、環(huán)己基、新己基、正庚基、環(huán)庚基、正辛基、環(huán)辛基、2
    ?
    乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2
    ?
    三氟乙基、苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、窟基、茈基、熒蒽基、并四苯基、并五苯基、苯并芘基、聯(lián)苯基、偶苯基、三聯(lián)苯基、三聚苯基、四聯(lián)苯基、芴基、螺二芴基、金剛烷、氟代苯基、甲基苯基、三甲基苯基、氰基苯基;所述R
    a
    、R
    b
    、R c
    和R
    d
    中的相鄰的兩個(gè)之間任選通過(guò)單鍵連接或不連接,或者稠合而相互鍵合形成環(huán);當(dāng)上述基團(tuán)存在取代基時(shí),所述取代基團(tuán)分別獨(dú)立選自氘、鹵素、C1~C30的鏈狀烷基、C3~C30的環(huán)烷基、C1~C10的烷氧基、C1~C10的硫代烷氧基、C6~C30的芳基氨基、C3~C30雜芳基氨基、C6~C60的單環(huán)芳基、C6~C60的稠環(huán)芳基、C6~C60的芳氧基、C5~C60的單環(huán)雜芳基、C5~C60的稠環(huán)雜芳基中的任一種;式(3)中,虛線代表單鍵連接或者不連接;X1和X2分別獨(dú)立地為N或B;環(huán)A表示苯環(huán)、萘環(huán)或蒽環(huán);環(huán)B和環(huán)C各自獨(dú)立地表示苯環(huán)、萘環(huán)或蒽環(huán);環(huán)D和環(huán)E各自獨(dú)立地表示C8~C60稠合芳烴;所述R
    A
    、R
    B
    、R
    C
    、R
    D
    和R
    E
    分別獨(dú)立地表示單取代基團(tuán)到最大允許取代數(shù)的取代基團(tuán),R
    A
    、R
    B
    、R
    C
    、R
    D
    和R
    E
    各自獨(dú)立地選自氫、氘、鹵素、羰基、羧基、硝基、氰基、氨基、硅基、取代或未取代的C1~C36的鏈狀烷基、取代或未取代的C3~C36的環(huán)烷基、取代或未取代的C1~C10的烷氧基、取代或未取代的C1~C10的硫代烷氧基、取代或未取代的C6~C30的芳基氨基、取代或未取代的C3~C30雜芳基氨基、取代或未取代的C6
    ?
    C60的單環(huán)芳基或稠環(huán)芳基、取代或未取代的C6
    ?<...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:段煉洪響晨張躍威李國(guó)孟張東東
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:清華大學(xué)
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:

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