本發(fā)明專利技術(shù)涉及存儲(chǔ)芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種flash的冗余替換方法、裝置、寄存器和存儲(chǔ)芯片，其中，方法包括步驟：依地址順序同時(shí)選中存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)單元和冗余區(qū)的冗余單元進(jìn)行檢測(cè)，并分別生成存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果和冗余單元檢測(cè)結(jié)果；在存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果為壞，以及冗余單元檢測(cè)結(jié)果為壞或冗余單元檢測(cè)結(jié)果對(duì)應(yīng)的冗余單元已用于替換時(shí)，獲取冗余單元檢測(cè)結(jié)果為好且未用于替換的冗余單元來替換該存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果為壞的存儲(chǔ)單元；該方法利用冗余單元檢測(cè)結(jié)果為好且未用于替換的冗余單元來進(jìn)行替換處理，使得替換后的存儲(chǔ)單元為好存儲(chǔ)單元，省去了flash的冗余替換處理中的二次檢測(cè)過程，并提高了良品率，且能充分利用冗余區(qū)的冗余單元。冗余單元。冗余單元。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
flash的冗余替換方法、裝置、寄存器和存儲(chǔ)芯片
[0001]本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)芯片
，具體而言，涉及一種flash的冗余替換方法、裝置、寄存器和存儲(chǔ)芯片。
技術(shù)介紹
[0002]flash作為一種非易失性存儲(chǔ)器，其生產(chǎn)后需要經(jīng)過多道測(cè)試程序，如以未減劃硅片為對(duì)象的測(cè)試, 以封裝片為對(duì)象的測(cè)試等，以篩選出性能合格的芯片。
[0003]flash制造工藝存在缺陷，導(dǎo)致flash中的存儲(chǔ)主區(qū)中的存儲(chǔ)單元可能有部分無法擦寫的區(qū)域，即這些區(qū)域地址無法正常使用，為了挽救這些存儲(chǔ)區(qū)存在缺陷的flash芯片，一般會(huì)利用設(shè)計(jì)于芯片內(nèi)的redundancy存儲(chǔ)區(qū)（簡(jiǎn)稱冗余區(qū)）中的冗余單元去替換存儲(chǔ)區(qū)中無法擦寫的存儲(chǔ)單元，使得芯片中可擦寫區(qū)域滿足使用設(shè)計(jì)需求。
[0004]現(xiàn)有的應(yīng)用于flash（如nor flash）中的冗余替換手段一般為檢測(cè)存儲(chǔ)單元是否為壞存儲(chǔ)單元，若是則直接利用未檢測(cè)的冗余單元進(jìn)行替換以作為新的存儲(chǔ)單元使用，在整個(gè)flash完成檢測(cè)和替換處理后，再對(duì)flash進(jìn)行二次檢測(cè)，若仍存在壞存儲(chǔ)單元，則報(bào)廢該flash，該冗余替換方式未能充分利用冗余區(qū)的冗余單元，導(dǎo)致flash產(chǎn)品良品率難以提高。
[0005]針對(duì)上述問題，目前尚未有有效的技術(shù)解決方案。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0006]本申請(qǐng)的目的在于提供一種flash的冗余替換方法、裝置、寄存器和存儲(chǔ)芯片，以更充分利用冗余區(qū)的冗余單元來進(jìn)行替換處理來提高產(chǎn)品良品率。
[0007]第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环Nflash的冗余替換方法，用于替換壞存儲(chǔ)單元，所述方法包括以下步驟：依地址順序同時(shí)選中存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)單元和冗余區(qū)的冗余單元進(jìn)行檢測(cè)，并分別生成存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果和冗余單元檢測(cè)結(jié)果；在所述存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果為壞，以及所述冗余單元檢測(cè)結(jié)果為壞或所述冗余單元檢測(cè)結(jié)果對(duì)應(yīng)的冗余單元已用于替換時(shí)，獲取冗余單元檢測(cè)結(jié)果為好且未用于替換的冗余單元來替換該存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果為壞的存儲(chǔ)單元。
[0008]本申請(qǐng)的flash的冗余替換方法利用冗余單元檢測(cè)結(jié)果為好且未用于替換的冗余單元來進(jìn)行替換處理，使得替換后的存儲(chǔ)單元必然為好存儲(chǔ)單元，省去了flash 的冗余替換處理中的二次檢測(cè)過程，并提高了產(chǎn)品良品率，且能充分利用冗余區(qū)的冗余單元。
[0009]所述的flash的冗余替換方法，其中，每個(gè)所述冗余單元僅基于第一次檢測(cè)生成冗余單元檢測(cè)結(jié)果。
[0010]該示例能調(diào)用在前檢測(cè)生成的冗余單元檢測(cè)結(jié)果作為該輪次的冗余單元檢測(cè)結(jié)果，以節(jié)省設(shè)備資源消耗，并提高檢測(cè)效率。
[0011]所述的flash的冗余替換方法，其中，所述方法還包括執(zhí)行于所述依地址順序同時(shí)
選中存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)單元和冗余區(qū)的冗余單元進(jìn)行檢測(cè)，并分別生成存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果和冗余單元檢測(cè)結(jié)果的步驟之后的步驟：在所述存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果為壞，以及所述冗余單元檢測(cè)結(jié)果為好且所述冗余單元檢測(cè)結(jié)果對(duì)應(yīng)的冗余單元未用于替換時(shí)，利用該冗余單元檢測(cè)結(jié)果為好的冗余單元來替換該存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果為壞的存儲(chǔ)單元。
[0012]所述的flash的冗余替換方法，其中，所述獲取冗余單元檢測(cè)結(jié)果為好且未用于替換的冗余單元來替換該存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果為壞的存儲(chǔ)單元的步驟為重新依地址順序搜索獲取冗余單元。
[0013]所述的flash的冗余替換方法，其中，在同一字線中，在所述依地址順序同時(shí)選中存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)單元和冗余區(qū)的冗余單元進(jìn)行檢測(cè)的步驟中，在依地址順序選中存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)單元的過程中，冗余區(qū)的冗余單元為重復(fù)性依照所述地址順序被選中。
[0014]所述的flash的冗余替換方法，其中，所述存儲(chǔ)單元和所述冗余單元均基于多級(jí)多路選擇器選中。
[0015]所述的flash的冗余替換方法，其中，所述存儲(chǔ)單元數(shù)量和冗余單元數(shù)量比為128:1。
[0016]第二方面，本申請(qǐng)還提供了一種flash的冗余替換裝置，用于替換壞存儲(chǔ)單元，所述裝置包括：檢測(cè)模塊，用于依地址順序同時(shí)選中存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)單元和冗余區(qū)的冗余單元進(jìn)行檢測(cè)，并分別生成存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果和冗余單元檢測(cè)結(jié)果；替換模塊，用于在所述存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果為壞，以及所述冗余單元檢測(cè)結(jié)果為壞或所述冗余單元檢測(cè)結(jié)果對(duì)應(yīng)的冗余單元已用于替換時(shí)，獲取冗余單元檢測(cè)結(jié)果為好且未用于替換的冗余單元來替換該存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果為壞的存儲(chǔ)單元。
[0017]本申請(qǐng)的flash的冗余替換裝置利用冗余單元檢測(cè)結(jié)果為好且未用于替換的冗余單元來進(jìn)行替換處理，使得替換后的存儲(chǔ)單元必然為好存儲(chǔ)單元，省去了flash 的冗余替換處理中的二次檢測(cè)過程，并提高了產(chǎn)品良品率，且能充分利用冗余區(qū)的冗余單元。
[0018]第三方面，本申請(qǐng)還提供了一種配置寄存器，用于非易失性地存儲(chǔ)基于如第一方面提供的flash的冗余替換方法替換存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)單元所產(chǎn)生的冗余替換配置信息。
[0019]第四方面，本申請(qǐng)還提供了一種存儲(chǔ)芯片，所述存儲(chǔ)芯片基于如第一方面提供的flash的冗余替換方法替換存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)單元。
[0020]由上可知，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环Nflash的冗余替換方法、裝置、寄存器和存儲(chǔ)芯片，其中，方法通過同時(shí)選中存儲(chǔ)單元和冗余單元進(jìn)行檢測(cè)的方式，來生成分別表征存儲(chǔ)單元好壞的存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果和表征冗余單元好壞的冗余單元檢測(cè)結(jié)果，利用冗余單元檢測(cè)結(jié)果為好且未用于替換的冗余單元來進(jìn)行替換處理，使得替換后的存儲(chǔ)單元必然為好存儲(chǔ)單元，省去了flash 的冗余替換處理中的二次檢測(cè)過程，并提高了產(chǎn)品良品率，且能充分利用冗余區(qū)的冗余單元。
附圖說明
[0021]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的flash的冗余替換方法的流程圖。
[0022]圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的flash的冗余替換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖3為兩級(jí)多路選擇器與存儲(chǔ)陣列的連接結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的flash的冗余替換方法的替換過程示意圖。
[0025]附圖標(biāo)記：201、檢測(cè)模塊；202、替換模塊。
具體實(shí)施方式
[0026]下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本申請(qǐng)實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計(jì)。因此，以下對(duì)在附圖中提供的本申請(qǐng)的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本申請(qǐng)的范圍，而是僅僅表示本申請(qǐng)的選定實(shí)施例。基于本申請(qǐng)的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。
[0027]應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。同時(shí)，在本申請(qǐng)的描述中，術(shù)語“第一”、“第二”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。
[0028]第一方面，請(qǐng)參照?qǐng)D1和圖4，本申請(qǐng)一些實(shí)施例提供了一種flash的冗余替換方法，用于替換壞存儲(chǔ)單元，方法包括以下步本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種flash的冗余替換方法，用于替換壞存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述方法包括以下步驟：依地址順序同時(shí)選中存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)單元和冗余區(qū)的冗余單元進(jìn)行檢測(cè)，并分別生成存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果和冗余單元檢測(cè)結(jié)果；在所述存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果為壞，以及所述冗余單元檢測(cè)結(jié)果為壞或所述冗余單元檢測(cè)結(jié)果對(duì)應(yīng)的冗余單元已用于替換時(shí)，獲取冗余單元檢測(cè)結(jié)果為好且未用于替換的冗余單元來替換該存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果為壞的存儲(chǔ)單元。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的flash的冗余替換方法，其特征在于，每個(gè)所述冗余單元僅基于第一次檢測(cè)生成冗余單元檢測(cè)結(jié)果。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的flash的冗余替換方法，其特征在于，所述方法還包括執(zhí)行于所述依地址順序同時(shí)選中存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)單元和冗余區(qū)的冗余單元進(jìn)行檢測(cè)，并分別生成存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果和冗余單元檢測(cè)結(jié)果的步驟之后的步驟：在所述存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果為壞，以及所述冗余單元檢測(cè)結(jié)果為好且所述冗余單元檢測(cè)結(jié)果對(duì)應(yīng)的冗余單元未用于替換時(shí)，利用該冗余單元檢測(cè)結(jié)果為好的冗余單元來替換該存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果為壞的存儲(chǔ)單元。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的flash的冗余替換方法，其特征在于，所述獲取冗余單元檢測(cè)結(jié)果為好且未用于替換的冗余單元來替換該存儲(chǔ)單元檢測(cè)結(jié)果為壞的存儲(chǔ)單元的步驟為重新依地址順序搜索獲取冗余單元。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的flash的冗余替換方法，其特征在于，在...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：林朝明，朱雨萌，馮嘉，黃凱怡，康治偉，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：芯天下技術(shù)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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