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【技術實現步驟摘要】
鈀
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銅
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銀合金
[0001]本專利技術涉及鈀
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銅
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銀合金(PdCuAg合金)和由這種鈀
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銅
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銀合金制成的成型體,具體地是由這種鈀
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銅
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銀合金制成的線材、帶材或探針,涉及這種鈀
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銅
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銀合金用于測試電氣接觸件或用于電接觸或用于制造滑動接觸件的用途,以及涉及用于制造鈀
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銅
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銀合金的方法。
[0002]在芯片制造期間,在加工后,晶圓直接與探針接觸,以便測試集成電路(IC)在未鋸切狀態下的功能。在構造各個芯片之后,探針陣列測試半導體晶圓的功能。探針固定在與晶圓的設計相匹配的探針卡中。在測試過程中,晶圓被壓到探針上,并且在鋁焊盤的情況下通過鈍化層,在探針與IC的焊盤之間產生接觸。然后測試了各種參數,諸如接觸、高電流密度下的電氣特征以及溫度變化期間的電氣特性。
[0003]因此,探針用于制造電力電子器件、接觸芯片和其他電路以測試電氣接觸件的質量(參見例如US 2014/0266278 A1和US 2010/0194415 A1)。
[0004]良好的探針的關鍵參數是高電導率(因為必須傳輸高電流)和高硬度(為了保持較短的維護間隔)。目前,具有高電導率和熱導率而且還具有高硬度和拉伸強度的金屬或合金因此用于所謂的探針。純銅的電導率(100% IACS=58.1*106S/m)用作參考。然而,銅(Cu)和銀(Ag ...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種鈀
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銅
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銀合金,所述鈀
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銅
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銀合金由以下項組成(a)40重量%至58重量%的鈀,(b)25重量%至42重量%的銅,(c)6重量%至20重量%的銀,(d)任選地至多6重量%的選自釕、銠和錸的至少一種元素,以及(e)至多1重量%的雜質,其中所述鈀
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銅
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銀合金包含具有B2晶體結構的結晶相,并且其中所述鈀
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銅
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銀合金具有0%體積至10%體積的銀、鈀和二元銀
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鈀化合物的沉淀物。2.根據權利要求1所述的鈀
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銅
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銀合金,其特征在于,所述鈀
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銅
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銀合金包含(a)41重量%至56重量%的鈀,(b)26重量%至42重量%的銅,以及(c)7重量%至19重量%的銀,優選地(a)41重量%至56重量%的鈀,(b)26重量%至42重量%的銅,以及(c)8重量%至18重量%的銀,更優選地(a)41重量%至56重量%的鈀,(b)26重量%至42重量%的銅,以及(c)9重量%至18重量%的銀,甚至更優選地(a)41重量%至56重量%的鈀,(b)26重量%至42重量%的銅,以及(c)10重量%至18重量%的銀。3.根據前述權利要求中的一項所述的鈀
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銅
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銀合金,其特征在于所述鈀
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銅
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銀合金中鈀與銅的重量比為至少1.05并且至多1.6,并且鈀與銀的重量比為至少3并且至多6。4.根據前述權利要求中的一項所述的鈀
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銅
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銀合金,其特征在于所述鈀
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銅
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銀合金包含至少0.1重量%的選自由釕、銠和錸組成的組的至少一種元素。5.根據前述權利要求中的一項所述的鈀
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銅
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銀合金,其特征在于所述鈀
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銅
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銀合金包含釕、銠、錸或者選自釕、銠和錸中的兩種元素的混合物或者釕、銠和錸的混合物的沉淀物,其中優選地至少90體積%的所述沉淀物排列在所述鈀
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銅
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銀合金的晶界處,特別優選地至少99體積%的所述沉淀物排列在所述鈀
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銅
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銀合金的晶界處。6.根據前述權利要求中的一項所述的鈀
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銅
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銀合金,其特征在于所述鈀
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銅
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銀合金包含至多6重量%的選自由釕和銠組成的組的至少一種元素,優選地包含從0.1重量%至6重量%的選自由釕和銠組成的組的至少一種元素,特別優選地包含從1重量%至6重量%的選自由釕和銠組成的組的至少一種元素。7.根據前述權利要求中的一項所述的鈀
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銅
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銀合金,其特征在于具有所述B2晶體結構的所述結晶相具有至少6重量%的銀含量。
8.根據前述權利要求中的一項所述的鈀
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銅
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銀合金,其特征在于具有所述B2晶體結構的所述結晶相通過在溫度處理之后,特別是在回火之后或在退火之后對所述鈀
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銅
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銀合金進行淬火而獲得,并且/或者通過多次熱處理和多次軋制使所述鈀
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銅
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銀合金成型和硬化,其中所述熱處理優選地在700℃和950℃之間的溫度下進行并且在所述熱處理之后進行淬火,其中在所述熱處理期間不發生所述鈀
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銅
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銀合金的熔化,并且/或者所述鈀
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銅
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銀合金通過熔化冶金制造并且隨后通過軋制和回火硬化,其中所...
【專利技術屬性】
技術研發人員:J,
申請(專利權)人:賀利氏德國有限兩合公司,
類型:發明
國別省市:
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