本發明專利技術公開激光照射裝置以及半導體器件制造方法，所述激光照射裝置包括一光學系統模塊，用于向一照射對象發射激光；第一遮光板，所述第一遮光板內形成有供所述激光通過的第一狹縫，所述第一遮光板朝所述光學系統模塊彎曲；以及一反射光接收部件，設于所述光學系統模塊與所述第一遮光板之間，其中，所述反射光接收部件能夠接收所述激光中被所述第一遮光板反射的第一反射光。板反射的第一反射光。板反射的第一反射光。
【技術實現步驟摘要】
激光照射裝置以及半導體器件制造方法
[0001]本申請是申請號為201780062257.1，申請日為2017年7月14日，專利技術名稱為“激光照射裝置以及半導體器件制造方法”的專利申請的分案申請。
[0002]本專利技術涉及一種激光照射裝置以及半導體器件制造方法。舉例而言，本專利技術涉及一種通過以激光照射形成于基片上的非晶膜而進行激光退火處理的激光照射裝置，并涉及一種半導體器件制造方法。
技術介紹
[0003]一種已知的激光退火裝置通過以激光照射形成于硅片或玻璃基片的非晶膜而使該非晶膜結晶化。專利文獻1和專利文獻2均公開一種激光退火裝置，該裝置通過使激光通過狹縫而阻擋與激光光軸垂直的激光截面上強度較低的邊緣部分激光，并將所獲得的具有均勻強度的激光用作照射光。
[0004]現有技術文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1：日本專利第5717146號
[0007]專利文獻2：日本專利第5907530號
技術實現思路
[0008]本專利技術解決的技術問題
[0009]在專利文獻1和專利文獻2公開的激光退火裝置中，與激光光軸垂直的激光截面上的邊緣部分激光無法通過狹縫，并被形成所述狹縫的遮光部分阻擋?？梢韵氲降氖?，被遮光部分阻擋的激光會被該遮光部分反射。
[0010]可以想到的是，被遮光部分反射的反射光會抵達激光退火裝置的光學系統模塊，從而對該光學系統模塊造成使該光學系統模塊溫度升高等負面作用。在該情況下，所述光學系統模塊的外殼將因熱應力而變形，從而導致該光學系統模塊內設置的各光學元件發生位置偏差?？梢韵氲降氖?，如此，用于使非晶膜結晶化的激光將發生不均勻照射，從而可能無法實施穩定的結晶化處理。
[0011]此外，經通過狹縫的激光被非晶膜或基片反射后的反射光以相反方向通過狹縫，并同樣抵達光學系統模塊。可以想到的是，如此，可導致與上述遮光部分反射的反射光類似的不均勻照射。
[0012]根據本說明書的描述以及附圖，其他待解決的問題以及新穎特征將變得容易理解。
[0013]解決問題的技術手段
[0014]一種實施方式的激光照射裝置包括：用于向照射對象發射激光的光學系統模塊；第一遮光板，該第一遮光板內形成供激光通過的第一狹縫，所述第一遮光板朝所述光學系
統模塊彎曲；以及設于所述光學系統模塊和第一遮光板之間的反射光接收部件，其中，該反射光接收部件能夠從所述激光中接收所述第一遮光板發射的第一反射光。
[0015]一種實施方式的半導體器件制造方法包括如下步驟：(A)光學系統模塊向基片發射激光，該基片上形成有含半導體的膜；(B)提供第一遮光板，該第一遮光板內形成供所述激光通過的第一狹縫，并使得發射于所述第一狹縫和第一遮光板上的所述激光當中發射至該第一狹縫上的激光部分通過該第一狹縫，其中，所述第一遮光板朝所述光學系統模塊彎曲；(C)由所述第一遮光板阻擋發射于所述第一狹縫和第一遮光板上的所述激光當中發射至該第一遮光板上的激光部分；(D)在所述光學系統模塊和第一遮光板之間設置反射光接收部件，并使得該反射光接收部件接收第一反射光，該第一反射光為所述激光發射至所述第一遮光板并被該第一遮光板反射后形成的光；以及(E)以發射至所述第一狹縫和第一遮光板上的激光當中已經通過該第一狹縫的激光照射所述基片。
[0016]本專利技術的有益效果
[0017]根據上述實施方式，可提供一種能夠防止不均勻照射并實施穩定結晶化處理的激光照射裝置和半導體器件制造方法。
附圖說明
[0018]圖1為第一實施方式激光照射裝置一例的截面圖。
[0019]圖2為第一實施方式激光照射裝置主體部分一例的截面圖。
[0020]圖3為圖2激光照射裝置主體部分沿切割線A
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A的截面圖。
[0021]圖4為圖2激光照射裝置主體部分沿切割線B
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B的截面圖。
[0022]圖5為第一實施方式激光照射裝置中激光與狹縫間關系一例的透視圖。
[0023]圖6為采用第一實施方式激光照射裝置的激光照射方法一例的流程圖。
[0024]圖7為比較例激光照射裝置一例的截面圖。
[0025]圖8為激光施加至基片后該基片上的例示激光形狀放大視圖。
[0026]圖9為第二實施方式激光照射裝置主體部分一例的截面圖。
[0027]圖10為第二實施方式反射光接收部件一例的截面圖。
[0028]圖11為圖10反射光接收部件沿切割線C
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C的截面圖。
[0029]圖12為第三實施方式激光照射裝置主體部分一例的截面圖。
[0030]圖13為第三實施方式反射光接收部件一例的截面圖。
[0031]圖14為第三實施方式吸熱元件一例的截面圖。
[0032]圖15為第四實施方式半導體器件制造方法一例的截面圖。
[0033]圖16為有機EL顯示器概略截面圖，其中，該有機EL顯示器的像素電路以簡化方式示出。
[0034]附圖標記列表
[0035]1，101激光照射裝置
[0036]10 光源
[0037]20 光學系統模塊
[0038]21 光學系統外殼
[0039]22 反射鏡
[0040]23密封窗
[0041]30密封部分
[0042]31密封殼體
[0043]33密封窗
[0044]34進氣口
[0045]35出氣口
[0046]37氣體
[0047]40處理腔室
[0048]41容氣盒
[0049]42入口窗
[0050]43照射窗
[0051]44進氣口
[0052]45基片臺
[0053]46底臺
[0054]47掃描裝置
[0055]48水平底座
[0056]49傳輸方向
[0057]51，51a，51b遮光板
[0058]52，52a，52b遮光板
[0059]54狹縫
[0060]55狹縫
[0061]57反射鏡
[0062]58隔熱材料
[0063]59a，59b多層吸熱膜
[0064]61，62，63反射光接收部件
[0065]62a，63a主體部分
[0066]62b，63b隔熱氣層
[0067]62c，63c冷卻劑通道
[0068]63d吸熱元件
[0069]71遮光板
[0070]72水平部分
[0071]73傾斜部分
[0072]201玻璃基片
[0073]202柵電極
[0074]203柵極絕緣膜
[0075]204非晶硅膜
[0076]205多晶硅膜
[0077]206層間絕緣膜
[0078]207a源電極
[0079]207b 漏電極
[0080]300有機EL顯本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種激光照射裝置，其特征在于，包括：一光學系統模塊，用于向一照射對象發射激光；第一遮光板，所述第一遮光板內形成有供所述激光通過的第一狹縫，所述第一遮光板朝所述光學系統模塊彎曲；以及一反射光接收部件，設于所述光學系統模塊與所述第一遮光板之間，其中，所述反射光接收部件能夠接收所述激光中被所述第一遮光板反射的第一反射光。2.根據權利要求1所述的激光照射裝置，其特征在于，還包括第二遮光板，所述第二遮光板內形成有第二狹縫，供已通過所述第一狹縫的所述激光通過，其中，所述反射光接收部件能夠接收所述激光中被所述第二遮光板反射的第二反射光。3.根據權利要求1或2所述的激光照射裝置，其特征在于，所述反射光接收部件包括一冷卻套管，所述冷卻套管包括供冷卻劑流動的一冷卻劑通道。4.根據權利要求1或2所述的激光照射裝置，其特征在于，所述反射光接收部件包括設于光學系統模塊側的一隔熱氣層，所述隔熱氣層含有空氣。5.根據權利要求1或2所述的激光照射裝置，其特征在于，所述反射光接收部件包括設于第一遮光板側的一吸熱元件，所述吸熱元件用于吸收熱量。6.根據權利要求5所述的激光照射裝置，其特征在于，所述吸熱元件的第一遮光板側的表面上形成有一多層吸熱膜，所述多層吸熱膜包括多層用于吸收熱量的吸熱膜。7.根據權利要求6所述的激光照射裝置，其特征在于，所述多層吸熱膜針對所述第一反射光的入射角具有一預定容差。8.根據權利要求5所述的激光照射裝置，其特征在于，所述吸熱元件的第一遮光板側的表面經過結霜工藝處理。9.根據權利要求5所述的激光照射裝置，其特征在于，所述吸熱元件的光學系統模塊側的表面上形成有一多層吸熱膜，所述多層吸熱膜包括多層用于吸收熱量的吸熱膜。10.根據權利要求5所述的激光照射裝置，其特征在于，形成于所述吸熱元件的第一遮光板側的表面上且包括多層用于吸收熱量的吸熱膜的所述多層吸熱膜的吸收率低于形成于所述吸熱元件的光學系統模塊側的表面上的所述多層吸熱膜的吸收率。11.根據權利要求1...
【專利技術屬性】
技術研發人員：伊藤大介，小田嶋保，清水良，町田政志，松島達郎，
申請(專利權)人：JSW阿克迪納系統有限公司，
類型：發明
國別省市：
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