一種驅動電路制造技術

本發明專利技術公開了一種驅動電路，與PMOS功率管以及NMOS功率管連接，包括：PMOS驅動模塊、NMOS驅動模塊、PMOS抗干擾模塊、NMOS抗干擾模塊；所述PMOS驅動模塊通過所述PMOS抗干擾模塊與所述PMOS功率管連接，所述NMOS驅動模塊通過所述NMOS抗干擾模塊與所述NMOS功率管連接。本發明專利技術通過為PMOS抗干擾模塊以及NMOS抗干擾模塊單獨提供電源軌，在所述PMOS功率管或者所述NMOS功率管導通或者截止瞬間，減小了對前級電路的電源和地線的干擾，提高電路可靠性。提高電路可靠性。提高電路可靠性。

【技術實現步驟摘要】
一種驅動電路


[0001]本專利技術涉及電源管理
，尤其涉及的是一種驅動電路。

技術介紹

[0002]一般的，驅動電路是電源管理設備中的重要組成部分，其中，由PMOS和NMOS組成的半橋驅動電路應用十分廣泛，通常它由級聯的多級的電平移位模塊和預驅動模塊組成。近年來，隨著電源技術的快速發展，對功率管的驅動能力，工作電壓和可靠性性能要求越發的高，這對設計驅動電路模塊提出了更高的要求。
[0003]傳統的半橋驅動電路結構如圖1所示，利用反相器驅動PMOS和NMOS管。邏輯輸入信號Vin通過前級的電平移位，將電源軌從VDD和VSS轉化至VCCD和GND。PMOS管的輸入驅動邏輯在經過P死區控制電路之后，通過電平移位將邏輯轉換為HV和HV_GND的電源軌，以便解決MOS管的柵源極只能承受5.5V以內的低壓，INV8的輸出驅動PMOS的柵極。NMOS管的輸入驅動邏輯在經過N死區控制電路后，VCCD和GND作為INV9，INV10和INV11的電源，INV11的輸出驅動NMOS的柵極。不過，功率管NMOS和PMOS都具有較大的輸入電容，會對前級電路造成較大干擾，特別是與PMOS和NMOS的柵極直接連接的部分電路，使得驅動電路的性能降低甚至影響其正常工作。
[0004]因此，現有技術還有待于改進和發展。

技術實現思路

[0005]鑒于上述現有技術的不足，本專利技術的目的在于提供一種驅動電路，以解決現有技術中功率管NMOS和PMOS都具有較大的輸入電容，會對前級電路造成干擾的問題。
[0006]本專利技術的技術方案如下：一種驅動電路，與PMOS功率管以及NMOS功率管連接，包括：PMOS驅動模塊、NMOS驅動模塊、PMOS抗干擾模塊、NMOS抗干擾模塊；所述PMOS驅動模塊通過所述PMOS抗干擾模塊與所述PMOS功率管連接，用于輸出初始電源電壓以及第一地電位，以驅動PMOS功率管；所述PMOS抗干擾模塊用于將初始電源電壓鉗壓為第二地電位，并輸出初始電源電壓以及第二地電位至PMOS功率管；所述NMOS驅動模塊通過所述NMOS抗干擾模塊與所述NMOS功率管連接，用于輸出第一電源電壓以及初始地電位，以驅動NMOS功率管；所述NMOS抗干擾模塊用于將初始電源電壓鉗壓為第二電源電壓，并輸出第二電源電壓以及初始地電位至NMOS功率管。
[0007]本專利技術的進一步設置，還包括前置電平位移模塊；所述前置電平位移模塊接入輸入信號，并分別與所述PMOS驅動模塊以及所述NMOS驅動模塊連接，用于將第三電源電壓至第三地電位轉換為第一電源電壓至初始地電位的電壓區域。
[0008]本專利技術的進一步設置，所述PMOS抗干擾模塊包括第一反相器、P區第一鉗壓單元以
及P區第二鉗壓單元；所述P區第一鉗壓單元接入初始電源電壓，用于將初始電源電壓鉗壓為第一地電位；所述P區第二鉗壓單元接入初始電源電壓，用于將初始電源電壓鉗壓為第二地電位；第一反相器分別接入初始電源電壓以及所述第二地電位，并分別與所述PMOS驅動模塊以及所述PMOS功率管連接。
[0009]本專利技術的進一步設置，所述PMOS驅動模塊包括：P死區控制單元、P區電平移位單元以及P區預驅動單元；所述P死區控制單元分別與所述NMOS驅動模塊以及所述P區電平移位單元連接，用于避免所述NMOS功率管與所述PMOS功率管死區時間重疊；所述P區電平移位單元與所述P區預驅動單元連接，用于將邏輯電源軌由第一電源電壓至初始地電位轉換為初始電源電壓至第一地電位的電壓區域；所述P區預驅動單元通過所述PMOS抗干擾模塊與所述PMOS功率管連接，用于根據初始電源電壓以及第一地電位控制所述PMOS功率管導通。
[0010]本專利技術的進一步設置，所述P區預驅動單元包括首尾依次串聯的若干個第一驅動反相器；首部的所述第一驅動反相器的輸入端與所述P區電平移位單元連接，尾部的所述第一驅動反相器分別與所述NMOS驅動模塊以及所述PMOS抗干擾模塊連接。
[0011]本專利技術的進一步設置，所述P死區控制單元包括第一與非門、第三反相器；所述第一與非門的第一輸入端與所述前置電平位移模塊連接，所述第一與非門的第二輸入端與N區預驅動單元的輸出端連接；所述第三反相器的輸入端與所述第一與非門的輸出端連接，所述第三反相器的輸出端與所述P區電平移位單元的輸入端連接。
[0012]本專利技術的進一步設置，所述NMOS抗干擾模塊包括第二反相器、N區第一鉗壓單元以及N區第二鉗壓單元；所述N區第一鉗壓單元接入初始電源電壓，用于將所述初始電源電壓鉗壓為第一電源電壓；所述N區第二鉗壓單元接入初始電源電壓，用于將所述初始電源電壓鉗壓為第二電源電壓；所述第二反相器接入所述第二電源電壓以及所述初始地電位，并分別與所述NMOS驅動模塊以及所述NMOS功率管連接。
[0013]本專利技術的進一步設置，所述NMOS驅動模塊包括：N死區控制單元、N區電平移位單元以及N區預驅動單元；所述N死區控制單元通過所述N區電平移位單元與所述PMOS驅動模塊連接，用于避免所述PMOS功率管與所述NMOS功率管死區時間重疊；所述N區電平移位單元用于將邏輯電源軌由初始電源電壓至第一地電位轉換為第一電源電壓至初始地電位的電壓區域；所述N區預驅動單元通過所述NMOS抗干擾模塊與所述NMOS功率管連接，用于根據
第一電源電壓以及初始地電位控制所述NMOS功率管導通。
[0014]本專利技術的進一步設置，所述N區預驅動單元包括首尾依次串聯的若干個第二驅動反相器；首部的所述第二驅動反相器的輸入端與所述N區電平移位單元連接，尾部的所述第二驅動反相器分別與所述PMOS驅動模塊以及所述NMOS抗干擾模塊連接。
[0015]本專利技術的進一步設置，所述N死區控制單元包括第二與非門、第四反相器、第五反相器；所述第四反相器的輸入端與所述前置電平位移模塊連接；所述第二與非門的第一輸入端與所述第三反相器的輸出端連接，所述第二與非門的第二輸入端與所述第四反相器的輸出端連接；所述第五反相器的輸入端通過所述N區電平移位單元與所述PMOS驅動模塊連接。
[0016]本專利技術所提供的一種驅動電路，所述驅動電路與PMOS功率管以及NMOS功率管連接，包括：PMOS驅動模塊、NMOS驅動模塊、PMOS抗干擾模塊、NMOS抗干擾模塊；所述PMOS驅動模塊通過所述PMOS抗干擾模塊與所述PMOS功率管連接，用于輸出初始電源電壓以及第一地電位，以驅動PMOS功率管；所述PMOS抗干擾模塊用于將初始電源電壓鉗壓為第二地電位，并輸出初始電源電壓以及第二地電位至PMOS功率管；所述NMOS驅動模塊通過所述NMOS抗干擾模塊與所述NMOS功率管連接，用于輸出第一電源電壓以及初始地電位，以驅動NMOS功率管；所述NMOS抗干擾模塊用于將初始電源電壓鉗壓為第二電源電壓，并輸出第二電源電壓以及初始地電位至NMOS功率管。本專利技術通過PMOS抗干擾模塊以及NMOS抗干擾模塊單獨提供電源軌，以避免在所述PMOS功率管或者所述NMOS功率管導通或者截止瞬間，第二地電位的擾動或者第二電源電壓的擾動引入到PMOS驅本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種驅動電路，與PMOS功率管以及NMOS功率管連接，其特征在于，包括：PMOS驅動模塊、NMOS驅動模塊、PMOS抗干擾模塊、NMOS抗干擾模塊；所述PMOS驅動模塊通過所述PMOS抗干擾模塊與所述PMOS功率管連接，用于輸出初始電源電壓以及第一地電位，以驅動PMOS功率管；所述PMOS抗干擾模塊用于將初始電源電壓鉗壓為第二地電位，并輸出初始電源電壓以及第二地電位至PMOS功率管；所述NMOS驅動模塊通過所述NMOS抗干擾模塊與所述NMOS功率管連接，用于輸出第一電源電壓以及初始地電位，以驅動NMOS功率管；所述NMOS抗干擾模塊用于將初始電源電壓鉗壓為第二電源電壓，并輸出第二電源電壓以及初始地電位至NMOS功率管。2.根據權利要求1所述的驅動電路，其特征在于，還包括前置電平位移模塊；所述前置電平位移模塊接入輸入信號，并分別與所述PMOS驅動模塊以及所述NMOS驅動模塊連接，用于將第三電源電壓至第三地電位轉換為第一電源電壓至初始地電位的電壓區域。3.根據權利要求1所述的驅動電路，其特征在于，所述PMOS抗干擾模塊包括第一反相器、P區第一鉗壓單元以及P區第二鉗壓單元；所述P區第一鉗壓單元接入初始電源電壓，用于將初始電源電壓鉗壓為第一地電位；所述P區第二鉗壓單元接入初始電源電壓，用于將初始電源電壓鉗壓為第二地電位；第一反相器分別接入初始電源電壓以及所述第二地電位，并分別與所述PMOS驅動模塊以及所述PMOS功率管連接。4.根據權利要求2所述的驅動電路，其特征在于，所述PMOS驅動模塊包括：P死區控制單元、P區電平移位單元以及P區預驅動單元；所述P死區控制單元分別與所述NMOS驅動模塊以及所述P區電平移位單元連接，用于避免所述NMOS功率管與所述PMOS功率管死區時間重疊；所述P區電平移位單元與所述P區預驅動單元連接，用于將邏輯電源軌由第一電源電壓至初始地電位轉換為初始電源電壓至第一地電位的電壓區域；所述P區預驅動單元通過所述PMOS抗干擾模塊與所述PMOS功率管連接，用于根據初始電源電壓以及第一地電位控制所述PMOS功率管導通。5.根據權利要求4所述的驅動電路，其特征在于，所述P區預驅動單元包括首尾依次串聯的若干個第一驅動反相器；首部的所述第一驅動反相器的輸入端與所述P區電...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉洋，
申請(專利權)人：廣東巨風半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：