一種形成柵極的方法及半導(dǎo)體器件技術(shù)

本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種形成柵極的方法及半導(dǎo)體器件，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。解決了光刻膠形成的圖形結(jié)構(gòu)與預(yù)期尺寸存在較大誤差，降低最終形成的T形結(jié)構(gòu)的柵極的質(zhì)量的問(wèn)題。具體方案為：在外延結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)依序形成第一光刻膠層以及第二光刻膠層；在第二光刻膠層上形成第一開口以及在第一光刻膠層上形成第二開口；第一開口大于第二開口，第二開口位于第一開口在第一光刻膠層上的正投影區(qū)域內(nèi)；對(duì)第一光刻膠層曝光顯影，在第一光刻膠層上形成第三開口；第三開口覆蓋第二開口，且第三開口小于第一開口；在第一開口和第三開口內(nèi)填充金屬形成柵極。屬形成柵極。屬形成柵極。屬形成柵極。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：寧開明，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：華為技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：