本發明專利技術公開了一種高壓啟動電路、開關電源控制芯片及開關電源，所述高壓啟動電路包括恒流啟動電路、穩壓鉗位電路和高壓充電電路；所述高壓充電電路分別與所述穩壓鉗位電路和所述恒流啟動電路相連接，所述穩壓鉗位電路與所述恒流啟動電路相連接；所述高壓充電電路，用于輸出充電電壓對負載電容進行充電；所述恒流啟動電路，用于限制所述高壓充電電路中的充電電流，控制所述充電電壓的上升速度。本發明專利技術通過恒流啟動電路對高壓充電電路進行控制，從而能提供恒定的充電電流，防止輸出過沖，上電速度恒定，充電時間不會隨著輸入電壓變化而變化，有效避免損傷芯片的情況。有效避免損傷芯片的情況。有效避免損傷芯片的情況。
【技術實現步驟摘要】
一種高壓啟動電路、開關電源控制芯片及開關電源
[0001]本專利技術屬于集成電路
，尤其涉及一種高壓啟動電路、開關電源控制芯片及開關電源。
技術介紹
[0002]在當代工業和通信領域，各種開關電源應用越來越廣泛。通常開關電源的輸出給控制芯片供電，但在上電初始時開關電源充電電壓為0V，則經常會使用到高壓啟動電路從母線取電提供一個供電電壓使控制芯片先工作，再使系統穩定工作，所以高壓啟動電路至關重要。
[0003]如圖1所示傳統的高壓啟動電路，通過啟動電阻R1對外掛的充電電容C1充電。初始上電時，由于輸入電壓VIN的快速上升，VDD會出現過沖，導致充電電壓不穩定，甚至可能損傷芯片。
技術實現思路
[0004]有鑒于此，本專利技術提供了一種高壓啟動電路、開關電源控制芯片及開關電源，從而解決輸出過沖的問題。
[0005]本專利技術提供的技術方案如下：
[0006]第一方面，本專利技術實施例提供了一種高壓啟動電路，所述高壓啟動電路包括恒流啟動電路、穩壓鉗位電路和高壓充電電路；
[0007]所述高壓充電電路分別與所述穩壓鉗位電路和所述恒流啟動電路相連接，所述穩壓鉗位電路與所述恒流啟動電路相連接；
[0008]所述高壓充電電路，用于輸出充電電壓對負載電容進行充電；
[0009]所述恒流啟動電路，用于限制所述高壓充電電路中的充電電流，控制所述充電電壓的上升速度。
[0010]進一步的，所述恒流啟動電路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第六NMOS管、第一PMOS管、第一鉗位二極管、第二鉗位二極管和第二電阻，所述第一NMOS管的漏極連接至輸入電流信號端，所述第一NMOS管的漏極分別與所述第一NMOS管的柵極、所述第二NMOS管的柵極和所述開關控制電路相連接，所述第一NMOS管的源極和第二NMOS管的源極均連接至地端，所述第二NMOS管的漏極連接至所述第六NMOS管的源極，所述第六NMOS管的柵極分別與所述開關控制電路和所述穩壓鉗位電路連接，所述第六NMOS管的漏極分別與所述第一鉗位二極管的陰極、所述第一PMOS管的漏極、所述第一PMOS管的柵極、所述開關控制電路和所述高壓充電電路相連接，所述第一PMOS管的源極分別與所述開關控制電路和所述高壓充電電路相連接，所述第一鉗位二極管的陽極連接至所述第二鉗位二極管的陰極，所述第二鉗位二極管的陽極通過所述第二電阻與地端連接。
[0011]進一步的，所述穩壓鉗位電路包括第三電阻、第三鉗位二極管和第五NMOS管，所述第三電阻的第一端分別與輸出電壓端、所述高壓充電電路和所述過欠壓檢測電路相連接，
所述第三電阻的第二端分別與所述第三鉗位二極管的陰極、所述恒流啟動電路和所述開關控制電路相連接，所述第三鉗位二極管的陽極分別與所述第五NMOS管的柵極和所述第五NMOS管的漏極相連接，所述第五NMOS管的源極連接至地端。
[0012]進一步的，所述高壓充電電路包括場效應管、第一二極管和第三PMOS管，所述場效應管的漏極連接至輸入電壓端，所述場效應管的柵極連接至地端，所述場效應管的源極連接至所述第一二極管的陽極，所述第一二極管的陰極分別與所述第三PMOS管的源極、所述開關控制電路和所述恒流啟動電路相連接，所述第三PMOS管的柵極分別與所述恒流啟動電路和所述開關控制電路相連接，所述第三PMOS管的漏極分別與所述穩壓鉗位電路、所述過欠壓檢測電路和輸出電壓端相連接。
[0013]進一步的，所述高壓啟動電路還包括：
[0014]過欠壓檢測電路，用于檢測充電電壓，確認所述充電電壓高于上閾值，發出關閉高壓啟動電路的輸出信號；確認所述充電電壓低于下閾值，發出開啟高壓啟動電路的輸出信號，對負載電容充電；
[0015]開關控制電路，用于接收所述過欠壓檢測電路的輸出信號，根據所述輸出信號控制所述高壓啟動電路的工作狀態；
[0016]所述過欠壓檢測電路分別與所述高壓充電電路和所述穩壓鉗位電路相連接，所述開關控制電路分別與所述過欠壓檢測電路、所述穩壓鉗位電路和所述恒流啟動電路相連接。
[0017]進一步的，所述過欠壓檢測電路包括第四電阻、第五電阻、第六電阻、第一比較器、第二比較器和鎖存器，所述第四電阻的第一端分別與所述高壓充電電路、所述穩壓鉗位電路和輸出電壓端相連接，所述第四電阻的第二端分別與所述第五電阻的第一端和第一比較器的負向輸入端相連接，所述第五電阻的第二端分別與所述第六電阻的第一端和所述第二比較器的正向輸入端相連接，所述第六電阻的第二端連接至地端，所述第一比較器的正向輸入端和所述第二比較器的負向輸入端均連接至參考電壓信號端，所述第一比較器的輸出端連接至所述鎖存器的第一端，所述第二比較器的輸出端連接至所述鎖存器的第二端，所述鎖存器的反相輸出端連接至所述開關控制電路。
[0018]進一步的，所述開關控制電路包括第三NMOS管、第四NMOS管、第七NMOS管、第二PMOS管和第一電阻，所述第三NMOS管的漏極分別與輸入電流信號端和所述恒流啟動電路相連接，所述第三NMOS管的源極和所述第四NMOS管的源極均連接至地端，所述第三NMOS管的柵極和所述第四NMOS管的柵極均連接至所述過欠壓檢測電路，所述第四NMOS管的漏極連接至所述第七NMOS管的源極，所述第七NMOS管的柵極分別與所述恒流啟動電路和所述穩壓鉗位電路相連接，所述第七NMOS管的漏極分別與所述第一電阻的第一端和所述第二PMOS管的柵極相連接，所述第一電阻的第二端分別與所述第二PMOS管的源極、所述恒流啟動電路和所述高壓充電電路相連接，所述第二PMOS管的漏極分別與所述恒流啟動電路和所述高壓充電電路相連接。
[0019]進一步的，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管均為低壓MOS管，所述第六NMOS管和所述第一PMOS管均為高壓MOS管。
[0020]進一步的，所述第五NMOS管為低壓MOS管。
[0021]進一步的，所述第三PMOS管為高壓MOS管。
[0022]進一步的，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管均為低壓MOS管，所述第七NMOS管和所述第二PMOS管均為高壓MOS管。
[0023]第二方面，本專利技術實施例還提供了一種開關電源控制芯片，包括如第一方面所述的高壓啟動電路。
[0024]第三方面，本專利技術實施例還提供了一種開關電源，包括如第一方面所述的高壓啟動電路或如第二方面所述的開關電源控制芯片。
[0025]此專利技術的有益效果如下：
[0026]本專利技術通過恒流啟動電路對高壓充電電路進行控制，從而能提供恒定的充電電流，防止輸出過沖，上電速度恒定，充電時間不會隨著輸入電壓變化而變化，有效避免損傷芯片的情況。
[0027]進一步地，而且本專利技術還能通過過欠壓檢測電路和開關控制電路根據過欠壓的情況對高壓充電電路進行控制，從而實現低功耗待機和輸出保護功能，當電源系統穩定后關閉啟動電路，芯片處于低功耗待機狀態；當充電電壓高于高閾值時啟動電路關閉，當充電電壓低于低閾值時啟動電路開啟。
附圖說明
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【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種高壓啟動電路，其特征在于，所述高壓啟動電路包括恒流啟動電路、穩壓鉗位電路和高壓充電電路；所述高壓充電電路分別與所述穩壓鉗位電路和所述恒流啟動電路相連接，所述穩壓鉗位電路與所述恒流啟動電路相連接；所述高壓充電電路，用于輸出充電電壓對負載電容進行充電；所述恒流啟動電路，用于限制所述高壓充電電路中的充電電流，控制所述充電電壓的上升速度。2.根據權利要求1所述的高壓啟動電路，其特征在于：所述恒流啟動電路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第六NMOS管、第一PMOS管、第一鉗位二極管、第二鉗位二極管和第二電阻，所述第一NMOS管的漏極連接至輸入電流信號端，所述第一NMOS管的漏極分別與所述第一NMOS管的柵極、所述第二NMOS管的柵極和所述開關控制電路相連接，所述第一NMOS管的源極和第二NMOS管的源極均連接至地端，所述第二NMOS管的漏極連接至所述第六NMOS管的源極，所述第六NMOS管的柵極分別與所述開關控制電路和所述穩壓鉗位電路連接，所述第六NMOS管的漏極分別與所述第一鉗位二極管的陰極、所述第一PMOS管的漏極、所述第一PMOS管的柵極、所述開關控制電路和所述高壓充電電路相連接，所述第一PMOS管的源極分別與所述開關控制電路和所述高壓充電電路相連接，所述第一鉗位二極管的陽極連接至所述第二鉗位二極管的陰極，所述第二鉗位二極管的陽極通過所述第二電阻與地端連接。3.根據權利要求1所述的高壓啟動電路，其特征在于：所述穩壓鉗位電路包括第三電阻、第三鉗位二極管和第五NMOS管，所述第三電阻的第一端分別與輸出電壓端、所述高壓充電電路和所述過欠壓檢測電路相連接，所述第三電阻的第二端分別與所述第三鉗位二極管的陰極、所述恒流啟動電路和所述開關控制電路相連接，所述第三鉗位二極管的陽極分別與所述第五NMOS管的柵極和所述第五NMOS管的漏極相連接，所述第五NMOS管的源極連接至地端。4.根據權利要求1所述的高壓啟動電路，其特征在于：所述高壓充電電路包括場效應管、第一二極管和第三PMOS管，所述場效應管的漏極連接至輸入電壓端，所述場效應管的柵極連接至地端，所述場效應管的源極連接至所述第一二極管的陽極，所述第一二極管的陰極分別與所述第三PMOS管的源極、所述開關控制電路和所述恒流啟動電路相連接，所述第三PMOS管的柵極分別與所述恒流啟動電路和所述開關控制電路相連接，所述第三PMOS管的漏極分別與所述穩壓鉗位電路、所述過欠壓檢測電路和輸出電壓端相連接。5.根據權利要求1所述的高壓啟動電路，其特征在于：所述高壓啟動電路還包括：過欠壓檢測電路，用于檢測充電電壓，確認所述充電電壓高于上閾值，發出關閉高壓啟動電路的輸出信號；確認所述充電電壓低于下閾值，發出開啟高壓啟動電路的輸出信號，對負載電容充電；開關控制電路，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：許東升，李金明，朱智勇，
申請(專利權)人：廣州金升陽科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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