本發(fā)明專利技術(shù)涉及電源技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種緩啟動(dòng)電路及多層次的緩啟動(dòng)電路。所述緩啟動(dòng)電路包括：防反二極管VD1、預(yù)充電阻、MOS管VT2、自驅(qū)電路；所述預(yù)充電阻包括電阻R3與電阻R5；所述電阻R3與所述電阻R5串聯(lián)，所述MOS管VT2與串聯(lián)后的電阻R3和電阻R5形成并聯(lián)；所述防反二極管VD1與所述預(yù)充電阻串聯(lián)，所述防反二極管VD1與所述MOS管VT2以及所述自驅(qū)電路并聯(lián)；所述自驅(qū)電路與所述MOS管VT2連接。本發(fā)明專利技術(shù)可以降低開關(guān)管或繼電器觸點(diǎn)導(dǎo)通時(shí)沖擊電流外，控制簡單且節(jié)約成本。節(jié)約成本。節(jié)約成本。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種緩啟動(dòng)電路及多層次的緩啟動(dòng)電路
[0001]本專利技術(shù)涉及電源
，尤其涉及一種緩啟動(dòng)電路及多層次的緩啟動(dòng)電路。
技術(shù)介紹
[0002]開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，緩啟動(dòng)電路是必不可少的部分，DC輸入通過電阻給BUS電容預(yù)充，讓電容上的電壓與輸入電壓接近時(shí)，再閉合MOS管或繼電器，使沖擊電流盡量的小，小電流緩啟動(dòng)電路常用繼電器來做，單片機(jī)控制繼電器的通斷，由于大電流繼電器價(jià)格高、選型難，大電流緩啟動(dòng)電路常用MOS管來做 ，隔離管采用兩組MOS管倒過來的接法，校準(zhǔn)好VF+與VBUS+的值，當(dāng)VF+與VBUS+的值壓差小于0.5V時(shí)，單片機(jī)出驅(qū)動(dòng)控制MOS管通斷，控制復(fù)雜，而且使用的MOS管很多，成本高。
[0003]為了降低開關(guān)管或繼電器觸點(diǎn)導(dǎo)通時(shí)的沖擊電流，傳統(tǒng)的兩組MOS管或繼電器緩啟動(dòng)電路，單片機(jī)控制，需采樣MOS管DS間或繼電器觸點(diǎn)的壓差，控制方法復(fù)雜，成本高。
[0004]因此，如何提供一種既能解決克服大電流沖擊問題的同時(shí)又控制簡單且節(jié)約成本的電路是有待解決的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0005]本專利技術(shù)提供了一種緩啟動(dòng)電路及多層次的緩啟動(dòng)電路，用于解決上述的技術(shù)問題。
[0006]本專利技術(shù)第一方面提供了一種緩啟動(dòng)電路，所述緩啟動(dòng)電路包括：防反二極管VD1、預(yù)充電阻、MOS管VT2、自驅(qū)電路；所述預(yù)充電阻包括電阻R3與電阻R5；所述電阻R3與所述電阻R5串聯(lián)，所述MOS管VT2與串聯(lián)后的電阻R3和電阻R5形成并聯(lián)；所述防反二極管VD1與所述預(yù)充電阻串聯(lián)，所述防反二極管VD1與所述MOS管VT2以及所述自驅(qū)電路并聯(lián)；所述自驅(qū)電路與所述MOS管VT2連接。
[0007]可選的，在本專利技術(shù)第一方面的第一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述緩啟動(dòng)電路兩端分別連接DC電源與BUS電容；所述防反二極管VD1的正極連接于DC電源的輸入端，所述防反二極管VD1的負(fù)極連接于BUS電容的輸出端；所述MOS管VT2的輸入端分別連接于所述防反二極管VD1的正極，所述MOS管VT2的輸出端連接于BUS電容的輸入端；所述電阻R3的一端連接于所述防反二極管VD1的正極，所述電阻R3的另一端連接所述電阻R5，所述電阻R5的另一端連接于BUS電容的輸入端。
[0008]可選的，在本專利技術(shù)第一方面的第二種實(shí)現(xiàn)方式中，包括：所述MOS管VT2的一端連接于電阻R3的輸入端，MOS管VT2的另一端連接于電阻R5的
輸出端。
[0009]本專利技術(shù)第二方面提供了一種多層次的緩啟動(dòng)電路，包括上述的任一項(xiàng)所述的緩啟動(dòng)電路，還包括：保護(hù)電路、預(yù)充電路、充電電路、控制電路；所述保護(hù)電路的輸出端連接于所述預(yù)充電路的輸入端和所述充電電路的輸入端，所述充電電路的輸出端連接于所述控制電路的輸入端，所述控制電路的輸出端連接于所述預(yù)充電路的輸出端。
[0010]可選的，在本專利技術(shù)第二方面的第一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述保護(hù)電路由保險(xiǎn)絲、EMC電路以及二極管VD2組成；所述保護(hù)電路用于保護(hù)所述預(yù)充電路、所述充電電路、所述控制電路；所述保險(xiǎn)絲的一端連接DC電源的輸入端，所述保險(xiǎn)絲的另一端連接于所述EMC電路的輸入端，所述EMC電路的輸出端連接于所述充電電路的輸入端，所述二極管VD2一端連接于所述充電電路的輸入端，所述二極管VD2另一端連接于所述預(yù)充電路的輸出端；所述保險(xiǎn)絲用于為輸入DC電源提供保護(hù)；所述EMC電路用于防止電磁干擾；所述二極管VD2用于在輸入DC電源反向接入時(shí)保護(hù)后續(xù)電路不被損壞。
[0011]可選的，在本專利技術(shù)第二方面的第二種實(shí)現(xiàn)方式中，所述預(yù)充電路包括BUS電容；所述預(yù)充電路用于為BUS電容預(yù)充電，準(zhǔn)備BUS電壓；所述電阻R3與所述電阻R5串聯(lián)連接，所述電阻R3和所述電阻R5與MOS管VT1和MOS管VT2并聯(lián)連接，所述電阻R5的另一端連接于BUS電容的輸出端，所述BUS電容的輸入端連接于所述充電電路的輸入端；所述預(yù)充電路用于在啟動(dòng)過程中為BUS電容進(jìn)行預(yù)充，準(zhǔn)備BUS電容的電壓。
[0012]可選的，在本專利技術(shù)第二方面的第三種實(shí)現(xiàn)方式中，所述充電電路包括電阻R249，電阻R4以及電容C7；所述充電電路用于為電容C7充電，當(dāng)電容C7的電壓達(dá)到預(yù)定值時(shí)，觸發(fā)所述控制電路工作；所述電阻R249的一端連接于所述保護(hù)電路的輸出端，所述電阻R249的另一端連接于所述電阻R4，所述電阻R4的另一端連接于電容C7，電容C7的另一端連接于所述控制電路的輸入端；所述充電電路用于為電容C7充電，直到電容的電壓達(dá)到預(yù)定值。
[0013]可選的，在本專利技術(shù)第二方面的第四種實(shí)現(xiàn)方式中，所述控制電路包括光電控制電路以及驅(qū)動(dòng)電路，所述光電控制電路包括光電耦合器D5，所述驅(qū)動(dòng)電路包括MOS管VT1、穩(wěn)壓二極管VD64；所述光電耦合器D5的一端連接于穩(wěn)壓二極管VD64的正極，所述光電耦合器D5的另一端連接于MOS管VT1，所述MOS管VT1與MOS管VT2并聯(lián)連接，所述MOS管VT1的另一端連接于電容C7，MOS管VT2的一端連接于電容C7，MOS管VT2的另一端連接于BUS電容；所述光電耦合器D5用于當(dāng)電容C7電壓達(dá)到穩(wěn)壓二極管VD64的擊穿電壓時(shí)，光電耦合器D5被觸發(fā)并開始導(dǎo)電，進(jìn)行信號(hào)傳輸；所述MOS管VT1與MOS管VT2用于當(dāng)光電耦合器D5導(dǎo)通時(shí)觸發(fā)MOS管VT1 和MOS管VT2的工作，進(jìn)行電流的開關(guān)控制；所述控制電路用于當(dāng)電容C7電壓達(dá)到穩(wěn)壓二極管VD64的擊穿電壓時(shí)，光電耦合器
D5被觸發(fā)并開始導(dǎo)電，同時(shí)觸發(fā)MOS管驅(qū)動(dòng)VT1和MOS管VT2工作，進(jìn)行電流的開關(guān)控制。
[0014]本專利技術(shù)提供的技術(shù)方案中，有益效果：本專利技術(shù)提供的一種緩啟動(dòng)電路及多層次的緩啟動(dòng)電路，通過防反二極管VD1、預(yù)充電阻、MOS管VT2、自驅(qū)電路；所述預(yù)充電阻包括電阻R3與電阻R5；所述電阻R3與所述電阻R5串聯(lián)，所述MOS管VT2與串聯(lián)后的電阻R3和電阻R5形成并聯(lián)；所述防反二極管VD1與所述預(yù)充電阻串聯(lián)，所述防反二極管VD1與所述MOS管VT2以及所述自驅(qū)電路并聯(lián)；所述自驅(qū)電路與所述MOS管VT2連接。本專利技術(shù)可以有效降低開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)沖擊電流，電路設(shè)計(jì)簡單，MOS管的驅(qū)動(dòng)采用自驅(qū)方式，不需要外加采樣電路及單片機(jī)單獨(dú)驅(qū)動(dòng)，并且隔離MOS管根據(jù)實(shí)際電流單組設(shè)計(jì)。
附圖說明
[0015]圖1為本專利技術(shù)實(shí)施例中緩啟動(dòng)電路的一個(gè)實(shí)施例示意圖；圖2為本專利技術(shù)實(shí)施例中多層次的緩啟動(dòng)電路的一個(gè)實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施方式
[0016]本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種緩啟動(dòng)電路及多層次的緩啟動(dòng)電路。本專利技術(shù)的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等（如果存在）是用于區(qū)別類似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的實(shí)施例能夠以除了在這里圖示或描述的內(nèi)容以外的順序?qū)嵤４送猓g(shù)語“包括”或“具有”及其任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種緩啟動(dòng)電路，其特征在于，包括：防反二極管VD1、預(yù)充電阻、MOS管VT2、自驅(qū)電路；所述預(yù)充電阻包括電阻R3與電阻R5；所述電阻R3與所述電阻R5串聯(lián)，所述MOS管VT2與串聯(lián)后的電阻R3和電阻R5形成并聯(lián)；所述防反二極管VD1與所述預(yù)充電阻串聯(lián)，所述防反二極管VD1與所述MOS管VT2以及所述自驅(qū)電路并聯(lián)；所述自驅(qū)電路與所述MOS管VT2連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的緩啟動(dòng)電路，其特征在于，所述緩啟動(dòng)電路兩端分別連接DC電源與BUS電容；所述防反二極管VD1的正極連接于DC電源的輸入端，所述防反二極管VD1的負(fù)極連接于BUS電容的輸出端；所述MOS管VT2的輸入端分別連接于所述防反二極管VD1的正極，所述MOS管VT2的輸出端連接于BUS電容的輸入端；所述電阻R3的一端連接于所述防反二極管VD1的正極，所述電阻R3的另一端連接所述電阻R5，所述電阻R5的另一端連接于BUS電容的輸入端。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的緩啟動(dòng)電路，其特征在于，包括：所述MOS管VT2的一端連接于電阻R3的輸入端，MOS管VT2的另一端連接于電阻R5的輸出端。4.一種多層次的緩啟動(dòng)電路，包括權(quán)利要求1
?
3任一項(xiàng)所述的緩啟動(dòng)電路，其特征在于，還包括：保護(hù)電路、預(yù)充電路、充電電路、控制電路；所述保護(hù)電路的輸出端連接于所述預(yù)充電路的輸入端和所述充電電路的輸入端，所述充電電路的輸出端連接于所述控制電路的輸入端，所述控制電路的輸出端連接于所述預(yù)充電路的輸出端。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層次的緩啟動(dòng)電路，其特征在于，所述保護(hù)電路由保險(xiǎn)絲、EMC電路以及二極管VD2組成；所述保護(hù)電路用于保護(hù)所述預(yù)充電路、所述充電電路、所述控制電路；所述保險(xiǎn)絲的一端連接DC電源的輸入端，所述保險(xiǎn)絲的另一端連接于所述EMC電路的輸入端，所述EMC電路的輸出端連接于所述充電電路的輸入端，所述二極管VD2一端連接于所述充電電路的輸入端，所述二極管VD2另一端連接于所述預(yù)充電路的輸出端；所述保險(xiǎn)絲用于為輸入DC電源提供保護(hù)；所述EMC電路用于防止電磁干擾；所述二極管VD2...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鄭小紅，
申請(專利權(quán))人：廣東省洛侖茲技術(shù)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。